【技术实现步骤摘要】
一种SnO框架、制备方法及其应用
本专利技术属于半导体纳米材料制备领域,具体涉及到一种光催化SnO框架、制备方法及其应用。
技术介绍
当前社会中存在的环境污染问题已成为社会主要问题之一,而纳米材料在污染治理中扮演着重要角色。然而光催化效果明显的大都是贵金属纳米材料,成本高昂,所以我们迫切需要一种价格低,制备简单,且在日光下对染料降解效果好的材料。事实证明,半导体光催化是一种有效的绿色技术,可用于环境保护和能源管理,也因此半导体光催化技术受到了广泛的关注。传统的半导体,例如TiO2,SnO2和ZnO,由于其低成本,高稳定性和环境友好的特性,作为污染物降解的光催化材料被广泛研究。然而,这些传统的光催化剂由于其宽带隙能而只能被紫外光激发,这极大地限制了它们的实际应用。结果,开发有效的可见光响应性光催化剂已经成为光催化中的热门话题。研究表明,材料的性能和应用在很大程度上取决于材料设计,包括形态,粒度和比表面积。通常,光催化反应与污染物染料在光催化剂表面上的吸附密切相关,因此大的比表面积增加了活性位点并可以增强催化剂的光催化能 ...
【技术保护点】
1.一种SnO框架的制备方法,其特征在于,包括以二氯化锡为锡源,油胺为溶剂,在氨水中,通氮气条件下,采用溶剂热法制备,即得SnO框架;所述的二氯化锡的量为0.04~0.15g,所述的油胺与氨水的体积比为5:(0.5~1)。/n
【技术特征摘要】
1.一种SnO框架的制备方法,其特征在于,包括以二氯化锡为锡源,油胺为溶剂,在氨水中,通氮气条件下,采用溶剂热法制备,即得SnO框架;所述的二氯化锡的量为0.04~0.15g,所述的油胺与氨水的体积比为5:(0.5~1)。
2.根据权利要求1所述的SnO框架的制备方法,其特征在于,反应温度为110℃~130℃。
3.根据权利要求1所述的SnO框架的制备方法,其特征在于,包括将SnCl2、OLA和NH3·H2O混合,在N2环境下进行加热至110℃~130℃,所述的SnCl2的质量为0.02~0.04g,OLA与NH3·H2O的体积比为5:(0.8~1)。
4.根据权利要求1所述的SnO框架的制备方法,其特征在于,包括将SnCl2、OLA和NH3·...
【专利技术属性】
技术研发人员:王英楠,任倩倩,张信平,贾恺,赵武,闫军锋,张志勇,
申请(专利权)人:西北大学,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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