多晶硅的包装方法、多晶硅的双重包装方法及单晶硅用原料制造方法技术

一种减少表面有机杂质、尤其是表面碳杂质的污染的多晶硅的包装方法，其中，在包装袋中填充多晶硅之后，用夹持棒夹持比填充所述多晶硅而成的填充部更靠近包装袋的开口部侧且比用于熔接密封包装袋的熔接密封预定部更靠近填充部侧的部位，以免气体流入填充部，且在由该夹持棒夹持的状态下，通过密封棒夹持熔接密封预定部而进行熔接，在熔接之后拆卸夹持棒。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多晶硅的包装方法、多晶硅的双重包装方法及单晶硅用原料制造方法
本专利技术涉及一种包装制造单晶硅等时用作熔融原料的块状多晶硅等的多晶硅的包装方法、多晶硅的双重包装方法及单晶硅用原料制造方法。本申请主张基于2018年4月18日申请的日本专利申请2018-79562号的优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
以往，使用于硅半导体原料或太阳能电池原料等的多晶硅例如通过被称为西门子法(Siemensmethod)的气相法制造成棒状，然后，进行切断或破碎，以便用作原料，由此形成为规定大小的块状的多晶硅(以下，称为块状多晶硅)。对该块状多晶硅实施清洗或干燥等处理，按规定量进行包装，并且为了运输而装箱发货。近年，随着半导体器件性能的提高而对多晶硅的质量要求更加严格。例如，作为污染的原因，可举出块状金属杂质、表面金属杂质及表面碳杂质等。其中，关于表面碳杂质，有时不易掌握或确定污染原因，关于其减少，尚未达到充分的水平。例如，在专利文献1中，关于来自多晶硅容纳夹具的挥发成分公开有：多晶硅块表面的有机杂质浓度的问题点及其减少化的方法。并且，非专利文献1中公开有关于各种树脂材料中的逸出气体产生的信息。如此，因温度的影响而由构成树脂材料等的材料产生的逸出气体(挥发成分)若附着于周围的物质，则也会成为由表面有机杂质、尤其由表面碳杂质引起污染的原因。如专利文献2所示，这种块状多晶硅例如为了避免金属污染而通过由聚乙烯膜制成的包装材料(塑料袋)进行包装。在该专利文献2中，在填充一定重量的多晶硅之后，使用焊接钳口以恒定的接点压力脉冲密封塑料袋。该密封操作中的密封温度以检测出密封线的电阻测量来调整。强烈要求降低块状多晶硅的污染水平。在包装材料的密封中，不充分的密封有可能会成为污染的原因，因此需要可靠地密封，并且不使用填充后会成为污染的原因的粘结剂等，而通常进行基于熔接的密封。专利文献1：日本特开2017-57119号公报专利文献2：日本特开2014-108829号公报专利文献3：日本特开昭51-61392号公报非专利文献1：有機汚染物質/アウトガスの発生メカニズムとトラブル対策事例集(2008年1月31日第1版第1刷発行p.28及び29技術情報協会)(有机污染物质/逸出气体的产生机理及故障应对事例集(2008年1月31日，第1版第1次印刷发行，第28及29页，技术信息协会))在基于专利文献2的结构的包装方法中，作为课题举出了焊缝方式下的包装袋的损伤，作为其对策公开了如前述那样的方法。然而，关于这种以往的包装袋的密封操作，尚未充分考虑伴随密封的逸出气体的影响。另一方面，专利文献3中公开有如下内容：在进行袋装体的热封时，以基于除去袋装体内的残留空气而长期保存袋装体内装物为目的，阶段性地进行包装体内的脱气及预备密封，密封填充口，并进行填充口的冷却。也可以考虑将这种方法适用于填充有块状多晶硅的包装袋，但虽然有抑制逸出气体对填充物的附着的效果，但终究未对密封后的逸出气体进行研究，从而未采取充分的措施。认为由这种包装袋的熔接引起的密封时的逸出气体根据密封条件(例如，温度或时间)而其程度发生变化，产生量也变少，但即便是微量污染，也存在对在使用处制造的半导体等的特性造成影响的可能性，因此在多晶硅中无法忽视。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这种情况而完成的，其目的在于关于块状多晶硅等多晶硅的包装方法，提供一种减少由上述的有机杂质、尤其由碳杂质引起的表面污染的多晶硅的包装方法、多晶硅的双重包装方法及单晶硅用原料制造方法。本专利技术的多晶硅的包装方法中，在包装袋中填充多晶硅之后，用夹持棒夹持比填充所述多晶硅而成的填充部更靠近所述包装袋的开口部侧且比用于熔接密封所述包装袋的熔接密封预定部更靠近所述填充部侧的部位，以免气体流入所述填充部，且在由该夹持棒夹持的状态下，通过密封棒夹持所述熔接密封预定部而进行熔接，在熔接之后拆卸所述夹持棒。在本专利技术中，当熔接密封预定部被熔接时，在以免气体流入该熔接密封预定部的填充部的方式用夹持棒夹持包装袋的状态下，熔接密封预定部通过密封棒熔接。此时，熔接包装袋时产生的气体从熔接密封部朝向开口部及填充部产生，但由于比熔接密封预定部更靠近填充部侧的部位由夹持棒夹持，因此熔接时产生的气体不会流入填充部。并且，通过尽可能缩短熔接密封部与夹持部之间的间隔，能够将熔接密封部与夹持部之间的气体的产生区域限制为较小并且远离填充部，即便拆卸夹持棒之后，也能够抑制流入多晶硅的填充部的杂质量，从而能够抑制由碳杂质引起的多晶硅的表面污染。另外，例如可以在熔接密封部的温度降至常温(例如，25℃左右)之后拆卸上述夹持棒。若熔接密封部的温度下降，则产生气体成分变得容易吸附于包装袋内表面，因此进一步抑制对填充物的附着的影响。作为多晶硅的包装方法的优选方式，也可以当通过所述密封棒熔接所述熔接密封预定部时，以在所述包装袋的开口部的宽度方向连续的方式形成通过所述密封棒熔接的熔接部及气体能够流通的未熔接部，从由所述未熔接部构成的小开口部向所述包装袋的外部排出所述熔接部与由所述夹持棒夹持的部分之间的气体之后，熔接所述未熔接部。另外，作为从小开口部排出气体的方法，能够例示从包装袋的外部通过小开口部抽吸气体的方法或通过按压熔接部与夹持部之间而从小开口部挤出并排出气体的方法。在上述方式中，首先，在熔接密封预定部连续形成熔接部及未熔接部，因此能够将熔接时在熔接部与夹持部之间产生的气体、从由未熔接部构成的小开口部向包装袋的外部排出。并且，存在熔接未熔接部时产生的气体会残留的可能性，但通过使未熔接部的宽度小于熔接部整体的宽度，其气体产生量变少，因此能够进一步抑制由碳杂质引起的多晶硅的表面污染。在该情况下，也可以在熔接密封部的温度下降之后拆卸夹持棒。作为多晶硅的包装方法的优选方式，可以以冷却了所述夹持棒或其周边的状态夹持所述包装袋。在上述方式中，通过以冷却了所述夹持棒或其周边的状态夹持包装袋，夹持部或其周边的温度下降，因此熔接密封部与夹持部之间的部分的温度也不易上升，并且还抑制所产生的气体的量。并且，因熔接密封部与夹持部之间被冷却而能够促进熔接时产生的气体成分对包装袋内表面的吸附，从而能够进一步抑制该气体成分对填充物的附着。作为多晶硅的包装方法的优选方式，可以在通过所述密封棒熔接所述熔接密封预定部之后，在由所述夹持棒夹持的部位与所述填充部之间折弯所述包装袋。在上述方式中，能够抑制熔接时产生的气体成分在包装袋内表面上附着的区域与多晶硅接触，从而更可靠地抑制由碳杂质引起的多晶硅的表面污染。并且，可以多次进行该折弯。作为多晶硅的包装方法的优选方式，可以在拆卸所述密封棒之后拆卸所述夹持棒。本专利技术的多晶硅的双重包装方法中，所述多晶硅通过上述多晶硅的包装方法包装在所述包装袋中而形成第一包装体，将所述第一包装体容纳于与所述包装袋不同的第二包装袋之后，用夹持棒夹持比容纳所述第一包装体而成的容纳部更靠近所述第二包装袋的开口部侧且比用于熔接密封所述第二包装袋的熔接密封预定部更靠近本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅的包装方法，其特征在于，/n在包装袋中填充多晶硅之后，用夹持棒夹持比填充所述多晶硅而成的填充部更靠近所述包装袋的开口部侧且比用于熔接密封所述包装袋的熔接密封预定部更靠近所述填充部侧的部位，以免气体流入所述填充部，且在由该夹持棒夹持的状态下，通过密封棒夹持所述熔接密封预定部而进行熔接，在熔接之后拆卸所述夹持棒。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180418 JP 2018-0795621.一种多晶硅的包装方法，其特征在于，
在包装袋中填充多晶硅之后，用夹持棒夹持比填充所述多晶硅而成的填充部更靠近所述包装袋的开口部侧且比用于熔接密封所述包装袋的熔接密封预定部更靠近所述填充部侧的部位，以免气体流入所述填充部，且在由该夹持棒夹持的状态下，通过密封棒夹持所述熔接密封预定部而进行熔接，在熔接之后拆卸所述夹持棒。


2.根据权利要求1所述的多晶硅的包装方法，其特征在于，
当通过所述密封棒熔接所述熔接密封预定部时，以在所述包装袋的开口部的宽度方向连续的方式形成通过所述密封棒熔接的熔接部及气体能够流通的未熔接部，从由所述未熔接部构成的小开口部向所述包装袋的外部排出所述熔接部与由所述夹持棒夹持的部分之间的气体之后，熔接所述未熔接部。


3.根据权利要求1或2所述的多晶硅的包装方法，其特征在于，
在冷却了所述夹持棒或其周边的状态下，夹持所述包装袋。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的多晶硅的包装方法，其特征在于，
在通过所述密封棒熔接所述熔接密封预定部之后，在由所述夹持棒夹持的...

【专利技术属性】
技术研发人员：野田圣奈，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP