【技术实现步骤摘要】
一种紫外LED器件及其制备方法
本专利技术涉及LED
，具体涉及到一种紫外LED器件及其制备方法。
技术介绍
紫外光广泛应用于固化、光触媒，美甲、诱蚊等领域，紫外LED器件存在能耗低，寿命长等有点，目前正逐步替代传统的汞灯。但随着紫外LED波长的降低，其发光效率会越来越低，而且降低的光效说明了更多的输入转换成热能，对其实际应用造成重要的影响。而目前提升紫外LED光效目前最核心的方法外延或者芯片上进行设计，但针对外延或者芯片上进行设计的技术难度大，暂时比较难解决。而光效低是因紫外光在内部的吸收从而导致紫外LED器件内部的热量增加，目前只能在现有应用基础上增加散热或者在LED支架表面设置反射层来解决，这种方式会提升紫外LED器件的成本。
技术实现思路
为了克服现有紫外LED器件所存在散热性能不高和成本高等缺陷，本专利技术实施例提供了一种紫外LED器件及其制备方法，通过纳米颗粒混合在胶体中成型封装层，可以保障在紫外光出光过程中不会被吸收，并同时基于纳米颗粒的散射作用和反射作用提升了紫外光出光的效率。
【技术保护点】
1.一种紫外LED器件，其特征在于，所述紫外LED器件包括LED支架、设置在LED支架上的LED芯片和包覆LED芯片在所述LED支架上的封装层，其中：所述LED支架包括支架本体和设置在支架本体外周的腔体，所述封装层基于所述腔体包覆所述LED芯片在所述支架本体上；所述封装层包括保护层和反射层，所述保护层由封装胶水和纳米颗粒混合成型，所述反射层由封装胶水和纳米颗粒混合成型，所述反射层位于所述LED支架且位于所述LED芯片周围，所述保护层位于所述反射层上且覆盖在所述LED芯片上；所述反射层中纳米颗粒的质量比大于所述保护层中纳米颗粒的质量比，所述纳米颗粒的禁带宽度大于5.0eV。/n
【技术特征摘要】
1.一种紫外LED器件，其特征在于，所述紫外LED器件包括LED支架、设置在LED支架上的LED芯片和包覆LED芯片在所述LED支架上的封装层，其中：所述LED支架包括支架本体和设置在支架本体外周的腔体，所述封装层基于所述腔体包覆所述LED芯片在所述支架本体上；所述封装层包括保护层和反射层，所述保护层由封装胶水和纳米颗粒混合成型，所述反射层由封装胶水和纳米颗粒混合成型，所述反射层位于所述LED支架且位于所述LED芯片周围，所述保护层位于所述反射层上且覆盖在所述LED芯片上；所述反射层中纳米颗粒的质量比大于所述保护层中纳米颗粒的质量比，所述纳米颗粒的禁带宽度大于5.0eV。
2.如权利要求1所述的紫外LED器件，其特征在于，所述纳米颗粒为氮化硼、或者为氮化铝、或者为氧化锆。
3.如权利要求1所述的紫外LED器件，其特征在于，所述保护层中的纳米颗粒占保护层总质量比为0％至1％之间；所述反射层中的纳米颗粒占反射层总质量比为90％至99％之间。
4.如权利要求3所述的紫外LED器件，其特征在于，所述反射层和所述保护层之间还包括由混有纳米颗粒的混合胶水所沉淀成型的过渡层，所述纳米颗粒从所述反射层底部至所述过渡层表面在所述混合胶水中的浓度逐步降低。
5.如权利要求4所述的紫外LED器件，其特征在于，所述反射层和所述过渡层在所述支架本体上的高度不高于所述LED芯片固定在所述支架本体后的LED芯片高度。
6.如权利要求1所述的紫外LED器件，其特征在于，所述纳米颗粒的颗粒大小在100nm-10μm之间。
7.如权利要求1至6任一项所述的紫外LED器件，其特征在于，所述紫外LED器件还包括一石英玻璃，...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁毅凯，章金惠，麦家儿，杨璐，吴灿标，
申请(专利权)人：佛山市国星光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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