半导体工艺设备的排气装置及半导体工艺设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体工艺设备的排气装置及半导体工艺设备，排气装置中排气接管用于与工艺腔室的排气口连接引流出工艺腔室内气体；排气管路与排气接管连接用于排出排气接管中气体，排气管路的内部通道与排气接管的内部通道共同形成排出气体的排气通道；排气管路和排气接管中一个的外周壁上设置凸起部，另一个的外周壁上设置配合部，凸起部与配合部对接形成叠置的两个对接面之间设置环形密封圈；环形密封圈与排气通道之间设置用于阻隔流经排气通道的气体向环形密封圈传导热量的隔热结构。本发明专利技术提供的半导体工艺设备的排气装置及半导体工艺设备能够提高环形密封圈的使用寿命及使用可靠性，从而提高半导体工艺设备的安全性及半导体工艺的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备的排气装置及半导体工艺设备
本专利技术涉及半导体设备
，具体地，涉及一种半导体工艺设备的排气装置及半导体工艺设备。
技术介绍
目前，半导体工艺中半导体工艺腔室内的气体，通常是通过与半导体工艺腔室的排气口连接的排气管路排出，在半导体工艺腔室的排气口和排气管路之间通常会设置有用于密封O型密封圈，对半导体工艺腔室的排气口和排气管路之间进行密封，不仅能够使半导体工艺过程中半导体工艺腔室内的压力能够得到较好的控制，以能够满足半导体工艺的需求，并使半导体工艺具有较好的稳定性，还可以避免例如氯化氢(HCL)和氢气(H2)等工艺气体泄漏造成安全隐患。但是，由于某些半导体工艺的工艺温度较高，能够达到1200℃以上，像这样的高温的半导体工艺所产生的工艺气体也具有较高温度，而高温的工艺气体在经过半导体工艺腔室的排气口排入至排气管路时，会很容易就造成O型密封圈的寿命降低，甚至损坏，这就使得O型密封圈的使用可靠性降低，从而导致半导体设备的安全性降低，导致半导体工艺的稳定性降低。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体工艺设备的排气装置及半导体工艺设备，其能够提高环形密封圈的使用寿命，提高环形密封圈的使用可靠性，从而提高半导体工艺设备的安全性，提高半导体工艺的稳定性。为实现本专利技术的目的而提供一种半导体工艺设备的排气装置，所述排气装置包括排气接管、排气管路、连接结构和隔热结构，其中，所述排气接管用于与所述半导体工艺设备的工艺腔室的排气口连接以引流出所述工艺腔室内的气体；所述排气管路与所述排气接管连接，用于将所述排气接管中的所述气体排出，所述排气管路的内部通道与所述排气接管的内部通道共同形成供所述气体排出的排气通道；所述连接结构包括凸起部、配合部和环形密封圈，所述凸起部设置在所述排气管路和所述排气接管二者中的一个的外周壁上，所述配合部设置在所述排气管路和所述排气接管二者中的另一个的外周壁上，且所述凸起部与所述配合部对接形成叠置的两个对接面，所述环形密封圈设置在两个所述对接面之间；所述隔热结构设置在所述环形密封圈与所述排气通道之间，用于对流经所述排气通道的所述气体向所述环形密封圈传导的热量进行阻隔。优选的，所述隔热结构包括环形空腔，所述环形空腔设置在所述凸起部和所述配合部中的至少一个中，且所述环形空腔相对于所述环形密封圈靠近所述排气通道。优选的，所述环形空腔包括设置在所述凸起部和所述配合部中的至少一个中的环形凹槽，且所述环形凹槽的槽口与两个所述对接面之间连通。优选的，所述排气装置还包括充气管路，所述充气管路与所述环形空腔连通，用于向所述环形空腔中，以及两个所述对接面之间输送惰性气体。优选的，所述排气装置还包括压力控制组件，所述压力控制组件用于控制所述充气管路向所述环形空腔中，以及两个所述对接面之间输送的所述惰性气体的压力，大于所述排气通道中的压力。优选的，所述压力控制组件包括第一压力检测单元、第二压力检测单元和流量控制单元，其中，所述第一压力检测单元设置在所述充气管路上，用于检测所述充气管路向所述环形空腔中，以及两个所述对接面之间输送的所述惰性气体的压力，所述第二压力检测单元与所述排气通道连通，用于检测所述排气通道中的压力；所述流量控制单元设置在所述充气管路上，用于通过控制流经所述充气管路的所述惰性气体的流量，以控制所述充气管路向所述环形空腔中，以及两个所述对接面之间输送的所述惰性气体的压力。优选的，所述压力控制组件还包括控制单元，所述控制单元分别与所述第一压力检测单元、所述第二压力检测单元和所述流量控制单元通信连接，用于获取所述第一压力检测单元检测到的第一压力值，和所述第二压力检测单元检测到的第二压力值，并计算所述第一压力值与所述第二压力值之间的压力差值，并根据所述压力差值控制所述流量控制单元对流经所述充气管路的所述惰性气体的流量进行控制。优选的，所述连接结构还包括连接部和相对设置的两个夹持部，其中一个所述夹持部与所述凸起部背离其所述对接面的一侧面相贴合，另一个所述夹持部与所述配合部背离其所述对接面的一侧面相贴合，所述连接部与两个所述夹持部连接，用于夹紧两个所述夹持部，以对所述凸起部和所述配合部进行夹持。优选的，所述排气装置还包括流量控制部件，所述流量控制部件与所述排气管路连接，用于控制经所述排气管路排出的所述气体的流量。优选的，所述排气装置还包括冷却部件，所述冷却部件的进气端与所述排气管路连接，所述冷却部件的排气端与所述流量控制部件连接，用于对经所述排气管路排出的所述气体进行冷却，并将冷却后的所述气体输送至所述流量控制部件。本专利技术还提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室和如本专利技术提供的所述排气装置，所述排气装置与所述工艺腔室的排气口连接，用于排出所述工艺腔室内的气体。