【技术实现步骤摘要】
有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法
本专利技术关于在半导体装置制造步骤使用的有机膜形成用材料、使用有该材料的半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及利用多层抗蚀剂法所为的图案形成方法。
技术介绍
以往,半导体装置的高集成化与高速化是利用作为通用技术的使用光曝光的光刻技术(光学光刻)中的光源的短波长化所获致的图案尺寸的微细化来达成的。为了将如此的微细的电路图案形成于半导体装置基板(被加工基板)上,通常会使用将形成有图案的光致抗蚀剂膜作为蚀刻掩膜并利用干蚀刻对被加工基板进行加工的方法。但是,现实上并不存在能于光致抗蚀剂膜与被加工基板之间取得完全的蚀刻选择性的干蚀刻方法,因此近年利用多层抗蚀剂法所为的基板加工普及。此方法是使蚀刻选择性和光致抗蚀剂膜(以下称抗蚀剂上层膜)不同的中间膜插入到抗蚀剂上层膜与被加工基板之间,并于抗蚀剂上层膜获得图案后,将抗蚀剂上层膜图案作为干蚀刻掩膜,利用干蚀刻将图案转印到中间膜,再将中间膜作为干蚀刻掩膜,利用干蚀刻将图案转印到被加工基板的方法。多层抗蚀剂法中的一种为能使用单层抗蚀剂法所使用的一般的抗蚀剂组成物来实施的3层抗蚀剂法。此方法通过于被加工基板上使用由含有机树脂的组成物构成的有机下层膜材料进行涂布、煅烧来形成有机下层膜(以下称有机膜),再通过于其上使用由含有含硅的树脂的组成物构成的抗蚀剂中间膜材料进行涂布、煅烧来形成含硅的膜(以下称硅中间膜),再于其上形成一般的有机系光致抗蚀剂膜(以下称抗蚀剂上层膜)。将该抗蚀剂上层膜图案化后, ...
【技术保护点】
1.一种有机膜形成用材料,其特征为含有:/n(A)聚合物,具有下述通式(1A)表示的重复单元且末端基团为下述通式(1B)及(1C)中的任一者表示的基团,及/n(B)有机溶剂;/n
【技术特征摘要】
20190527 JP 2019-0986361.一种有机膜形成用材料,其特征为含有:
(A)聚合物,具有下述通式(1A)表示的重复单元且末端基团为下述通式(1B)及(1C)中的任一者表示的基团,及
(B)有机溶剂;
式中,W1为4价有机基团,W2为2价有机基团;
式中,R1为下式(1D)表示的基团中的任一者,且也可组合使用2种以上的R1;
2.根据权利要求1所述的有机膜形成用材料,其中,该通式(1A)中的W1为下述通式(1E)表示的基团;
式中,W3为单键或2价有机基团,且式中的苯环上也可具有取代基,苯环上的取代基与W3中的有机基团也可键结并形成环状有机基团。
3.根据权利要求1所述的有机膜形成用材料,其中,该通式(1A)中的W1为下式(1F)表示的基团中的任一者;
上式中的芳香环上也可具有取代基。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机膜形成用材料,其中,该通式(1A)中的W2为下述通式(1G)表示的基团;
式中,W4为单键或2价有机基团,且式中的苯环上也可具有取代基,苯环上的取代基与W4中的有机基团也可键结并形成环状有机基团。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的有机膜形成用材料,其中,该通式(1A)中的W2为下式(1H)表示的基团中的任一者;
上式中的芳香环上也可具有取代基。
6.根据权利要求5所述的有机膜形成用材料,其中,该通式(1A)中的W1为1个以上的该式(1F)表示的基团中的任一者,且该通式(1A)中的W2为1个以上的该式(1H)表示的基团中的任一者。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的有机膜形成用材料,其中,该(A)成分的重均分子量为1000~10000。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的有机膜形成用材料,其中,该(B)成分为1种以上的沸点未达180℃的有机溶剂与1种以上的沸点为180℃以上的有机溶剂的混合物。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的有机膜形成用材料,其中,该有机膜形成用材料更含有(C)酸产生剂、(D)表面活性剂、(E)交联剂、及(F)塑化剂中的1种以上。
10.一种半导体装置制造用基板,其特征为:
于基板上形成有根据权利要求1至9中任一项所述的有机膜形成用材料硬化而成的有机膜。
11.一种有机膜的形成方法,是形成使用于半导体装置的制造步骤的有机膜的方法,其特征为包含:
于被加工基板上旋转涂布根据权利要求1至9中任一项所述的有机膜形成用材料,并对涂布有该有机膜形成用材料的被加工基板,在钝性气体环境下,以50℃以上且600℃以下的温度,于10秒~7200秒的范围施以热处理来获得硬化膜。
12.一种有机膜的形成方法,是形成使用于半导体装置的制造步骤的有机膜的方法,其特征为:
于被加工基板上旋转涂布根据权利要求1至9中任一项所述的有机膜形成用材料,并对涂布有该有机膜形成用材料的被加工基板,在空气中,以50℃以上且250℃以下的温度,于5秒~600秒的范围进行热处理来形成涂布膜,然后在钝性气体环境下,以200℃以上且600℃以下的温度,于10秒~7200秒的范围施以热处理来获得硬化膜。
13.根据权利要求11或12所述的有机膜的形成方法,其中,该钝性气体中的氧浓度为1%以下。
14.根据权利要求11或12...
【专利技术属性】
技术研发人员:郡大佑,泽村昂志,新井田惠介,橘诚一郎,渡边武,荻原勤,
申请(专利权)人:信越化学工业株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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