光供电系统的供电装置和受电装置、以及光供电系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供光供电系统的供电装置以及受电装置、和光供电系统。提升光供电中的光电变换效率。供电装置(110)包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器(110)。构成起到半导体激光器的光‑电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为激光波长500nm以下的激光介质。另外，该半导体材料设为带隙2.4eV以上的激光介质。另外，该半导体材料设为金刚石、氧化镓、氮化铝或GaN。受电装置(300)包含将供电光变换成电力的光电变换元件(311)。构成起到光电变换元件的光‑电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为激光波长500nm以下的激光介质。另外，该半导体材料设为带隙2.4eV以上的激光介质。另外，该半导体材料设为金刚石、氧化镓、氮化铝或GaN。

【技术实现步骤摘要】
光供电系统的供电装置和受电装置、以及光供电系统
本公开涉及光供电。
技术介绍
近来，光供电系统一直得到研究，其将电力变换成光(称作供电光)并传输，将该供电光变换成电能并作为电力利用。在专利文献1中记载了一种光通信装置，具备：光发送机，其发送以电信号调制的信号光以及用于提供电力的供电光；光纤，其具有传输上述信号光的纤芯、形成于上述纤芯的周围并比上述纤芯折射率小地传输上述供电光的第1包层、以及形成于上述第1包层的周围并比上述第1包层折射率小的第2包层；和光接收机，其以将在上述光纤的第1包层传输的上述供电光变换的电力进行动作，将在上述光纤的纤芯传输的上述信号光变换成上述电信号。现有技术文献专利文献专利文献1：JP特开2010-135989号公报在光供电中，谋求更进一步的光供电效率的提升。其中之一，谋求供电侧以及受电侧中的光电变换效率的提升。
技术实现思路
在本公开的1个方案的光供电系统中，供电装置包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器，构成起到所述半导体激光器的光-电间的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光供电系统的供电装置，包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器，其特征在于，/n构成起到所述半导体激光器的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为激光波长500nm以下的激光介质。/n

【技术特征摘要】
20190524 JP 2019-0975481.一种光供电系统的供电装置，包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器，其特征在于，
构成起到所述半导体激光器的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为激光波长500nm以下的激光介质。


2.一种光供电系统的供电装置，包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器，其特征在于，
构成起到所述半导体激光器的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为带隙2.4eV以上的激光介质。


3.一种光供电系统的供电装置，包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器，其特征在于，
构成起到所述半导体激光器的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为金刚石。


4.一种光供电系统的供电装置，包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器，其特征在于，
构成起到所述半导体激光器的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为氧化镓。


5.一种光供电系统的供电装置，包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器，其特征在于，
构成起到所述半导体激光器的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为氮化铝。


6.一种光供电系统的供电装置，包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器，其特征在于，
构成起到所述半导体激光器的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为GaN。


7.一种光供电系统的受电装置，包含将供电光变换成电力的光电变换元件，其特征在于，
构成起到所述光电变换元件的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为激光波长500nm以下的激光介质。


8.一种光供电系统的受电装置，包含将供电光变换成电力的光电变换元件，其特征在于，
构成起到所述光电变换元件的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为带隙2.4eV以上的激光介质。


9.一种光供电系统的受电装置，包含将供电光变换成电力的光电变换元件，其特征在于，
构成起到所述光电变换元件的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为金刚石。


10.一种光供电系统的受电装置，包含将供电光变换成电力的光电变换元件，其特征在于，
构成起到所述光电变换元件的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为氧化镓。


11.一种光供电系...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉目知丈，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP