一种石墨相氮化碳粉体及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供一种石墨相氮化碳粉体及其制备方法和应用，所述方法包括以下步骤：步骤1，先将三聚氰胺、HNO

【技术实现步骤摘要】
一种石墨相氮化碳粉体及其制备方法和应用
本专利技术属于光催化材料
，具体为一种石墨相氮化碳粉体及其制备方法和应用。
技术介绍
当前，全球化进程的加快导致了能源的消耗和环境的污染，研究者发现了半导体光催化剂能够利用可见光产生光生电子和空穴来参与有机污染物的降解，因此半导体催化剂得到了广泛的应用。由非金属元素C、N聚合形成的石墨相氮化碳材料就是应用较为广泛的半导体光催化剂，因为它具有良好的热稳定性和化学稳定性、对可见光响应等优点。理想石墨相氮化碳结构单元中的碳和氮原子均为sp2杂化形式，形成了类似二维石墨烯的π-π共轭电子结构，再以类石墨的反复堆叠方式构成三维晶体结构。但目前采用直接煅烧缩聚得到的g-C3N4材料容易出现团聚现象，影响了其光催化性能。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题，本专利技术提供一种石墨相氮化碳粉体及其制备方法和应用，采用二次煅烧-超声剥离法，增大光催化剂的孔容积、孔尺寸并剥离成更薄的片层，提高载流子的分离效率，延缓电子与空穴对的复合速率，实现光催化活性的有效提高。本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种石墨相氮化碳粉体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1，先将三聚氰胺、HNO

【技术特征摘要】
1.一种石墨相氮化碳粉体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，先将三聚氰胺、HNO3溶液和乙醇混合均匀后蒸干，得到前驱粉体；
步骤2，将前驱粉体进行两次煅烧处理，第一次的煅烧温度为560～580℃，第二次的煅烧温度为480～500℃，得到氧化后的g-C3N4粉体；
步骤3，将氧化后的g-C3N4粉体在去离子水中混合均匀，得到混合液，将混合液过滤后的滤饼干燥，得到石墨相氮化碳粉体。


2.根据权利要求1所述的石墨相氮化碳粉体的制备方法，其特征在于，步骤1中HNO3溶液中HNO3的浓度为1～2mol/L，三聚氰胺、HNO3和乙醇的质量比为1：20：(7～10)。


3.根据权利要求1所述的石墨相氮化碳粉体的制备方法，其特征在于，步骤1将三聚氰胺、HNO3溶液和乙醇混合均匀后在70～90℃下蒸2～5h。


4.根据权利要求1所述的石墨相氮化碳粉体的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：谈国强，党明月，王敏，王勇，张碧鑫，毕钰，任慧君，夏傲，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61