显示面板及显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种显示面板及显示装置，所述显示面板包括阵列排布于显示面板内的多个子像素单元，每一子像素单元至少包括主像素电极、次像素电极、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及与第三薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括第一源极、第一漏极和部分位于第一源极与第一漏极之间的第一沟道，通过将第一沟道划分为第一子沟道和第二子沟道，使得与拼接区对应的第一薄膜晶体管的沟道宽度变化量大于第二薄膜晶体管的沟道宽度的变化量，以此减小第二薄膜晶体管与第一薄膜晶体管的阻抗比的变化量，从而减小与拼接区对应的子像素单元中次像素和与非拼接区对应的子像素单元中次像素亮度的差异，改善显示面板亮度不均的问题。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示面板及显示装置。
技术介绍
随着显示技术的发展，对于显示面板中薄膜晶体管的结构尺寸的精确度要求越来越高，尤其在包含主像素和次像素的子像素单元中，需要通过主像素薄膜晶体管对主像素电极进行充电并保持电位，通过次像素薄膜晶体管对次像素电极进行充电，同时通过共享薄膜晶体管下拉电位，保证次像素的电位低于主像素的电位，从而获得良好的穿透率和可视视角。次像素的亮度与次像素的电位成正比，次像素的电位越高，次像素的穿透率就越大，次像素的亮度也就越高。次像素的电位由共享薄膜晶体管与次薄膜晶体管的阻抗比决定，在其他参数不变的前提下，共享薄膜晶体管与次像素薄膜晶体管的阻抗比即为共享薄膜晶体管的沟道宽长比与次薄膜晶体管的沟道宽长比的比值。在次像素薄膜晶体管和共享薄膜晶体管的制作过程中，需要通过曝光、显影、刻蚀等工艺图案化金属层，形成源极、漏极以及位于源极和漏极之间的沟道。目前，在曝光等工艺中常采用例如多镜片拼接结构的Nikon曝光机对光阻进行曝光，如图1所示，图1为曝光机镜片拼接的结构示意图，由于各本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括阵列排布于所述显示面板内的多个子像素单元，每一所述子像素单元至少包括主像素电极、次像素电极、与所述次像素电极连接的第一薄膜晶体管、与所述第一薄膜晶体管连接的第二薄膜晶体管以及与所述主像素电极连接的第三薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一源极、第一漏极和部分位于所述第一源极与所述第一漏极之间的第一沟道，所述第二薄膜晶体管包括第二源极、第二漏极和位于所述第二源极与所述第二漏极之间的第二沟道；/n其中，所述第一沟道包括第一子沟道和第二子沟道，所述第一子沟道位于所述第一源极和所述第一漏极之间，所述第二子沟道位于所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括阵列排布于所述显示面板内的多个子像素单元，每一所述子像素单元至少包括主像素电极、次像素电极、与所述次像素电极连接的第一薄膜晶体管、与所述第一薄膜晶体管连接的第二薄膜晶体管以及与所述主像素电极连接的第三薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一源极、第一漏极和部分位于所述第一源极与所述第一漏极之间的第一沟道，所述第二薄膜晶体管包括第二源极、第二漏极和位于所述第二源极与所述第二漏极之间的第二沟道；
其中，所述第一沟道包括第一子沟道和第二子沟道，所述第一子沟道位于所述第一源极和所述第一漏极之间，所述第二子沟道位于所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管之间。


2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述子像素单元还包括辅助电极，所述辅助电极与所述第一源极连接，所述第二源极与所述第一漏极连接，所述第二子沟道位于所述辅助电极与所述第二源极之间。


3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第三薄膜晶体管包括第三源极、第三漏极和位于所述第三源极与所述第三漏极之间的第三沟道，所述第一子沟道与所述第三沟道均为U型沟道，且所述第一子沟道与所述第三沟道的开口方向相反。

【专利技术属性】
技术研发人员：卢景怡，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44