一种促进睡莲四季开花的栽培方法技术

本发明专利技术涉及植物的栽培技术领域，特别是涉及一种促进睡莲四季开花的栽培方法，包括在10月中旬至下旬准备保温池、移栽睡莲、追肥和第二年的3月——4月的再次移栽。通过本方法，能有效解决睡莲不能长期生长和不能四季开花的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种促进睡莲四季开花的栽培方法
本专利技术涉及植物的栽培
，特别是涉及一种促进睡莲四季开花的栽培方法。
技术介绍
睡莲属于睡莲科睡莲属，是多年生浮叶型水生草本植物，根状茎肥厚，直立。叶二型，浮水叶浮生于水面，圆形、椭圆形或卵形，先端钝圆，基部深裂成马蹄形或心脏形，叶缘波状全缘或有齿；沉水叶薄膜质，柔弱。花单生，花有大小与颜色之分，浮水或挺水开花；萼片4枚，花瓣、雄蕊多。花期7-10月，昼开夜合，其余时间睡莲都无法开花，甚至睡莲也会因为新陈代谢，老根逐渐腐化，导致睡莲整体死亡。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提出了一种促进睡莲四季开花的栽培方法，能有效解决睡莲不能长期生长和不能四季开花的问题。本专利技术是通过采用下述技术方案实现的：一种促进睡莲四季开花的栽培方法，其特征在于：包括以下步骤：a.在10月中旬至下旬，准备保温池，所述保温池内无病虫和无杂草，且保温池内的温度为18℃——28℃，沉淀保温池内的水；b.将露天种植的睡莲取出后清洗干净，去除病虫害后移栽在保温池内，使得睡莲的根着泥，叶芽着水：若该待移栽的睡莲的根茎没有露出泥面，直接移栽；若该待移栽的睡莲的茎尖和根已露出水面，去除老黄叶片，断掉腐烂的老茎，使其矮化后再移栽；c.睡莲全面复壮后，施加肥料并去除病虫害；d.第二年的3月——4月，温度保持在12℃——25℃以上时，将老化和坏死的茎去掉后，睡莲带着原土，分散种植在露天的干净的种植池里。所述步骤c中，施加肥料的具体步骤为：将复合肥和泥土混合后，形成泥团，将泥团塞入距离睡莲植株五公分处的泥土里。所述步骤c中，对每株睡莲施加5克复合肥。所述步骤b中，睡莲移栽时，彼此间隔40*40cm。所述步骤d中，分散种植还包括将具有新芽的睡莲分株后，一芽一株进行种植。与现有技术相比，本专利技术的有益效果表现在：1、在睡莲的栽培过程中，专利技术人发现睡莲只有一个主茎，主茎的顶端却有无限叶芽，这些叶芽随着主茎的长大形成围着主茎的叶片。叶片的基部间从主茎上长出花蕾，而叶片的基部又不断长出新根，新根不断从水中和泥土中吸收养料供给睡莲生长，随着睡莲的生长，主茎不断长高，下面的叶片和茎新陈代谢，老根茎逐渐腐化，睡莲会整体死亡，睡莲也无法进行四季开花。但是，在该栽培过程中，发现睡莲有无限的花蕾，无限的叶芽和无限的新根，且根系发达。针对该发现，本专利技术中的栽培方法能充分利用该特征，通过在10月中旬至下旬将已经生长到一定阶段的睡莲移栽，在移栽过程中，针对不同生长状态的睡莲分别进行处理，若该睡莲较小，根茎还没有露出泥面，根茎的状态好，就可以直接进行移栽；若该睡莲的茎尖（即叶芽）和根已露出水面，下部的根茎已经腐化，就需要去除老黄叶片和坏死的老茎，使其矮化后再移栽。睡莲全面复壮后，施加肥料并去除病虫害。第二年的3月——4月，温度保持在12℃——25℃以上时，将老化和坏死的茎去掉后，睡莲带着原土，分散种植在露天的干净的种植池里。本专利技术中的栽培方法，睡莲的根系及植株的其余部分损伤不大，整个栽培过程中，对于正在开花的睡莲来说，不会影响睡莲的开花，或者说影响不大。且该栽培方法使得睡莲能有无线叶芽，无限花蕾，有无限新根，无限新根为其提供营养，使得睡莲不会因为老化而整体死亡，能进行持续的新陈代谢，便于繁殖后代，在合适的温度调控下，即12℃——25℃的温度下能保持四季常开。根茎修剪后的睡莲全面复壮后，此时再来施加复合肥，使得睡莲的营养吸收更加好。沉淀保温池内的水，可以使得保温池内的水温与室温相同，并且能沉淀自来水和地下水中不利于睡莲生长的元素，防止危害睡莲。2、本专利技术中，将复合肥和泥土混合后，形成泥团，将泥团塞入距离睡莲植株五公分处的泥土里的施肥方法，避免肥料流失，能够减缓睡莲根茎的营养吸收强度，避免复合肥损伤根茎，也使得睡莲能持续的吸收泥团内的营养。3、本专利技术的栽培方法简单，只需要使用睡莲栽培过程中的常规复合肥。在栽培过程中，不需要精心管理，解放了劳动力，适合大规模的栽培，并且通过本方法栽培的睡莲的生存时间长，截止申请日为止，申请人栽培的睡莲已经生长了1000多天，节约了大量的种子繁育时间和工作，不论是人工还是材料成本，都明显降低。4、步骤b中，睡莲移栽时，彼此间隔40*40cm，使得睡莲之间的开花互不影响。5、所述步骤d中，分散种植还包括将具有新芽的睡莲分株后，一芽一株进行种植，便于扩大种植规模，提升植株的数量。。附图说明下面将结合说明书附图和具体实施方式对本专利技术作进一步的详细说明，其中：图1为本专利技术的栽培方法流程示意图。具体实施方式实施例1作为本专利技术基本实施方式，参照说明书附图1，本专利技术包括一种促进睡莲四季开花的栽培方法，包括以下步骤：a.移栽前准备。在10月中旬至下旬，准备保温池，去除掉保温池内的苔藓、杂草和害虫，特别是去掉福寿螺，使得所述保温池内无病虫和无杂草。并保持清理完成的保温池内的温度在18℃——28℃，将保温池内的水沉淀1-3天，沉淀了水中不利于睡莲生长的元素。b.移栽。1-3天后，此时，保温池内的水与室温相同，并且已经沉淀了水中不利于睡莲生长的元素。将露天种植的睡莲取出，该露天种植的睡莲不限于其栽种方式或者品种，然后将该取出的睡莲清洗干净，去除苔藓和病虫害后移栽在保温池内，使得睡莲的根着泥，叶芽着水。若该待移栽的睡莲的根茎没有露出泥面，即该睡莲种植时间短，可以为当年8月份种植的，直接移栽即可。若该睡莲的茎尖和根已露出水面，且下方的根茎已经腐烂后坏死，即该睡莲种植时间长，可以为当年3月——4月种植或者种植时间更长的，就必须去除老黄叶片，断掉腐烂的老茎，使其矮化后再移栽至保温池内。c.追肥。大约20天后，移栽后的睡莲已经全面恢复茁壮，施加肥料并去除病虫害，由于昼夜温度在18℃——28℃，睡莲根系和植株损伤不大，根系发达，能照样正常开花及繁殖后代。d.再次移栽。第二年的3月——4月，温度保持在12℃——25℃以上时，将睡莲中老化和坏死的茎去掉后，睡莲带着原土，分散种植在露天的干净的种植池里即可。实施例2作为本专利技术最佳实施方式，本专利技术包括一种促进睡莲四季开花的栽培方法，包括以下步骤：a.在10月中旬至下旬，准备保温池，所述保温池内无病虫和无杂草，且保温池内的温度为18℃——28℃，将保温池内的水沉淀1-3天。所述保温池内不需要经常换水。b.三天后，将露天种植的睡莲取出后清洗干净，去除病虫害后移栽在保温池内，使得睡莲的根着泥，叶芽着水，且彼此间隔40*40cm进行移栽。在移栽前，判断移栽的睡莲的生长状态，若该待移栽的睡莲的根茎没有露出泥面，直接移栽；若该待移栽的睡莲的茎尖和根已露出水面，去除老黄叶片，断掉腐烂的老茎，使其矮化后再移栽。c.25天后，睡莲全面复壮，将复合肥和泥土混合后，形成泥团，将泥团塞入距离睡莲植株五公分处的泥土里，每株睡莲施加5克复合肥，清除杂草及病虫害，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种促进睡莲四季开花的栽培方法，其特征在于：包括以下步骤：/na. 在10月中旬至下旬，准备保温池，所述保温池内无病虫和无杂草，且保温池内的温度为18℃——28℃，沉淀保温池内的水；/nb. 将露天种植的睡莲取出后清洗干净，去除病虫害后移栽在保温池内，使得睡莲的根着泥，叶芽着水：若该待移栽的睡莲的根茎没有露出泥面，直接移栽；若该待移栽的睡莲的茎尖和根已露出水面，去除老黄叶片，断掉腐烂的老茎，使其矮化后再移栽；/nc. 睡莲全面复壮后，施加肥料并去除病虫害；/nd. 第二年的3月——4月，温度保持在12℃——25℃以上时，将老化和坏死的茎去掉后，睡莲带着原土，分散种植在露天的干净的种植池里。/n

【技术特征摘要】
1.一种促进睡莲四季开花的栽培方法，其特征在于：包括以下步骤：
a.在10月中旬至下旬，准备保温池，所述保温池内无病虫和无杂草，且保温池内的温度为18℃——28℃，沉淀保温池内的水；
b.将露天种植的睡莲取出后清洗干净，去除病虫害后移栽在保温池内，使得睡莲的根着泥，叶芽着水：若该待移栽的睡莲的根茎没有露出泥面，直接移栽；若该待移栽的睡莲的茎尖和根已露出水面，去除老黄叶片，断掉腐烂的老茎，使其矮化后再移栽；
c.睡莲全面复壮后，施加肥料并去除病虫害；
d.第二年的3月——4月，温度保持在12℃——25℃以上时，将老化和坏死的茎去掉后，睡莲带着原土，分散种植在露天的干净的种植池里。

...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉发昌，
申请(专利权)人：吉发昌，
类型：发明
国别省市：四川;51