像素驱动电路、显示面板及其驱动方法技术

本发明专利技术提供一种像素驱动电路、显示面板及其驱动方法，所述像素驱动电路包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、存储电容Cst、低帧频补偿电容单元以及有机发光元件OLED。本发明专利技术的通过增加低帧频补偿电容单元，优化了像素驱动电路中电容结构，相同功能电容分为两个部分，实现了同时兼顾高帧频模式或低帧频模式，可以保证在较低的刷新频率下电压的稳定，同时确保在高帧频驱动时增加了电容值总量，确保在短时间内电压的准确写入。

【技术实现步骤摘要】
像素驱动电路、显示面板及其驱动方法
本申请涉及显示
，尤其涉及一种像素驱动电路、显示面板及其驱动方法。
技术介绍
随着多条有机发光二极管产线建成和投产，以及良率的提升，有机发光二极管显示面板在手机上的使用比例大幅提升，同时由于其优秀的显示特性，也在智能穿戴等产品中使用。但智能穿戴等产品为了让用户有更好的使用体验，会设置更多的应用场景，如手机及手表为适应不同的应用场景，需要进行高帧频或低帧频(Framerate)驱动，而在高帧频驱动时需要的存储电容小，在低帧频时需要的存储电容大。如图1所示，为现有的一种有机发光二极管显示面板的像素驱动电路，其中的存储电容Cst的存储电容小，为固定容值的存储电容，无法同时兼顾高帧频或低帧频驱动。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种像素驱动电路、显示面板及其驱动方法以解决现有技术存在阈值电压为负电压时，发光二极管的发光亮度迅速降低，发光二极管的电流迅速降低，以及数据信号损失严重的技术问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种像素驱动电路，包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、存储电容Cst、低帧频补偿电容单元以及有机发光元件OLED；具体的，所述第一晶体管T1的栅极连接第一节点G，所述第一晶体管T1的源极接入连接所述第二节点N，所述第二节点接入电源电压VDD，所述第一晶体管T1的漏极连接第三节点S；所述第二晶体管T2的栅极与接入第一扫描信号Scan[n]，所述第二晶体管T2的源极接入数据信号Data，所述第二晶体管T2的漏极连接所述第二节点N；所述存储电容Cst的一端连接所述电源电压VDD，另一端连接所述第一节点G；所述低帧频补偿电容单元与所述存储电容Cst并联连接，其一端连接所述电源电压VDD，另一端连接所述第一节点G；所述有机发光元件OLED的阳极连接所述第三节点S，其阴极连接负向电压VSS。进一步地，所述低帧频补偿电容单元包括串联连接的补偿电容Cb和低帧频开启晶体管Tb。进一步地，所述低帧频开启晶体管Tb为N型或P型晶体管；所述低帧频开启晶体管Tb中有源层的材料包括非晶硅材料或金属氧化物材料，所述金属氧化物材料包括IGZO、IZTO或IGZTO。进一步地，所述低帧频开启晶体管Tb的栅极与接入一控制信号Cb_EN，所述低帧频开启晶体管Tb的源极接入所述电源电压VDD，所述低帧频开启晶体管Tb的漏极连接所述第一节点G；当所述像素驱动电路为低帧频模式时，所述控制信号Cb_EN控制所述低帧频开启晶体管Tb开启；当所述像素驱动电路为高帧频模式时，所述控制信号Cb_EN控制所述低帧频开启晶体管Tb关闭。进一步地，所述的像素驱动电路还包括第三晶体管T3，所述第三晶体管T3的栅极接入发光信号EM[n]，所述第三晶体管T3的源极接入所述电源电压，所述第三晶体管T3的漏极连接所述第二节点N。进一步地，所述像素驱动电路还包括第四晶体管T4，所述第四晶体管T4的栅极接入所述第一扫描信号Scan[n]，所述第四晶体管T4的源极连接所述第一节点G，所述第四晶体管T4的漏极连接所述第三节点S。进一步地，所述像素驱动电路还包括第五晶体管T5，所述第五晶体管T5的栅极接入第二扫描信号Scan[n-1]，所述第五晶体管T5的源极连接所述第一节点G，所述第五晶体管T5的漏极接入复位电压VI。进一步地，所述像素驱动电路还包括第六晶体管T6，所述第六晶体管T6的栅极与接入发光信号EM[n]，所述第六晶体管T6的源极连接所述第三节点S，所述第六晶体管T6的漏极连接所述有机发光元件OLED的阳极。本专利技术还提供一种显示面板，其包括上述驱动电路。本专利技术还提供一种所述显示面板的驱动方法，其包括如下步骤：显示面板应用切换步骤，用于点亮屏幕或切换应用软件的显示画面；应用帧频检测步骤，用于检测所述显示面板当前应用软件的帧频；应用帧频判断步骤，当驱动系统检测显示端应用软件需低帧频(小于等于60Hz)驱动时，系统端会切换低帧频模式并输出切换信号到显示面板；当驱动系统检测显示端应用软件需高帧频(大于60Hz)驱动时，系统端会切换高帧频模式并输出切换信号到显示面板；以及低帧频开启晶体管控制步骤，在低帧频模式时，所述控制信号Cb_EN控制所述低帧频开启晶体管Tb开启，所述补偿电容Cb和所述存储电容Cst并联使用；在高帧频模式时，所述控制信号Cb_EN控制所述低帧频开启晶体管Tb关闭，所述存储电容Cst单独使用。本专利技术的技术效果在于，提供一种像素驱动电路、显示面板及其驱动方法，通过增加低帧频补偿电容单元，优化了像素驱动电路中电容结构，相同功能电容分为两个部分，实现了同时兼顾高帧频模式或低帧频模式，可以保证在较低的刷新频率下电压的稳定，同时确保在高帧频驱动时增加了电容值总量，确保在短时间内电压的准确写入。附图说明下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为现有的一种有机发光二极管显示面板的像素驱动电路；图2为本专利技术实施例1中一种像素驱动电路的结构示意图；图3为所述像素驱动电路的充电原理图；图4为所述像素驱动电路的电压保持原理图；图5为本专利技术实施例2中一种像素驱动电路的结构示意图；图6为本专利技术实施例3中一种像素驱动电路的结构示意图；图7为本专利技术实施例3中一种显示面板的驱动方法的流程图；图8为本专利技术中所述显示面板应用图7所示驱动方法的使用流程图。其中，附图中的标识如下：T1、第一晶体管，T2、第二晶体管，T3、第三晶体管，T4、第四晶体管，T5、第五晶体管，T6、第六晶体管，Cst、存储电容，Cb、补偿电容，Tb、低帧频开启晶体管，OLED、有机发光元件。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在本申请实施例的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本申请的描述中，需要本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括：/n第一晶体管，所述第一晶体管的栅极连接第一节点，所述第一晶体管的源极连接第二节点，所述第二节点接入电源电压，所述第一晶体管的漏极连接第三节点；/n第二晶体管，所述第二晶体管的栅极与接入第一扫描信号，所述第二晶体管的源极接入数据信号，所述第二晶体管的漏极连接所述第二节点；/n存储电容，其一端连接所述电源电压，另一端连接所述第一节点；/n低帧频补偿电容单元，与所述存储电容并联连接，其一端连接所述电源电压，另一端连接所述第一节点；以及/n有机发光元件，其阳极连接所述第三节点，其阴极连接负向电压。/n

【技术特征摘要】
1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括：
第一晶体管，所述第一晶体管的栅极连接第一节点，所述第一晶体管的源极连接第二节点，所述第二节点接入电源电压，所述第一晶体管的漏极连接第三节点；
第二晶体管，所述第二晶体管的栅极与接入第一扫描信号，所述第二晶体管的源极接入数据信号，所述第二晶体管的漏极连接所述第二节点；
存储电容，其一端连接所述电源电压，另一端连接所述第一节点；
低帧频补偿电容单元，与所述存储电容并联连接，其一端连接所述电源电压，另一端连接所述第一节点；以及
有机发光元件，其阳极连接所述第三节点，其阴极连接负向电压。


2.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述低帧频补偿电容单元包括串联连接的补偿电容和低帧频开启晶体管。


3.如权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，所述低帧频开启晶体管为N型或P型晶体管；所述低帧频开启晶体管中有源层的材料包括非晶硅材料或金属氧化物材料，所述金属氧化物材料包括IGZO、IZTO或IGZTO。


4.如权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，所述低帧频开启晶体管的栅极与接入一控制信号，所述低帧频开启晶体管的源极接入所述电源电压，所述低帧频开启晶体管的漏极连接所述第一节点；当所述像素驱动电路为低帧频模式时，所述控制信号控制所述低帧频开启晶体管开启；当所述像素驱动电路为高帧频模式时，所述控制信号控制所述低帧频开启晶体管关闭。


5.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，还包括：
第三晶体管，所述第三晶体管的栅极接入发光信号，所述第三晶体管的源极接入所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：靳增建，戴其兵，张富智，郑武，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42