一种直流电路中MOS管限流保护电路制造技术

技术编号:26481652 阅读:178 留言:0更新日期:2020-11-25 19:27
本发明专利技术涉及一种直流电路中MOS管限流保护电路,属于航空固态功率控制器技术领域。本发明专利技术提供的一种直流电路中MOS管限流保护电路,应用于航空固态功率控制器的功率回路,能够将短路电流限制在规定值范围内,防止电流超过功率器件的最大承受电流而导致器件损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种直流电路中MOS管限流保护电路
本专利技术属于航空固态功率控制器
,具体涉及一种直流电路中MOS管限流保护电路。
技术介绍
随着航空技术的迅速发展,我国飞机供电系统传统的机械开关已经不能满足控制需求,逐渐采用固态功率控制器作为配电系统控制的开关器件。固态功率控制器具有响应快、电磁干扰小、寿命长、可靠性高、保护曲线准确、无拉弧现象及便于计算机远程控制等优点,能够有效保护输出线路及用电设备、防止因短路、过载造成的导线及用电设备损害。传统固态功率控制器仅仅具备短路保护的能力,但不具备限流功能,在短路发生时,负载电流理论上可以无限大,对线路和负载具有极大损害,在很大程度上限制了的应用范围。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是:如何设计一种直流电路中MOS管限流保护电路,应用于航空固态功率控制器的功率回路,能够将短路电流限制在规定值范围内,防止电流超过功率器件的最大承受电流而导致器件损坏。(二)技术方案为了解决上述技术问题,本专利技术提供了一种直流电路中MOS管限流保护电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种直流电路中MOS管限流保护电路,其特征在于,包括:固态功率控制器功率回路电路和限流电路;/n所述固态功率控制器功率回路电路包括MOS管Q2、TVS管D1、采样电阻R3、限流电路R1和分压电阻R2;MOS管Q2的漏极与功率源DC28V、TVS管D1的阴极连接,保证在MOS管Q2接通时,能够注入DC28V功率源,MOS管Q2的源极与所述采样电阻R3的一端、TVS管D1的阳极连接,采样电阻R3的另一端与负载输入端POUT连接,保证在MOS管Q2接通时,功率源DC28V能够通过MOS管Q2、采样电阻R3的流向负载,进而通过负载流向功率地PGND,形成功率回路;MOS管Q2的栅极通过电阻R2与M...

【技术特征摘要】
1.一种直流电路中MOS管限流保护电路,其特征在于,包括:固态功率控制器功率回路电路和限流电路;
所述固态功率控制器功率回路电路包括MOS管Q2、TVS管D1、采样电阻R3、限流电路R1和分压电阻R2;MOS管Q2的漏极与功率源DC28V、TVS管D1的阴极连接,保证在MOS管Q2接通时,能够注入DC28V功率源,MOS管Q2的源极与所述采样电阻R3的一端、TVS管D1的阳极连接,采样电阻R3的另一端与负载输入端POUT连接,保证在MOS管Q2接通时,功率源DC28V能够通过MOS管Q2、采样电阻R3的流向负载,进而通过负载流向功率地PGND,形成功率回路;MOS管Q2的栅极通过电阻R2与MOS管Q2的源极连接,MOS管Q2的栅极还通过电阻R1与驱动信号DRV连接,负载输出端POUT与功率地PGND之间端接二极管D2,实现负载回路续流;
所述限流电路包括三极管Q1和限流电阻R4,三极管Q1的基极b通过限流电阻R4与采样电阻R3的一端连接,三极管Q1的发射极e与采样电阻R3的另一端连接,将采样电阻R3上产生的采样电压作为三极管基极-发射极电压为Ube,三极管Q1的集电极c和发射极e分别与所述驱动信号DRV和驱动地GND连接,通过三极管Q1实现对驱动信号DRV的控制。


2.如权利要求1所述的MOS管限流保护电路,其特征在于,电阻R2用于实现MOS管Q2的驱动电压分压稳压。


3.如权利要求1所述的MOS管限流保护电路,其特征在于,电阻R1用于实现MOS管的驱动电压分压和限流。


4.一种如权利要求1或2或3所述的MOS管限流保护电路的工作方法,其特征在于,包括以下步骤:固态功率控制器功率回路...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘炳山
申请(专利权)人:天津津航计算技术研究所
类型:发明
国别省市:天津;12

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