一种地层俘获截面曲线校正方法、装置及设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种地层俘获截面曲线校正方法、装置及设备，方法包括：建立地层俘获截面的蒙特卡罗计算模型，根据蒙特卡罗计算模型分析出地层俘获截面获取的影响因素；获取实际井资料以及已有裸井资料中的标志层的俘获截面曲线，根据所述标志层的俘获截面曲线选出实际井中的异常井段，并对异常井段中的影响因素进行校正，其中，所述标志层包括纯泥岩层和纯水层；根据校正后的异常井段数据得到校正后的地层俘获截面曲线。本发明专利技术在蒙特卡罗方法的基础上，采用标志层法对影响因素进行校正，得到了PNN测井的适用条件，在一定程度上能够指导生产实际。

【技术实现步骤摘要】
一种地层俘获截面曲线校正方法、装置及设备
本专利技术涉及PNN测井
，特别涉及一种地层俘获截面曲线校正方法、装置、设备及存储介质。
技术介绍
PNN测井受到多种因素的影响，主要包括管柱结构、套管尺寸、井眼流体、地层孔隙度等，这些因素都会对热中子的衰减造成一定影响，从而加大了地层俘获截面准确提取的难度。为了准确确定地层宏观俘获截面计算的起止道，采用蒙特卡罗模拟方法对以上各影响因素采取单一影响因素模拟，了解热中子衰减谱规律，指导地层宏观俘获截面的提取。通过蒙特卡罗模拟结果分析，发现不同影响因素对PNN测井影响不完全一致，通过分析给出了在不同影响因素下地层宏观俘获截面提取的建议，理论上指导了地层宏观俘获截面的准确提取。由于蒙特卡罗是单一影响因素分析方法，其模拟结果与实际情况不可能完全符合，导致在实际应用时难以解决实际生产。因而现有技术还有待改进和提高。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足之处，本专利技术的目的在于提供一种地层俘获截面曲线校正方法、设备及存储介质，可对实际井中的地层俘获截面曲线的影响因素进行校正，以知本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种地层俘获截面曲线校正方法，其特征在于，包括如下步骤：/n建立地层俘获截面的蒙特卡罗计算模型，根据蒙特卡罗计算模型分析出地层俘获截面获取的影响因素；/n获取实际井资料以及已有裸井资料中的标志层的俘获截面曲线，根据所述标志层的俘获截面曲线选出实际井中的异常井段，并对异常井段中的影响因素进行校正，其中，所述标志层包括纯泥岩层和纯水层；/n根据校正后的异常井段数据得到校正后的地层俘获截面曲线。/n

【技术特征摘要】
1.一种地层俘获截面曲线校正方法，其特征在于，包括如下步骤：
建立地层俘获截面的蒙特卡罗计算模型，根据蒙特卡罗计算模型分析出地层俘获截面获取的影响因素；
获取实际井资料以及已有裸井资料中的标志层的俘获截面曲线，根据所述标志层的俘获截面曲线选出实际井中的异常井段，并对异常井段中的影响因素进行校正，其中，所述标志层包括纯泥岩层和纯水层；
根据校正后的异常井段数据得到校正后的地层俘获截面曲线。


2.根据权利要求1所述的地层俘获截面曲线校正方法，其特征在于，所述蒙特卡罗计算模型为：
Σ＝Σm(1-φ)+ΣwSwφ+Σh(1-Sw)φ，



其中，Σ、Σm、Σw和Σh分别为地层、骨架、孔隙水和烃类的热中子宏观俘获截面，φ为孔隙度，Sw为含水饱和度。


3.根据权利要求2所述的地层俘获截面曲线校正方法，其特征在于，所述建立地层俘获截面的蒙特卡罗计算模型，根据蒙特卡罗计算模型分析出地层俘获截面获取的影响因素的步骤包括：
建立地层俘获截面的蒙特卡罗计算模型；
在不同条件因素下，采用蒙特卡罗计算模型获取地层俘获截面曲线，以分析出所述地层俘获截面获取的影响因素。


4.根据权利要求3所述的地层俘获截面曲线校正方法，其特征在于，所述条件因素包括仪器位置、管柱结构、套管尺寸、井眼水矿化度、地层水矿化度、泥质含量以及孔隙度。


5.根据权利要求4所述的地层俘获截面曲线校正方法，其特征在于，所述获取实际井资料以及已有裸井资料中的标志层的俘获截面曲线，根据所述标志层的俘获截面曲线选出实际井中的异常井段，并对...

【专利技术属性】
技术研发人员：党利霞，邓瑞，
申请(专利权)人：长江大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42