【技术实现步骤摘要】
本专利技术属核辐射监测领域，具体涉及一种。由高气压电离室、静电计作环境γ辐射监测探头具有许多优点，因而使用面较广。然而，由静电计作高气压电离室前置级时，须有MOS场效应管作它的输入级，因MOS场效应管的温度效应不可避免地给辐射监测结果准确性造成影响，特别是对于环境γ连续监测仪，因常年置于温度变化范围在-30-40℃外环境下，这种影响更大。克服温度效应给环境γ连续监测结果带来的影响，已成为环境辐射监测的关键问题。时至今日，解决上述问题通常是在电路上下功夫，辅之对MOS场效应管的严格选择上来实现温度补偿。美国RSS-1012高气压电离室实时剂量仪温度补偿，是采用零温度系数点方法和单管输入。我国高气压电高离室剂量率仪采用双管输入，通过挑选对管，使工作点能在零温度系数点上。上述两种方法，单管输入易实现零温度系数点工作，但其共模抑制能力差，而后者要挑选特性一致、温度系数点也一致的对管十分困难，中选率在10%以下，且挑选过程中还有一定的损失率。显见，现有方法既不经济、又不方便，还难以实现理想的温度效应补偿。本专利技术的任务在于提供一种不作电路改进、只对对管选择进行一定挑...
【技术保护点】
一种环境γ辐射监测探头温度补偿方法，包括用以静电计作为前置级、以ＭＯＳ场效应管作为输入级的高压电离室进行环境γ辐射强度测量，其特征在于测量时对探头采用了以下温度补偿方法：１）采用在同一腔室内带有作为温度传感器的硅二极管的ＭＯＳ场效应管静 电计高压电离室定时进行测量，在静电计获取环境γ辐射强度数据的同时，温度传感器硅二极管获取静电计所在腔室内的温度值，２）将这两种数据同时送到微机系统进行温度补偿处理；ａ. 计算实时温度值Ｔ，ｂ. 计算温度为Ｔ时无补偿的环境γ辐射剂量率 测量值Ｄ↓［０］，ｃ. 根据探头刻度时的刻度室温度Ｔ↓［０］和对不同温度条件下剂...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：叶祖德，陈晓峰，程昶，罗萍，
申请(专利权)人：中国辐射防护研究院，
类型：发明
国别省市：14[中国|山西]
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