一种高频低阻电解电容及其加工方法技术

本发明专利技术涉及电解电容领域，具体是一种高频低阻电解电容及其加工方法，包括电容本体，电容本体的内部设置有外壳，外壳的顶部设置有正极柱，外壳的顶部设置有负极柱，外壳的内部设置有电容芯，电容芯包括正极膜、隔膜和负极膜，且隔膜位于正极膜和负极膜之间，外壳的顶部开有两个插接孔，正极柱和负极柱的均分别插接在两个插接孔的内部，插接孔的内设置有绝缘圈，且两个绝缘圈分别套接在正极柱和负极柱上，外壳的外壳设置有包装皮。本发明专利技术的有益效果能够保护导电聚合物分散液在电容芯内形成的导电高分子膜，能够提高导电高分子膜的稳定性和导电性，提高电解电容器产品的电性能和使用寿命，提高电解电容使用的安全性。

【技术实现步骤摘要】
一种高频低阻电解电容及其加工方法
本专利技术涉及电解电容领域，具体是一种高频低阻电解电容及其加工方法。
技术介绍
电解电容是电容的一种，金属箔为正极(铝或钽)，与正极紧贴金属的氧化膜(氧化铝或五氧化二钽)是电介质，阴极由导电材料、电解质(电解质可以是液体或固体)和其他材料共同组成，因电解质是阴极的主要部分，电解电容因此而得名。同时电解电容正负不可接错。铝电解电容器可以分为四类：引线型铝电解电容器；牛角型铝电解电容器；螺栓式铝电解电容器；固态铝电解电容器。中国专利号CN108538588A提供一种铝电解电容器的加工方法，包括设计尺寸、裁切、连接导线端子、素子卷绕、素子除尘、素子含浸、组立及封口、清洗及干燥、套胶管及老化等工序。本专利技术的加工方法中增设有除尘装置，可将附着在铝箔上的铝渣及箔灰除掉，提高生产电解电容器产品的良率，防止铝渣及箔灰产生。同时，加工方法中阳极铝箔、阴极铝箔与导线端子的连接方式为铆接后再焊接，可使电解电容器在使用过程中减少热量的散发，且减小电阻值。另外，该加工方法中所采用的电解液为无水电解液，从而可使铝电解电容器适用于高温环境。现有的高频低阻电解电容，导电聚合物分散液在电容芯内不能相对较好的形成导电高分子膜，导致电解电容的稳定性和导电性均相对较差，同时电解电容的使用安全性相对较低缺点，因此亟需研发一种高频低阻电解电容及其加工方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种高频低阻电解电容及其加工方法，以解决上述
技术介绍
中提出的导电聚合物分散液在电容芯内不能相对较好的形成导电高分子膜，导致电解电容的稳定性和导电性均相对较差，同时电解电容的使用安全性相对较低问题。本专利技术的技术方案是：一种高频低阻电解电容，包括电容本体，所述电容本体的内部设置有外壳，所述外壳的顶部设置有正极柱，所述外壳的顶部设置有负极柱，所述外壳的内部设置有电容芯，所述电容芯包括正极膜、隔膜和负极膜，且隔膜位于正极膜和负极膜之间。进一步地，所述外壳的顶部开有两个插接孔，所述正极柱和负极柱的均分别插接在两个插接孔的内部，所述插接孔的内设置有绝缘圈，且两个绝缘圈分别套接在正极柱和负极柱上。进一步地，所述外壳的外壳设置有包装皮，所述电容本体的外部设置有弧形槽。进一步地，所述外壳包括有铝壳，所述铝壳的一侧设置有加强层，所述加强层的一侧设置有防爆层，所述铝壳位于外壳的外壁上。进一步地，所述防爆层的一侧设置有隔离层，所述隔离层的一侧设置有绝缘层，且绝缘层位于外壳的内壁上。一种高频低阻电解电容加工方法，包括以下步骤：S1.绕卷：通过电解电容生产绕卷机进行对正极膜、隔膜和负极膜进行绕卷，使正极膜、隔膜和负极膜形成电容芯；S2.焊接：将正极柱和负极柱均焊接在电容本体的内部，且正极柱和负极柱分别与正极膜和负极膜连通；S3.加电：对正极柱和负极柱进行通电，同时将电容芯放入到化成液内，化成液为己二酸铵系化成液或硼酸系化成液的其中一种或多种，电容芯通电时浸入化成液时间为10-20min；S4.加负压：将化成之后的电容芯放置在真空仓内，启动真空仓，将真空仓内的真空度为60-85kPa的负压，在负压条件下，将化成修复处理后的芯包含浸导电聚合物分散液；S5.第一烘干：将化成修复处理后的电容芯放入包含浸导电聚合物分散液内，之后将放入到烘干箱内进行烘干；S6.处理剂：将烘干之后的电容芯放入到处理剂内进行浸泡；S7.第二烘干：将浸泡处理剂之后的电容芯取出，然后将电容芯放入烘干箱内进行烘干；S8.封装外壳：将电容芯放入到外壳的内部形成电容本体，使用挤压机进行对外壳进行挤压，使其电容本体的外部形成弧形槽；S9.外壳塑封：将包装皮套接在外壳的内部，之后通过塑封机对包装皮吹风塑封在电容本体的外部。进一步地，所述S6中，电容芯浸后处理剂的时间为2-8min，电容芯浸后处理剂的循环次数为2-6次。进一步地，所述S5和S6中，第一烘干的烘干箱温度设置在100-180℃，烘干的时间1-2.5h，第二烘干的烘干箱温度为90-220℃，二次烘干的时间为1-2.5h。进一步地，所述S6中，处理剂为丙三醇、异丙醇、二甲基亚枫、山梨醇和N,N-二甲基甲酰胺中的一种或几种混合体。进一步地，所述S9中，塑封机的温度调试在150-200℃，吹风时间为2-3秒。本专利技术通过改进在此提供一种高频低阻电解电容及其加工方法，与现有技术相比，具有如下改进及优点：(1)采用的处理剂，电容芯浸入处理剂进行处理，能够保护导电聚合物分散液在电容芯内形成的导电高分子膜，能够提高导电高分子膜的稳定性和导电性，提高电解电容器产品的电性能和使用寿命。(2)通过设置的防爆层和隔离层，防爆层能避免电解电容使用时隔膜别击穿反生爆炸时，放置外壳的碎片反生破碎损害周围电子芯片，提高电解电容使用的安全性，隔离层能够对电解电容的电容芯进行隔离保护。(3)通过对电容芯通电处理，第一次烘干时进行对电容芯通电处理，能够在烘干处理的同时对电容芯进行老化，节省对电容芯老化处理的时间，提高电容芯生产效率。(4)通过设置的外壳封装和弧形槽，外壳封装采用机械式封装，不仅能够对电解电容的外壳封装，同时提高外壳封装的工作效率，弧形槽的设置能够提高外壳的整体强度，提高电解电容使用时的稳定性。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步解释:图1是本专利技术的整体立体结构示意图；图2是本专利技术的内部立体结构示意图；图3是本专利技术的局部立体结构示意图；图4是本专利技术的外壳内部结构示意图；图5是本专利技术的加工方法流程图。附图标记说明：1电容本体、2外壳、3正极柱、4负极柱、5包装皮、6弧形槽、7正极膜、8隔膜、9负极膜、10插接孔、11绝缘圈、12铝壳、13加强层、14防爆壳、15隔离层、16绝缘层。具体实施方式下面将结合附图1至图5对本专利技术进行详细说明，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一一种高频低阻电解电容加工方法，包括以下步骤：S1.绕卷：通过电解电容生产绕卷机进行对正极膜7、隔膜8和负极膜9进行绕卷，使正极膜7、隔膜8和负极膜9形成电容芯；S2.焊接：将正极柱3和负极柱4均焊接在电容本体1的内部，且正极柱3和负极柱4分别与正极膜7和负极膜9连通；S3.加电：对正极柱3和负极柱4进行通电，同时将电容芯放入到化成液内，化成液为己二酸铵系化成液或硼酸系化成液的其中一种或多种，电容芯通电时浸入化成液时间为15min；S4.加负压：将化成之后的电容芯放置在真空仓内，启动真空仓，将真空仓内的真空度为75kPa的负压，在负压条件下，将化成修复处理后的芯包含本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高频低阻电解电容，其特征在于：包括电容本体(1)，所述电容本体(1)的内部设置有外壳(2)，所述外壳(2)的顶部设置有正极柱(3)，所述外壳(2)的顶部设置有负极柱(4)，所述外壳(2)的内部设置有电容芯，所述电容芯包括正极膜(7)、隔膜(8)和负极膜(9)，且隔膜(8)位于正极膜(7)和负极膜(9)之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种高频低阻电解电容，其特征在于：包括电容本体(1)，所述电容本体(1)的内部设置有外壳(2)，所述外壳(2)的顶部设置有正极柱(3)，所述外壳(2)的顶部设置有负极柱(4)，所述外壳(2)的内部设置有电容芯，所述电容芯包括正极膜(7)、隔膜(8)和负极膜(9)，且隔膜(8)位于正极膜(7)和负极膜(9)之间。


2.根据权利要求1所述的一种高频低阻电解电容，其特征在于：所述外壳(2)的顶部开有两个插接孔(10)，所述正极柱(3)和负极柱(4)的均分别插接在两个插接孔(10)的内部，所述插接孔(10)的内设置有绝缘圈(11)，且两个绝缘圈(11)分别套接在正极柱(3)和负极柱(4)上。


3.根据权利要求1所述的一种高频低阻电解电容，其特征在于：所述外壳(2)的外壳设置有包装皮(5)，所述电容本体(1)的外部设置有弧形槽(6)。


4.根据权利要求1所述的一种高频低阻电解电容，其特征在于：所述外壳(2)包括有铝壳(12)，所述铝壳(12)的一侧设置有加强层(13)，所述加强层(13)的一侧设置有防爆层(14)，所述铝壳(12)位于外壳(2)的外壁上。


5.根据权利要求4所述的一种高频低阻电解电容，其特征在于：所述防爆层(14)的一侧设置有隔离层(15)，所述隔离层(15)的一侧设置有绝缘层(16)，且绝缘层(16)位于外壳(2)的内壁上。


6.一种高频低阻电解电容加工方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1.绕卷：通过电解电容生产绕卷机进行对正极膜(7)、隔膜(8)和负极膜(9)进行绕卷，使正极膜(7)、隔膜(8)和负极膜(9)形成电容芯；
S2.焊接：将正极柱(3)和负极柱(4)均焊接在电容本体(1)的内部，且正极柱(3)和负极柱(4)分别与正极膜(7)和负极膜(9)连通；
S3.加电：对...

【专利技术属性】
技术研发人员：高昌仁，
申请(专利权)人：肇庆市恒英电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44