辐射探测器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种能够提供高清晰度和高分辨率ＣＴ光图像的多通道阵列辐射探测器。辐射探测器具有在长度方向和宽度方向安排成点阵的半导体光探测元件和与它们一对一地安排的闪烁器元件。该闪烁器元件具有在闪烁器元件的侧表面形成的薄的金属光反射材料层、和由混合了充填在邻接的金属光反射材料层之间的重金属元素粒子的树脂组成的辐射屏蔽层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及适合用于辐射CT装置、特别是X射线CT装置的多 通道阵列辐射探测器，特别涉及该辐射探测器的闪烁器的结构。
技术介绍
辐射CT装置，与用MRI或PET( Positron Emission Tomography (正电子发射层析X射线摄影法))的情形比较，能够在较短时间内 得到层析X射线照片。为了通过进一步扩展其特征以提供高清晰度和 高分辨率图像，已经在逐渐使用具有多通道阵列结构的辐射探测器。 在辐射CT装置中，将多个辐射探测器放置在辐射源的相对于要被拍 摄物体的对面并形成弧形。对于单通道阵列辐射装置，在每个辐射探 测器中，在长度方向或宽度方向安排了 8或16个辐射探测元件。对 于多通道阵列辐射装置，以成点阵的方式，例如，分别在长度方向和 宽度方向上安排了 64和16个辐射探测元件。通过用将辐射探测元件 安排在m条直线上的m个多通道阵列辐射装置代替将辐射探测元件 安排在l条直线上的单通道阵列辐射装置，能够缩短探测时间，并能 够提供高分辨率和高清晰度的层析X射线照片。因为在多通道阵列辐射装置中，对于l个辐射探测器，例如，将 1024个辐射探测元件安排成16列乘64行，所以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种辐射探测器，包括：　　　　具有在平面上安排在长度方向和宽度方向上的多个半导体光探测元件的半导体光探测元件阵列；　　　　安排在半导体光探测元件阵列上的多个闪烁器元件，使每个闪烁器元件的底部固定在多个半导体光探测元件中的每一个上；　　　　涂敷在每个闪烁器元件的与底部对置的顶部上的第１光反射材料层；　　　　覆盖在每个闪烁器元件的侧表面上、由金属层组成的第２光反射材料层；和　　　　由树脂和混合在树脂中的重金属元素的粒子组成的辐射屏蔽材料层，该辐射屏蔽材料层充填在相邻的第２光反射材料层之间，该相邻的第２光反射材料层覆盖在彼此相邻的闪烁器元件的侧表面上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：古市真治，新田英雄，
申请(专利权)人：日立金属株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]