电子级氢氟酸的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种电子级氢氟酸的制备方法，包括以下步骤：S1，将无水氢氟酸输送到缓冲槽中待用；S2，从所述缓冲槽中输送一定量的无水氢氟酸到投料槽中，再通过重力作用使所述无水氢氟酸流经缓冲塔进入到计量槽中准确计量；S3，将所述计量槽中的无水氢氟酸以预定速率流经初级过滤器后进入塔釜；S4，在塔釜中通入50～60℃的热水，采用低温蒸发，得到高纯度无水氢氟酸气体；S5，将所述高纯度无水氢氟酸气体通入纯化塔中，并通入氧化气体与所述高纯度无水氢氟酸气体反应得到超纯无水氢氟酸气体，从所述纯化塔顶部排出，其中所述氧化气体为氟气和氮气的混合物；S6，将所述超纯无水氢氟酸气体经冷凝器冷凝后，进入调配槽中调整浓度。

【技术实现步骤摘要】
电子级氢氟酸的制备方法
本专利技术涉及一种氢氟酸的制备方法，尤其涉及一种电子级氢氟酸的制备方法。
技术介绍
随着半导体芯片制造业和LCD制造业向我国转移，国内电子级氢氟酸的用量将随之猛增，电子级氢氟酸市场无疑将具有广阔的发展前景。电子级氢氟酸具有广泛的应用领域，用于大规模集成电路芯片，太阳能电池，LED和TET-LCD面板制造过程中的蚀刻和清洗，原子能工业化学试剂。电子级氢氟酸主要应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路(VLSI)芯片的清洗和腐蚀，是微电子行业制造过程中的关键性基础化工材料之一。目前，电子级氢氟酸的制备一般可采用精馏、亚沸蒸馏、气体吸收等工艺来制备，但是这些制备工艺复杂、生产成本很高。
技术实现思路
本专利技术提供了一种电子级氢氟酸的制备方法，可以有效解决上述问题。本专利技术是这样实现的：一种电子级氢氟酸的制备方法，包括以下步骤：S1，将无水氢氟酸输送到缓冲槽中待用；S2，从所述缓冲槽中输送一定量的无水氢氟酸到投料槽中，再通过重力作用使所述无水氢氟酸流经缓冲塔进入到计本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子级氢氟酸的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1，将无水氢氟酸输送到缓冲槽中待用；/nS2，从所述缓冲槽中输送一定量的无水氢氟酸到投料槽中，再通过重力作用使所述无水氢氟酸流经缓冲塔进入到计量槽中准确计量；/nS3，将所述计量槽中的无水氢氟酸以预定速率流经初级过滤器后进入塔釜；/nS4，在塔釜中通入50～60℃的热水，采用低温蒸发，得到高纯度无水氢氟酸气体；/nS5，将所述高纯度无水氢氟酸气体通入纯化塔中，并通入氧化气体与所述高纯度无水氢氟酸气体反应得到超纯无水氢氟酸气体，从所述纯化塔顶部排出，其中所述氧化气体为氟气和氮气的混合物；/nS6，将所述超纯无水氢氟酸气体经冷凝器冷凝...

【技术特征摘要】
1.一种电子级氢氟酸的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，将无水氢氟酸输送到缓冲槽中待用；
S2，从所述缓冲槽中输送一定量的无水氢氟酸到投料槽中，再通过重力作用使所述无水氢氟酸流经缓冲塔进入到计量槽中准确计量；
S3，将所述计量槽中的无水氢氟酸以预定速率流经初级过滤器后进入塔釜；
S4，在塔釜中通入50～60℃的热水，采用低温蒸发，得到高纯度无水氢氟酸气体；
S5，将所述高纯度无水氢氟酸气体通入纯化塔中，并通入氧化气体与所述高纯度无水氢氟酸气体反应得到超纯无水氢氟酸气体，从所述纯化塔顶部排出，其中所述氧化气体为氟气和氮气的混合物；
S6，将所述超纯无水氢氟酸气体经冷凝器冷凝后，进入调配槽中调整浓度。


2.如权利要求1中所述电子级氢氟酸的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述缓冲槽中的液位控制在75～85％。


3.如权利要求1中所述电子级氢氟酸的制备方法，其特征在于，在步骤S3中，所述塔釜中的液位控制在65～75％。


4.如权利要求1中所述电子级氢氟酸的制备方法，其特征在于，在步骤S4中，在塔釜...

【专利技术属性】
技术研发人员：骆彦成，刘奕丰，任建业，胡侃中，吴全贵，艾合买提艾尔肯，陈国明，赖廷恩，
申请(专利权)人：福建天甫电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35