【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】可无级调节的饱和电抗器
本专利技术涉及一种根据权利要求1的前序部分的设备。
技术介绍
这种设备由EP3168708A1已经已知。在那里公开了所谓的“全可变式并联电抗器”(FullVariableShuntReactor，FVSR)，其示出了“磁控式并联电抗器”(MagneticallyControlledShuntReactor，MCSR)的进一步改进。之前已知的设备具有两个相互并联连接的高压绕组，高压绕组分别包围闭合的铁芯的芯柱，并且在其高压端部上连接至高压电网的相导体。高压绕组的低压侧借助晶体管开关可以要么与适宜地极化的晶闸管换流器连接，要么直接与地接头连接。晶闸管换流器被设计用于在与其连接的高压绕组中产生直流电流。在此，调节直流电流，使得将被绕组包围的芯柱驱动到期望的饱和状态。在饱和状态中，芯材料例如具有非常小的磁导率，由此，绕组的磁阻增大，并且其电感减小。所提到的芯区段的饱和与极化有关，从而流过绕组的交流电流根据其极化基本上仅流过两个高压绕组中的一个。因此，正的交流电流例如流过第一高压绕组，而负的交流电流经由第二高压...
【技术保护点】
1.一种用于具有至少一个相导体(16，18，19)的高压电网(17)中的无功功率补偿的设备(1)，所述设备具有至少一个高压接头(8)，所述高压接头被设计用于与相导体(16)连接，其中，针对每个高压接头(8)设置/n-第一和第二芯区段(3，4)，其是闭合的磁路的一部分，/n-第一高压绕组(5)，其包围第一芯区段(3)，和/n-第二高压绕组(6)，其包围第二芯区段(4)并且与第一高压绕组(15)并联连接，/n-至少一个饱和开关分支(10，11)，其被设计用于使芯区段(3，4)饱和，并且具有可控制的功率半导体开关(20，21，22，23)，和/n-控制单元(26)，用于控制功率半...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于具有至少一个相导体(16，18，19)的高压电网(17)中的无功功率补偿的设备(1)，所述设备具有至少一个高压接头(8)，所述高压接头被设计用于与相导体(16)连接，其中，针对每个高压接头(8)设置
-第一和第二芯区段(3，4)，其是闭合的磁路的一部分，
-第一高压绕组(5)，其包围第一芯区段(3)，和
-第二高压绕组(6)，其包围第二芯区段(4)并且与第一高压绕组(15)并联连接，
-至少一个饱和开关分支(10，11)，其被设计用于使芯区段(3，4)饱和，并且具有可控制的功率半导体开关(20，21，22，23)，和
-控制单元(26)，用于控制功率半导体开关(20，21，22，23)，
其中，第一和第二高压绕组(5，6)利用其高压端部(7)与配属的高压接头(8)连接，并且在其低压侧(9)能够与一个或所述饱和开关分支(10，11)连接，
其特征在于，每个饱和开关分支(10，11)具有至少一个双极的子模块(12)，所述子模块具有桥电路，所述桥电路具有功率半导体开关(20，21，22，23)和直流电压源(24)，从而根据对功率半导体开关(20，21，22，23)的控制，所述直流电压源(24)要么能够与至少一个高压绕组(5，6)串联连接，要么能够桥接。
2.根据权利要求1所述的设备(1)，其特征在于，每个饱和开关分支(10，11)在其背向配属的高压绕组(5，6)的侧上能够与地接头(15)连接。
3.根据前述权利要求中任一项所述的设备(1)，其特征在于，每个子模块(2)形成全桥电路，所述全桥电路具有分别与直流电压源(24)并联连接的第一串联电路分支(33)和第二串联电路分支(34)，每个串联电路分支(33，34)具有由两个功率半导体开关(20，21，22，23)构成的串联电路，其中，第一串联电路分支(33)的功率半导体开关(20，21)之间的电势点与子模块(12)的第一连接端子(13)连接，并且第二串联电路分支(34)的功率半导体开关(22，23)之间的电势点与子模块(12)的第二连接端子(14)连接。
4.根据前述权利要求中任一项所述的设备(1)，其特征在于，每个功率半导体开关(20，21，2...
【专利技术属性】
技术研发人员：M库斯特尔曼，T曼特，A布宁，M施温德纳，
申请(专利权)人：西门子股份公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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