基于一维光子晶体异质结构的太阳光谱分光-吸热薄膜制造技术

本发明专利技术提供了一种基于一维光子晶体异质结构的太阳光谱分光‑吸热薄膜，其包括吸收涂层和一维光子晶体异质结构分光器，所述一维光子晶体异质结构分光器位于吸收涂层上；所述吸收涂层包括金属陶瓷层，所述一维光子晶体异质结构分光器为基于Si/SiO

【技术实现步骤摘要】
基于一维光子晶体异质结构的太阳光谱分光-吸热薄膜
本专利技术属于新能源
，尤其涉及一种基于一维光子晶体异质结构的太阳光谱分光-吸热薄膜。
技术介绍
太阳能作为一种含量丰富的可再生能源，将其有效利用，能为人类社会面临的能源问题提供有效的解决途径。基于太阳光谱劈裂的光伏光热混合利用系统将太阳光谱200nm-725nm和1100nm-2500nm两个波段的太阳光作为“光热波段”，分给太阳能集热发电系统利用，把725nm-1100nm波段作为“光伏波段”，将这部分太阳光能量分给太阳能电池用于光伏发电。这种太阳能利用方式能有效避免分光镜系统和热电池系统面临的挑战，从而实现全光谱太阳能的高效利用，且利用廉价、便捷的热存储，可实现稳定的电能输出。这是最有前景的实现太阳能高效混合利用的方式之一。对于基于太阳光谱劈裂的光伏-光热混合系统，能实现太阳光谱劈裂的分光-吸热薄膜是重要器件，该器件要求对于入射的太阳光，在200nm-725nm和1100nm-2500nm两个波段具有接近0的反射率，在725nm-1100nm波段具有接近100％的反射率。目前本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于一维光子晶体异质结构的太阳光谱分光-吸热薄膜，其特征在于：其包括吸收涂层和一维光子晶体异质结构分光器，所述一维光子晶体异质结构分光器位于吸收涂层上；/n所述吸收涂层包括金属陶瓷层，所述一维光子晶体异质结构分光器为基于一维光子晶体结构的异质结构多层膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于一维光子晶体异质结构的太阳光谱分光-吸热薄膜，其特征在于：其包括吸收涂层和一维光子晶体异质结构分光器，所述一维光子晶体异质结构分光器位于吸收涂层上；
所述吸收涂层包括金属陶瓷层，所述一维光子晶体异质结构分光器为基于一维光子晶体结构的异质结构多层膜。


2.根据权利要求1所述的基于一维光子晶体异质结构的太阳光谱分光-吸热薄膜，其特征在于：所述一维光子晶体异质结构分光器包括一维光子晶体和位于一维光子晶体上表面的异质结构层，所述异质结构层的材料包括钇稳定氧化锆、CeO2、TiO2、Ta2O5、HfO2或V2O5。


3.根据权利要求2所述的基于一维光子晶体异质结构的太阳光谱分光-吸热薄膜，其特征在于：所述一维光子晶体为多周期的一维光子晶体；所述一维光子晶体为一维Si/SiO2基结构光子晶体或一维TiO2/SiO2基结构光子晶体。


4.根据权利要求3所述的基于一维光子晶体异质结构的太阳光谱分光-吸热薄膜，其特征在于：所述金属陶瓷层的材质包括Ti-SiO2、W-SiO2、W-Al2O3、MoSi2–SiO2。


5.根据权利要求4所述的基于一维光子晶体异质结构的太阳光谱分光-吸热薄膜，其特征在于：所述金属陶瓷层的厚度为30-250nm。


6.根据权利要求3所述的基于一维光子晶体异质结构的太阳光谱分光-吸热薄膜，其特征在于：每个周期的Si/SiO2基一维光子晶体中，Si层的厚度为30-100nm，SiO2层的厚度为90-260nm。

【专利技术属性】
技术研发人员：曹峰，魏东，张倩，伍作徐，刘一杰，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学深圳，
类型：发明
国别省市：广东;44