超紧凑超宽带双极化基站天线制造技术

超紧凑超宽带双极化基站天线。本发明专利技术涉及一种辐射元件，该辐射元件包括支撑结构、布置在支撑结构上的第一偶极子以及布置在支撑结构上的至少一个电闭合环，其中，该环围绕第一偶极子并且与第一偶极子电隔离，其中，第一偶极子的谐振频率高于辐射元件的工作带宽的中心频率。

【技术实现步骤摘要】
超紧凑超宽带双极化基站天线
本专利技术涉及一种辐射元件，并且更具体地，涉及适用于基站的天线的辐射元件，例如，超紧凑超宽带双极化基站天线。
技术介绍
超宽带基站天线系统通常工作于690-960MHz(“低频带(LowBand)”-LB)和1.7-2.7GHz(“高频带(HighBand)”-HB)频谱范围内，该频谱范围包括了大多数蜂窝网络目前使用的频带。随着对天线和射频设备的深度集成的需求日益增长，例如，有源天线系统(ActiveAntennaSystems，AAS)，要求设计超紧凑超宽带多阵列基站天线架构的新方法，天线的关键性能指标(keyperformanceindicator，KPI)不能打折扣。对于这些架构，多个LB阵列和HB阵列的共存是一个关键的技术点。众所周知，当尝试减少整体几何天线的尺寸(紧凑型设计)并保持RFKPI时，这就变得更具挑战性。在许多其它技术设计策略中，关键点之一是LB和HB阵列的辐射元件的设计。理想情况下，它们应该彼此电气不可见。从这个角度来看，辐射元件的物理尺寸是主要因素之一。WO2008/017386A1描本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种辐射元件，包括：/n支撑结构，/n布置在所述支撑结构上的第一偶极子，以及/n布置在所述支撑结构上的至少一个第一电闭合环，/n其中，所述第一电闭合环围绕所述第一偶极子并且与所述第一偶极子电隔离。/n

【技术特征摘要】
20151116 EP 15194746.21.一种辐射元件，包括：
支撑结构，
布置在所述支撑结构上的第一偶极子，以及
布置在所述支撑结构上的至少一个第一电闭合环，
其中，所述第一电闭合环围绕所述第一偶极子并且与所述第一偶极子电隔离。


2.根据权利要求1所述的辐射元件，其中，所述第一偶极子的谐振频率高于所述辐射元件的工作带宽的中心频率。


3.根据权利要求1或者2所述的方法，其中所述第一电闭合环是浮置的。


4.根据权利要求2所述的辐射元件，其中，所述第一偶极子的所述谐振频率高于所述辐射元件的所述工作带宽的上限。


5.根据权利要求1至4任一项所述的辐射元件，其中，所述第一偶极子被布置在第一水平层，并且所述第一电闭合环被布置在第二水平层，其中，所述第一水平层和所述第二水平层之间的垂直距离小于所述第一偶极子的电长度的5％。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的辐射元件，其中，所述支撑结构包括印刷电路板PCB，其中，所述第一偶极子在所述PCB的一个面上形成，并且所述至少一个第一电闭合环在所述PCB的所述面、所述PCB的相对面或所述PCB的中间层上形成，或者，所述第一偶极子在所述PCB的中间层形成并且所述第一电闭合环在所述PCB的顶面或底面上形成。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的辐射元件，还包括布置在所述支撑结构上的第二电闭合环，其中，所述第二电闭合环围绕所述第一偶极子并且与所述第一偶极子电隔离。


8.根据权利要求7所述的辐射元件，其中，所述第二电闭合环布置在第三水平层，所述第三水平层到布置所述第一偶极子的第一层的垂直距离不超过所述第一偶极子的总长度的5％。


9.根据权利要求7或8所述的辐射元件，其中，所述支撑结构是印刷电路板PCB，所述第一电闭合环在所述PCB的顶面形成，并且所述第二电闭合环在所述PCB底面形成。


10.根据权利要求1至9中任一项所述的辐射元件，其中，所述辐射元件被配置为安装在反射器上，并且所述辐射元件还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：布鲁诺·比斯孔蒂尼，胡安·司伽德尔·阿尔瓦雷斯，罗伯托·弗拉米尼，文森特·玛乐派尔，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44