双阳离子结构红光准二维钙钛矿发光二极管制造技术

本发明专利技术涉及一种双阳离子结构红光准二维钙钛矿发光二极管，其结构中的钙钛矿发光层通过下述方法制备：将各材料按摩尔比为PEAI:MAI:CsI:PbI

【技术实现步骤摘要】
双阳离子结构红光准二维钙钛矿发光二极管
本专利技术属于钙钛矿发光二极管器件
，具体涉及一种基于Ba2+掺杂的双阳离子结构红光准二维钙钛矿发光二极管。
技术介绍
卤化物钙钛矿由于它的带隙大小可调节、高的色纯度和低成本易实现的溶液处理特性，成为了发光二极管LED领域中一种很有潜力的发光材料。根据钙钛矿材料的维度，用于钙钛矿发光二极管(PeLEDs)的钙钛矿主要分为三维钙钛矿、纯二维钙钛矿、准二维钙钛矿等。三维钙钛矿(比如MAPbI3)成的薄膜通常具有缺陷或针孔引起的各种非辐射复合通道，严重限制了器件性能。而与三维钙钛矿相比，二维钙钛矿(类似(PEA)2PbI4)更容易形成均匀的膜，表面覆盖度高。但是，二维钙钛矿中较强的激子/声子相互作用加速了激子在室温大气环境下的淬灭，从而导致器件性能变差。而准二维钙钛矿既有三维钙钛矿的高PLQY(光致发光量子产率)又有二维钙钛矿成膜平整的优点。根据目前公认解释，准二维钙钛矿膜通常被认为是由不同带隙的钙钛矿量子阱(QWs)自组装而成的混合物，所以可以认为其是多量子阱(MQW)结构。钙钛矿QWs的带隙由金属卤化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双阳离子结构红光准二维钙钛矿发光二极管，其结构自上而下依次为：金属阴极、电子注入层、电子传输层、钙钛矿发光层、空穴传输层、空穴注入层、透明导电阳极、透明衬底；其特征在于所述钙钛矿发光层通过下述方法制备：/n将各材料按摩尔比为PEAI:MAI:CsI:PbI

【技术特征摘要】
1.一种双阳离子结构红光准二维钙钛矿发光二极管，其结构自上而下依次为：金属阴极、电子注入层、电子传输层、钙钛矿发光层、空穴传输层、空穴注入层、透明导电阳极、透明衬底；其特征在于所述钙钛矿发光层通过下述方法制备：
将各材料按摩尔比为PEAI:MAI:CsI:PbI2:BaCl2＝0.14～0.16:0.10～0.13:0.09～0.11:0.17～0.19:0.005～0.015共溶于DMSO溶剂当中，得到Pb2+摩尔浓度为0.17～0.19mmol/ml的前驱液；配置PEO溶液；将前驱液和PEO溶液分别在50℃～60℃、180rpm～200rpm转速条件下搅拌30min～60min，取与前驱液等体积的PEO溶液加入前驱液，继续在50℃～60℃和180rpm～200rpm转速条件下搅拌至少1小时，然后用有机滤头过滤；将过滤后的混合液旋涂在空穴传输层表面，旋涂条件为800rpm～1000rpm低速旋转5s～10s、5500rpm～6500rpm高速旋转60s～120s；在高速旋转25s～30s时滴加180μL～200μL氯苯反溶剂，最后在70℃～80℃条件下退火5min～7min。


2.根据权利要求1所述的双阳离子结构红光准二维钙钛矿发光二极管，其特征在于所述的前驱液中各材料摩尔比为PEAI:MAI:CsI:PbI2:BaCl2＝0.15:0.10～0.13:0.10:0.18:0.005～0.015；退火条件为80℃条件下退火5min。


3.根据权利要求1所述的双阳离子结构红光准二维钙钛矿发光二极管，其特征在于所述的前驱液中各材料摩尔比为PEAI:MAI:CsI:PbI2:BaCl2＝0.15:0.13:0.10:0.18:0.0...

【专利技术属性】
技术研发人员：康博南，庞裕，张子召，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：吉林;22