具有细长电极的离子阱制造技术

一种离子阱1包含具有开口4的用于离子捕获的一个喷射电极2和用于离子捕获的其它电极3，所述离子阱1中的离子可以通过所述开口4在喷射方向E上喷射，其中所述喷射电极2和所述其它电极3在纵向方向L上是细长的。所述纵向方向L与所述喷射方向E之间的夹角α接近90°。所述离子阱1包含连接到RF功率源6的初级绕组5；与所述初级绕组5耦合的用于转化所述RF功率源6的RF电压、将转化的RF信号供应到所述喷射电极2的次级绕组7；以及与所述初级绕组5耦合的用于转化所述RF功率源6的所述RF电压、将所述转化的RF信号供应到所述其它电极3的次级绕组7′。所述离子阱1包含第一DC电源8、第二DC电源9和控制器50，所述控制器50在一时间段内经由所述次级绕组7将由第一DC电源8提供的第一DC电压施加到所述喷射电极2，以将所述离子阱中的离子拉到所述喷射电极2的所述开口4，以及经由所述次级绕组7′将由所述第二DC电源9提供的第二DC电压施加到至少70％的所述其它电极3，以将所述离子阱中的离子推到所述喷射电极2的所述开口4。

【技术实现步骤摘要】
具有细长电极的离子阱
本专利技术涉及一种离子阱，并且涉及从离子阱喷射离子的一种方法，其中离子在与离子阱的纵向方向L垂直或基本垂直的喷射方向E上喷射。
技术介绍
离子阱可以用于为进入的离子流提供缓冲器，并且准备具有适合于特定质量分析器的空间、角度和时间特性的数据包。脉冲质量分析器的实例包括飞行时间(TOF)、傅立叶变换离子回旋共振(FTICR)、型(即，使用仅静电捕获的那些)或其它离子阱。离子阱是使用RF场以输运或存储离子的存储装置。通常，它们包括向转化器的初级绕组提供RF信号的RF信号生成器。转化器的次级绕组连接到存储装置的电极(通常为四个)。通常，它们包括在纵向方向L上延伸的细长电极，并且电极沿垂直于纵向方向的轴成对。在具有例如4个电极的离子阱中，电极被成形为产生具有双曲线等势的四极RF场，所述双曲线等势含有进入离子阱或在离子阱中产生的离子。可以通过使用DC场来辅助离子阱内的捕获。四个细长电极中的每一个沿z轴分成三个。相对于较大的中心部，可以将升高的DC电压施加到每一个电极的前部和后部，从而在由RF和DC场分量的重叠得到的离子阱的捕获本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子阱1，其包含/n一个喷射电极2，其用于离子捕获，具有开口4，所述离子阱1中的离子能够通过所述开口4在喷射方向E上喷射/n其它电极3，其用于离子捕获/n初级绕组5，其连接到RF功率源6/n次级绕组7，其与所述初级绕组5耦合，用于转化所述RF功率源6的RF电压并且将转化的RF信号供应到所述喷射电极2/n次级绕组7′，其与所述初级绕组5耦合，用于转化所述RF功率源6的所述RF电压并且将所述转化的RF信号供应到所述其它电极3/n第一DC电源8/n第二DC电源9/n控制器50/n其中所述喷射电极2和所述其它电极3在纵向方向L上是细长的，/n所述纵向方向L与所述喷射方向E之间的夹角α从90°偏...

【技术特征摘要】
20190522 GB 1907235.41.一种离子阱1，其包含
一个喷射电极2，其用于离子捕获，具有开口4，所述离子阱1中的离子能够通过所述开口4在喷射方向E上喷射
其它电极3，其用于离子捕获
初级绕组5，其连接到RF功率源6
次级绕组7，其与所述初级绕组5耦合，用于转化所述RF功率源6的RF电压并且将转化的RF信号供应到所述喷射电极2
次级绕组7′，其与所述初级绕组5耦合，用于转化所述RF功率源6的所述RF电压并且将所述转化的RF信号供应到所述其它电极3
第一DC电源8
第二DC电源9
控制器50
其中所述喷射电极2和所述其它电极3在纵向方向L上是细长的，
所述纵向方向L与所述喷射方向E之间的夹角α从90°偏离不超过15°，
所述控制器50在一时间段内经由所述次级绕组7将由第一DC电源8提供的第一DC电压施加到所述喷射电极2，以将所述离子阱中的离子拉到所述喷射电极2的所述开口4，以及经由所述次级绕组7′将由所述第二DC电源9提供的第二DC电压施加到至少70％的所述其它电极3，以将所述离子阱中的离子推到所述喷射电极2的所述开口4。


2.根据权利要求1所述的离子阱1，其中所述离子阱1包含3个其它电极3。


3.根据权利要求1所述的离子阱1，其中所述离子阱1包含5个其它电极3。


4.根据权利要求1所述的离子阱1，其中所述离子阱1包含7个其它电极3。


5.根据权利要求1至4中的一项所述的离子阱1，其中所述离子阱是弯曲离子阱。


6.根据权利要求1至5中的至少一项所述的离子阱1，其中所述纵向方向L与所述喷射方向E之间的所述夹角α从90°偏离不超过7°，优选地不超过3°。


7.根据权利要求1至6中的至少一项所述的离子阱1，其中所述控制器50在所述时间段内经由所述次级绕组7′将由所述第二DC电源9提供的所述第二DC电压施加到至少80％的所述其它电极3，以将所述离子阱中的离子推到所述喷射电极2的所述开口4。


8.根据权利要求7所述的离子阱1，其中所述控制器50在所述时间段内经由所述次级绕组7′将由所述第二DC电源9提供的所述第二DC电压施加到所有其它电极3，以将所述离子阱中的离子推到所述喷射电极2的所述开口4。


9.根据权利要求1至8中的至少一项所述的离子阱1，其中所述控制同时经由所述次级绕组7将由第一DC电源8提供的第一DC电压施加到所述喷射电极2，以将所述离子阱中的离子拉到所述喷射电极2的所述开口4，以及经由所述次级绕组7′将由所述第二DC电源9提供的第二DC电压施加到所述至少70％的所述其它电极3，以将所述离子阱中的离子推到所述喷射电极2的所述开口4。


10.根据权利要求1至9中的至少一项所述的离子阱1，其中施加到所述喷射电极2的所述第一DC电压与施加到所述其它电极3的所述第二DC电压之间的电压差在50V与800V之间，优选地在100V和600V之间，并且特别优选地在200V与400V之间。


11.根据权利要求1至10中的至少一项所述的离子阱1，其中所述离子阱包含聚焦透镜10，所述聚焦透镜10被布置用于所述喷射电极2的所述开口4下游的喷射的离子，并且聚焦所述喷射的离子。


12.根据权利要求11所述的离子阱1，其中所述聚焦透镜10具有比所述喷射电极2的所述开口4大的开口11，所述喷射的离子被引导到所述开口11中。


13.根据权利要求11或12所述的离子阱1，其中所述聚焦透镜10是施加有DC电压的静电透镜，使得所述聚焦透镜10的所述DC电压与所述喷射电极2的所述第一DC电压之间的电压差在250V与1,500V之间，优选地在400V与1,000V之间，并且特别优选地在600V与800V之间。


14.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·霍洛弥夫，A·马卡洛夫，JP·哈奇尔德，D·格林菲尔德，E·丹尼索夫，A·彼德森，
申请(专利权)人：塞莫费雪科学不来梅有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE