一种连续可控磁畴壁移动和钉扎的器件和方法技术

本发明专利技术公开了一种连续可控磁畴壁移动和钉扎的器件和方法，包括：压电层，由铁电材料制成，厚度为纳米级或微米级；底电极层，设置在压电层下，连接外部电源；磁性层，包括磁性纳米薄膜，紧贴在压电层上；顶电极，以栅极排列方式设置在磁性纳米薄膜两侧，连接外部电源，其中顶电极与磁性纳米薄膜之间保留一定间距。本发明专利技术的实质性效果包括：通过底电极层和顶电极对压电层施加电压，压电层产生的形变传递至磁性层，影响电极区域内磁性层的磁各向异性，进而控制其中磁畴壁的移动和钉扎，有利于提高赛道存储移动和钉扎磁畴壁的精准性，提高赛道存储的可靠性和稳定性的同时降低能量损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种连续可控磁畴壁移动和钉扎的器件和方法
本专利技术涉及自旋电子学
，特别涉及一种连续可控磁畴壁移动和钉扎的器件和方法。
技术介绍
赛道存储器作为一种新型的非易失性自旋信息存储器件，对于构筑未来立体存储框架具有很高的应用潜力。如授权公告号CN102124526B的专利技术公开了一种磁赛道存储器装置。赛道存储器通过磁畴的形式在磁性纳米条带上存储多位信息，多位信息之间通过磁畴壁进行区分，从而达到高密度存储的目的，同时也可实现快速的信息读写。赛道存储器的纳米条带下面有一个与之垂直的电极作为数据的写线。当给电极注入脉冲电流，电流产生的奥斯特场可以改变与之相邻的纳米条带的磁化方向，这样可以实现数据的写入或修改。之后通过电流产生的自旋转移力矩效应驱动所有畴壁同步进行移动。但现有技术中驱动赛道存储器中磁畴壁移动需要布置金属带线产生奥斯特磁场，导致存储单元体积增加，存储器件功耗增加；注入自旋极化电流导致磁畴壁无法准确钉扎在数据访问端口，导致读取数据存在不确定性。
技术实现思路
针对现有技术中磁畴壁无法准确钉扎在数据访问端口，导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种连续可控磁畴壁移动和钉扎的器件，其特征在于，包括：/n压电层，由铁电材料制成，厚度为纳米级或微米级；/n底电极层，设置在压电层下，连接外部电源；/n磁性层，包括磁性纳米薄膜，紧贴在压电层上；/n顶电极，以栅极排列方式设置在磁性纳米薄膜两侧，连接外部电源，其中顶电极与磁性纳米薄膜之间保留一定间距。/n

【技术特征摘要】
1.一种连续可控磁畴壁移动和钉扎的器件，其特征在于，包括：
压电层，由铁电材料制成，厚度为纳米级或微米级；
底电极层，设置在压电层下，连接外部电源；
磁性层，包括磁性纳米薄膜，紧贴在压电层上；
顶电极，以栅极排列方式设置在磁性纳米薄膜两侧，连接外部电源，其中顶电极与磁性纳米薄膜之间保留一定间距。


2.根据权利要求1所述的一种连续可控磁畴壁移动和钉扎的器件，其特征在于，所述顶电极与磁性纳米薄膜之间的距离为磁性纳米薄膜宽度的1/4~1/5。


3.根据权利要求1所述的一种连续可控磁畴壁移动和钉扎的器件，其特征在于，磁性纳米薄膜同一侧的顶电极间的距离为20nm~60nm。


4.一种连续可控磁畴壁移动...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨浛，施胜宾，周浩淼，邱阳，朱明敏，郁国良，
申请(专利权)人：中国计量大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33