一种铬硅溅射靶材的制备方法技术

本发明专利技术提供一种铬硅溅射靶材的制备方法，所述方法包括以下步骤：(1)将铬粉以及硅粉混合，并将混合粉料加入模具内压实；(2)将所述模具在真空条件下烧结，所述烧结包括第一保温阶段、第二保温阶段以及第三保温阶段；(3)烧结后所述模具在惰性气氛下冷却，得到所述铬硅溅射靶材。所述制备方法得到的铬硅溅射靶材的致密度＞99％的铬硅靶材，满足磁控溅射对靶材纯度和密度要求。

【技术实现步骤摘要】
一种铬硅溅射靶材的制备方法
本专利技术属于合金靶材领域，涉及一种靶材的制备方法，尤其涉及一种铬硅溅射靶材的制备方法。
技术介绍
溅射是制备薄膜材料的主要技术之一，它利用离子源产生的离子，在真空中经过加速聚集，而形成高速度能的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体是制备溅射法沉积薄膜的原材料，一般被称为溅射靶材。铬硅合金靶材是一种新型的合金靶材，作为一种真空溅镀的良好导体，可以用于电子栅门材料及电子薄膜领域。为了使铬硅合金溅射靶材在进行真空溅镀时发挥良好的性能，要求铬硅溅射合金靶材具有较高的致密度，靶材完整无气孔、疏松等内部缺陷且内部组织结构较为均匀。近年国内对高纯度铬硅靶材的需求量大幅增长，目前国内生产的铬硅靶材密度低，无法满足高端电子行业对于靶材质量的要求，仅仅部分用于低端产品中。目前世界上只有日本、美国等少数发达国家和地区能生产高纯度高密度铬硅靶材，研制开发铬硅靶材生产技术是打破国外垄断，降低微电子行业成本的有力手段。CN104227000A公开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铬硅溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/n(1)将铬粉以及硅粉混合，并将混合粉料加入模具内压实；/n(2)将所述模具在真空条件下烧结，所述烧结包括第一保温阶段、第二保温阶段以及第三保温阶段；/n(3)烧结后所述模具在惰性气氛下冷却，得到所述铬硅溅射靶材。/n

【技术特征摘要】
1.一种铬硅溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)将铬粉以及硅粉混合，并将混合粉料加入模具内压实；
(2)将所述模具在真空条件下烧结，所述烧结包括第一保温阶段、第二保温阶段以及第三保温阶段；
(3)烧结后所述模具在惰性气氛下冷却，得到所述铬硅溅射靶材。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述铬粉以及硅粉在球磨条件下混合；
优选地，步骤(1)所述球磨的球料比为1:10～12；
优选地，步骤(1)所述混合的时间不低于24h。


3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述铬粉的粒度＜45μm；
优选地，步骤(1)所述硅粉的粒度为3～5μm。


4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述压实后模具中粉体的平面度＜0.5mm。


5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述第一保温阶段的真空度小于40Pa；
优选地，步骤(2)所述第一保温阶段的温度为900～1000℃；
优选地，步骤(2)所述第一保温阶段的升温速率为8～10℃/min；
优选地，步骤(2)所述第一保温阶段的时间为1～2h。


6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述第一保温阶段升温过程中当真空度大于50Pa时，需泄压至40Pa以下。


7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述第二保温阶段的温度为1050～1100℃；
优选地，步骤(2)...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，边逸军，潘杰，王学泽，李苛，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33