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的半导体工艺设备的排气装置，通过在排气管路和排气接管二者中的一个的外周壁上设置凸起部，在排气管路和排气接管二者中的另一个的外周壁上设置配合部，并使凸起部与配合部对接形成叠置的两个对接面，由于凸起部和配合部相对于排气接管的外周壁和排气管路的外周壁远离排气通道，因此，通过将环形密封圈设置在两个对接面之间，可以使环形密封圈远离排气通道，增加环形密封圈与排气通道之间的距离，以降低流经排气通道中的气体向环形密封圈传导的热量。并且，通过在环形密封圈与排气通道之间设置隔热结构，以借助隔热结构对流经排气通道的气体向环形密封圈传导的热量进行阻隔，以降低流经排气通道中的气体向环形密封圈传导的热量，从而降低环形密封圈由于受热而导致损坏的概率，以能够提高环形密封圈的使用寿命，提高环形密封圈的使用可靠性，进而降低气体泄漏的概率，以提高半导体工艺设备的安全性，提高半导体工艺的稳定性。本专利技术提供的半导体工艺设备，借助本专利技术提供的半导体工艺设备的排气装置，以能够提高环形密封圈的使用寿命，提高环形密封圈的使用可靠性，从而提高半导体工艺设备的安全性，提高半导体工艺的稳定性。附图说明图1为本专利技术实施例提供的半导体工艺设备的排气装置的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的半导体工艺设备的排气装置的局部放大结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的半导体工艺设备的排气装置及半导体工艺设备的结构示意图；附图标记说明：10-工艺腔室；11-排气通道；12-排气接管；13-排气管路；14-环形密封圈；15-环形空腔；16-凸起部；17-配合部；181-连接部；182-夹持部；19-充气管路；20-第一压力检测单元；21-第二压力检测单元；22-流量控制单元；23-控制单元；24-流量控制部件；25-冷却部件；26-管路连接部件；27-加热炉体。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图来对本专利技术提供的半导体工艺设备的排气装置及半导体工艺设备进行详细描述。本实施例提供一种半导体工艺设备的排气装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体工艺设备的排气装置，其特征在于，所述排气装置包括排气接管、排气管路、连接结构和隔热结构，其中，/n所述排气接管用于与所述半导体工艺设备的工艺腔室的排气口连接以引流出所述工艺腔室内的气体；/n所述排气管路与所述排气接管连接，用于将所述排气接管中的所述气体排出，所述排气管路的内部通道与所述排气接管的内部通道共同形成供所述气体排出的排气通道；/n所述连接结构包括凸起部、配合部和环形密封圈，所述凸起部设置在所述排气管路和所述排气接管二者中的一个的外周壁上，所述配合部设置在所述排气管路和所述排气接管二者中的另一个的外周壁上，且所述凸起部与所述配合部对接形成叠置的两个对接面，所述环形密封圈设置在两个所述对接面之间；/n所述隔热结构设置在所述环形密封圈与所述排气通道之间，用于对流经所述排气通道的所述气体向所述环形密封圈传导的热量进行阻隔。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备的排气装置，其特征在于，所述排气装置包括排气接管、排气管路、连接结构和隔热结构，其中，
所述排气接管用于与所述半导体工艺设备的工艺腔室的排气口连接以引流出所述工艺腔室内的气体；
所述排气管路与所述排气接管连接，用于将所述排气接管中的所述气体排出，所述排气管路的内部通道与所述排气接管的内部通道共同形成供所述气体排出的排气通道；
所述连接结构包括凸起部、配合部和环形密封圈，所述凸起部设置在所述排气管路和所述排气接管二者中的一个的外周壁上，所述配合部设置在所述排气管路和所述排气接管二者中的另一个的外周壁上，且所述凸起部与所述配合部对接形成叠置的两个对接面，所述环形密封圈设置在两个所述对接面之间；
所述隔热结构设置在所述环形密封圈与所述排气通道之间，用于对流经所述排气通道的所述气体向所述环形密封圈传导的热量进行阻隔。


2.根据权利要求1所述的排气装置，其特征在于，所述隔热结构包括环形空腔，所述环形空腔设置在所述凸起部和所述配合部中的至少一个中，且所述环形空腔相对于所述环形密封圈靠近所述排气通道。


3.根据权利要求2所述的排气装置，其特征在于，所述环形空腔包括设置在所述凸起部和所述配合部中的至少一个中的环形凹槽，且所述环形凹槽的槽口与两个所述对接面之间连通。


4.根据权利要求3所述的排气装置，其特征在于，所述排气装置还包括充气管路，所述充气管路与所述环形空腔连通，用于向所述环形空腔中，以及两个所述对接面之间输送惰性气体。


5.根据权利要求4所述的排气装置，其特征在于，所述排气装置还包括压力控制组件，所述压力控制组件用于控制所述充气管路向所述环形空腔中，以及两个所述对接面之间输送的所述惰性气体的压力，大于所述排气通道中的压力。


6.根据权利要求5所述的排气装置，其特征在于，所述压力控制组件包括第一压力检测单元、第二压力检测单元和流量控制单元，其中，所述第一压力检测单元设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：董金卫，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11