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一种低振荡的GOA电路制造技术

技术编号:26480573 阅读:86 留言:0更新日期:2020-11-25 19:26
本发明专利技术公开了一种低振荡的GOA电路,该电路包括有上拉模块;上拉模块中包括上拉单元,上拉单元中包括有上拉TFT管,上拉TFT管的漏极接入窄脉冲交流时钟信号;上拉模块中还包括有稳压单元,其中稳压单元中包括有第一稳压TFT管、第二稳压TFT管、第三TFT管;与现有技术相比,电路结构简洁明了、上拉TFT管抗振荡能力强、上拉TFT管不受交流脉冲时钟信号的上升沿影响误打开,电路受振荡影响较小。

【技术实现步骤摘要】
一种低振荡的GOA电路
本专利技术属于AMOLED电路制造
,特别涉及一种GOA电路。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)是将电能直接转换成光能的一种全固体器件,是一种主动发光器件,因其有薄而轻、低能耗、高对比度、快速响应、宽视角、宽工作温度范围等优点而引起极大关注,被认为是新一代显示器件。OLED显示面板由若干个OLED像素电路顺序阵列而成,根据每个像素电路中引入和未引入开关元器件的不同,业内将矩阵显示面板分为有源矩阵显示面板(AMOLED)和无源矩阵显示面板(PMOLED)两种形式。与PMOLED不同,AMOLED的每个像素都有一个由TFT和存储电容组成的驱动电路,从而具有连续发光,低功耗以及发光组件寿命长的特点,成为实现高品质OLED显示的主流。AMOLED显示面板的核心为像素电路和驱动电路。像素电路实现的功能是,在采样阶段,将与OLED亮度呈现一定关系的电信号充到存储电容中,在保持阶段,存储在存储电容中的驱动信号保证OLED在非采样阶段信号持续发光。若干个像素电路以矩阵的形式阵列组合,形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低振荡的GOA电路,该电路包括有上拉模块;所述上拉模块中包括上拉单元,所述上拉单元中包括有上拉TFT管,所述上拉TFT管的漏极接入窄脉冲交流时钟信号;/n其特征在于,所述上拉模块中还包括有稳压单元;/n所述稳压单元中包括有第一稳压TFT管、第二稳压TFT管、第三TFT管;/n所述第一稳压TFT管的栅极与所述上拉TFT管的栅极连接,所述第一稳压TFT管的漏极接入窄脉冲交流时钟信号,所述第一稳压TFT管的源极与所述第二稳压TFT管的漏极连接,所述第二稳压TFT管的栅极也与所述第一稳压TFT管的栅极连接,所述第三稳压TFT管的栅极接入窄脉冲交流时钟信号,所述第三稳压TFT管的源极与所述第一稳...

【技术特征摘要】
1.一种低振荡的GOA电路,该电路包括有上拉模块;所述上拉模块中包括上拉单元,所述上拉单元中包括有上拉TFT管,所述上拉TFT管的漏极接入窄脉冲交流时钟信号;
其特征在于,所述上拉模块中还包括有稳压单元;
所述稳压单元中包括有第一稳压TFT管、第二稳压TFT管、第三TFT管;
所述第一稳压TFT管的栅极与所述上拉TFT管的栅极连接,所述第一稳压TFT管的漏极接入窄脉冲交流时钟信号,所述第一稳压TFT管的源极与所述第二稳压TFT管的漏极连接,所述第二稳压TFT管的栅极也与所述第一稳压TFT管的栅极连接,所述第三稳压TFT管的栅极接入窄脉冲交流时钟信号,所述第三稳压TFT管的源极与所述第一稳压TFT管的栅极连接,所述第三稳压TFT管的漏极连接第一稳压TFT管和第二稳压TFT管的公共端;
所述第二稳压TFT管的源极处引出输出端,输出该GOA电路的输出信号Out(n);所述上拉TFT管的源极处引出输出端,输出该级的行扫描信号Cout(n)。


2.如权利要求1所述的低振荡的GOA电路,其特征在于,该电路还包括有上拉控制模块;
所述上拉控制模块包括有第一TFT管和第二TFT管,所述第一TFT管的栅极接入前一级的级传信号Cout(n-1),所述第一TFT管的源极接入GOA电路的输出信号Out(n-1),所述第一TFT管的源极接入所述第二TFT管的漏极,所述第二TFT管的栅极同样接入前一级的级传信号,所述第二TFT管的源极与所述上拉TFT管的栅极连接。


3.如权利要求2所述的低振荡的GOA电路,其特征在于,该电路还包括有下拉模块,所述下拉模块包括有下拉维持单元、反相单元、第一下拉单元和第二下拉单元;
所述下拉维持单元接入第一直流负电源VGL1,所述下拉维持单元与所述上拉控制单元连接,且所述下拉维持单元还与所述反相单元连接;
所述反相单元接入直流正电源VGH,所述反相单元还与所述第一下拉单元连接;
所述第一下拉单元接入后一级级传信号Cout(n+1),所述第一下拉单元还与所述上拉模块、所述第二下拉单元连接;
所述第二下拉单元接入后一级级传信号Cout(n+1)以及第二直流负电源VGL2,所述第二下拉单元还与所述上拉模块连接。


4.如权利要求3所述的低振荡的GOA电路,其特征在于,所述下拉维持单元包括有第三TFT管和第四TFT管;
所述第三TFT管的栅极与所述第四TFT管的栅极连接;
所述第三TFT管的漏极连接第二TFT管的源极,所述第三TFT管的源极连接所述第四TFT管的漏极,所述第四TFT...

【专利技术属性】
技术研发人员:卿振军李海艳赵乘麟黄国华
申请(专利权)人:邵阳学院
类型:发明
国别省市:湖南;43

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