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单相民用防窃电电度表制造技术

技术编号:2648245 阅读:195 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及的是电度表,具体地说是一种可防窃电的电度表。其特征是普通电度表零线端子3、4间串接互感器感应线圈,二次感应线圈L↓[3]连测量控制回路的可控硅T控制极和阳极间,可控硅T阴极接控制执行元件并经时间延时回路的R.C↓[4]积分电路至晶体三极管BG↓[1]发射极,晶体管BG↓[1]集电极连晶体管BG↓[2]基极,晶体三极管BG↓[2]集电极经二极管D↓[3]至继电器J。本实用新型专利技术的特点是:可靠耐用,在没有增加自身电能消耗的前提下增加防窃电功能,即使电子器件损坏,也不影响电度表正常的计量功能。(*该技术在2008年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及的是电度表,具体地说是一种可防窃电的电度表。在我国民用单相电能计量装置一直延用电磁感应原理制造生产的,随着我国经济体制改革的深入,市场经济不断完善,电能做为一种特殊商品被广泛利用。既然是“商品”就总有些不法分子千方百计想无偿占用。为使我国经济体制改革正常进行,企业正常经营,国家电能不被窃用,不仅要有法律约束,企业管理的加强,以及不断提高用户的法律意识外,还要有必要的技术措施、手段加以限制窃电现象的发生。本技术的目的是提供一种可防窃电的电度表。本防窃电单相民用电度表是在原有电磁感应式单相电度表的基础上,经过增加电子器件控制,以达到防窃的目的。其特征是普通电度表零线端子3、4间串接互感器感应线圈,二次感应线圈L3连测量控制回路的可控硅T控制极和阳极间,可控硅T阴极接控制执行元件并经时间延时回路的R·C4积分电路至晶体三板管BG1发射极,晶体管BG1集电极连晶体管BG2基极,晶体三极管BG2集电极经二极管D8至继电器J。本技术的特点是可靠耐用,在没有增加自身电能消耗的前提下增加防窃电功能,既使电子器件损坏,也不影响电度表正常的计量功能。防窃电效果明显,在没有改变原电度表外部接线的前提下,可防止多种以上的窃电行为。造价低廉,投资少,见效快,新型表与原表只增加1/10的购买费用。 附图说明图1为本技术的结构原理图。图2为本技术中的防窃电装置电路原理图。普通电度表的原理是由一个或数个绕在铁芯上的线圈和铝盘组成,如图所示。当线圈中通有交流电时,在气隙中便产生交流磁通。铝盘在交变磁通的作用下,感应产生变磁通的磁场中受力,于是使铝盘转动,由于制动磁铁和可动部分的铝盘相互作用产生了制动力矩,它和转速成比例,当转动力矩和制动力矩大小相等方向相反对转速达到平衡。本防窃电电度表与普通表最大的区别在于设有防窃电装置,它的构成是将普通表端子3、4间联线打开串入线圈L2,以便使用户在正常用电情况下,抵消互感器另一组线圈L1所产生的磁场,使互感器二次线圈L3不产生感应电压。防窃电装置不动作。当用户有窃电行或有人身触电时,互感器二次线圈L3产生电压,如防窃电装置电原理图(见图2)所示,电压经电阻R′加在可控硅T的控制极和阳极之间,(调节R′的大小可改变装置的灵敏度,防止装置误动作)使T动作。加在电容C两端的220V交流电经二极管D4、可控硅T、二极管D3整流得到大约180V左右的直流电压,加在继电器J的线圈两端,使J动作。常闭接点J1断开,终止供电。同时常开接点J2闭合,经整流桥D′整流,R5降压后,得到大约12V的直流电压,经R7、D8加在J两端,为J提供保持电压。同时经R给C4充电(调节或改变R、C4值的大小,可改变装置延时的长短),当C4两端电压充至大约6V时,经R6、D7给三极管BG1发射极提供的电压使之导通(原BG1处在饱和区)BG1集电极接BG2基极,使BG2导通,短路继电器J动作线圈,使之返回,完成延时供电过程。本技术的测量控制回路包括互感器L,电阻R′、R1,电容C1,二极管D1,可控硅T等元件;互感器L的感应线圈L3是经过限流电阻R′与可控硅T控制极相连。控制执行元件由二极管D2、D3、D4、D5、D6,变容二极管D,电阻R2、R3,电容C2,继电器J等构成。时间延时回路是以整流桥D′,二极管D7,电阻R5、R6、R7、R8,电容C3、C4、C5,晶体三极管BG1、BG2(型号为CX201、3DG6)为主要部件构成。电度零线端子3、4间串接的互感器L初级线圈为4~6匝,次级线圈900~1200匝。图1中的DY为电压线圈,DL为电流线圈,1、2为火线端子,5为电压线圈叠片铁芯,6为计数机构,7为制动磁铁,8为涡轮盘,9为电流线圈叠片铁芯,A为测量控制回路,B为时间延时回路,Z为执行元件。权利要求1.一种单相民用防窃电电度表,其特征是普通电度表零线端子3、4间串接互感器感应线圈,二次感应线圈L3连测量控制回路的可控硅T控制极和阳极间,可控硅T阴极接控制执行元件并经时间延时回路的R·C4积分电路至晶体三极管BG1发射极,晶体管BG1集电极连晶体管BG2基极,晶体三极管BG2集电极经二极管D8至继电器J。2.按照权利要求1所述的电度表,其特征是互感器L的感应线圈L3是经过限流电阻R′与可控硅T控制极相连。3.按照权利要求1所述的电度表,其特征是电度零线端子3、4间串接的互感器L初级线圈为4~6匝,次级线圈900~1200匝。专利摘要本技术涉及的是电度表,具体地说是一种可防窃电的电度表。其特征是普通电度表零线端子3、4间串接互感器感应线圈,二次感应线圈L文档编号G01R11/24GK2337561SQ9823837公开日1999年9月8日 申请日期1998年7月28日 优先权日1998年7月28日专利技术者范成昆, 范成云, 张申 申请人:范成昆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单相民用防窃电电度表,其特征是普通电度表零线端子3、4间串接互感器感应线圈,二次感应线圈L↓[3]连测量控制回路的可控硅T控制极和阳极间,可控硅T阴极接控制执行元件并经时间延时回路的R.C↓[4]积分电路至晶体三极管BG↓[1]发射极,晶体管BG↓[1]集电极连晶体管BG↓[2]基极,晶体三极管BG↓[2]集电极经二极管D↓[8]至继电器J。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:范成昆范成云张申
申请(专利权)人:范成昆
类型:实用新型
国别省市:89[中国|沈阳]

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