【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜表面可安装高频耦合器相关申请的交叉引用本申请要求于2018年3月6日提交的美国临时专利申请序列号62/639309和于2018年3月13日提交的美国临时专利申请序列号62/642219的申请权益，其全部内容通过引用合并于此。
技术介绍
高频无线电信号通信已经逐渐普及。例如，对于提高无线智能手机连接的数据传输速度的需求推动了对高频部件的需求，包括配置成以5G频谱频率运行的那些部件。小型化的趋势也增加了处理这种高频信号的小型无源部件的需求。小型化还增加了适于以5G频谱运行的表面安装的小型无源部件的难度。易于表面安装的紧凑的高频耦合器在本领域中将受到欢迎。
技术实现思路
根据本专利技术的一实施例，公开了一种高频表面可安装耦合器。耦合器包括单块基础基板，其具有顶表面、底表面、沿纵向方向的长度和沿与纵向方向垂直的横向方向的宽度。耦合器包括第一薄膜微带，其设置在单块基础基板的顶表面上。第一微带具有输入端和输出端。耦合器包括第二薄膜微带，其设置在单块基础基板的顶表面上。第二微带具有输入端和输出端。耦合器包括至少一个过孔，其从单块...
【技术保护点】
1.一种高频表面可安装耦合器，包括：/n单块基础基板，其具有顶表面、底表面、沿纵向方向的长度和沿与纵向方向垂直的横向方向的宽度；/n第一薄膜微带，其设置在单块基础基板的顶表面上，该第一微带具有输入端和输出端；/n第二薄膜微带，其设置在单块基础基板的顶表面上，该第二微带具有输入端和输出端；以及/n至少一个过孔，其从单块基础基板的顶表面延伸穿过单块基础基板至底表面，该至少一个过孔与第一微带或第二微带的输入端或输出端中的至少一个电连接；/n其中，所述耦合器在约28GHz时的耦合因子大于约-30dB。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180306 US 62/639,309;20180313 US 62/642,2191.一种高频表面可安装耦合器，包括：
单块基础基板，其具有顶表面、底表面、沿纵向方向的长度和沿与纵向方向垂直的横向方向的宽度；
第一薄膜微带，其设置在单块基础基板的顶表面上，该第一微带具有输入端和输出端；
第二薄膜微带，其设置在单块基础基板的顶表面上，该第二微带具有输入端和输出端；以及
至少一个过孔，其从单块基础基板的顶表面延伸穿过单块基础基板至底表面，该至少一个过孔与第一微带或第二微带的输入端或输出端中的至少一个电连接；
其中，所述耦合器在约28GHz时的耦合因子大于约-30dB。
2.根据权利要求1所述的耦合器，其中，所述耦合器在从约10GHz到约70GHz时的耦合因子大于约-30dB。
3.根据权利要求1所述的耦合器，还包括至少一个接触垫，其设置在所述基础基板的底表面上，所述至少一个接触垫与所述至少一个过孔电连接。
4.根据权利要求1所述的耦合器，还包括基础接地平面，其设置在所述单块基础基板的底表面上。
5.根据权利要求1所述的耦合器，其中，所述基础基板的长度和宽度中的每个小于约7mm。
6.根据权利要求1所述的耦合器，其中，所述耦合器还包括设置在所述基础基板的底表面上的四个接触垫，并且其中，所述至少一个过孔包括：
第一过孔，其将第一薄膜微带的输入端电连接到四个接触垫中的第一接触垫；
第二过孔，其将第一薄膜微带的输出端电连接到四个接触垫中的第二接触垫；
第三过孔，其将第二薄膜微带的输入端电连接到四个接触垫中的第三接触垫；以及
第四过孔，其将第二薄膜微带的输出端电连接到四个接触垫中的第四接触垫。
7.根据权利要求1所述的耦合器，其中，所述耦合器配置成用于栅格阵列型安装。
8.根据权利要求1所述的耦合器，其中，所述基础基板包括陶瓷材料。
9.根据权利要求1所述的耦合器，其中，所述基础基板包括蓝宝石。
10.根据权利要求1所述的耦合器，还包括覆盖基板，其布置在所述基础基板的顶表面上。
11.根据权利要求10所述的耦合器，还包括覆盖接地平面，其布置在所述覆盖基板的顶表面上。
12.根据权利要求10所述的耦合器，其中，所述覆盖接地平面与基础接地平面电连接。
13.根据权利要求12所述的耦合器，其中，所述至少一个过孔包括延伸穿过所述基础基板和覆盖基板中的每个的接地过孔，接地过孔将所述覆盖接地平面与基础接地平面电连接。
14.根据权利要求1所述的耦合器，其中，所述至少一个过孔包括一对过孔，并且其中，所述基础接地平面沿纵向方向或横向方向之一在所述一对过孔之间延伸。
15.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：AL塔拉莱夫斯基，M马雷克，E奥尼尔，
申请(专利权)人：阿维科斯公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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