无预警断电复原管理方法、记忆装置、控制器及电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用来进行无预警断电复原管理的方法、记忆装置、控制器以及电子装置。所述方法可包括：触发写入扩展区块；针对目标区块，设定预计以二元搜寻处理的页面数以及起始页面编号；至少依据所述页面数以及所述起始页面编号，对所述目标区块进行所述二元搜寻以寻找所述目标区块中的第一个空页面；于所述目标区块中从所述第一个空页面起往回进行逐页面搜寻，以寻找所述目标区块中的最后一个有效页面；依据所述最后一个有效页面以及所述第一个空页面决定于所述扩展区块中的放弃范围；以及对所述放弃范围中的全部的扩展页面进行虚拟编程。当断电事件发生时，本发明专利技术通过所述控制器中的高效能断电复原机制快速地恢复运作。

【技术实现步骤摘要】
无预警断电复原管理方法、记忆装置、控制器及电子装置
本专利技术关于闪存(Flashmemory)的存取(access)，尤指一种用来进行无预警断电复原(SuddenPowerOffRecovery，SPOR)管理的方法、相关的记忆装置及其控制器以及相关的电子装置。
技术介绍
闪存可广泛地应用于各种可携式或非可携式记忆装置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD或UFS标准的记忆卡；又例如：固态硬盘；又例如：符合UFS或EMMC规格的嵌入式(embedded)存储装置)中。以常用的NAND型闪存而言，最初有单阶细胞(singlelevelcell,SLC)、多阶细胞(multiplelevelcell,MLC)等类型的闪存。由于存储器的技术不断地发展，较新的记忆装置产品可采用三阶细胞(triplelevelcell,TLC)闪存，甚至四阶细胞(quadruplelevelcell,QLC)闪存。为了确保记忆装置对闪存的存取控制能符合相关规范，闪存的控制器通常备有某些管理机制以妥善地管理其内部运作。依据现有技术，有了这些管理机制的记忆装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用来进行无预警断电复原管理的方法，所述方法应用于一记忆装置，所述记忆装置包括一非挥发性存储器，所述非挥发性存储器包括至少一非挥发性存储器组件，所述方法的特征在于，包括有：/n触发写入一扩展区块，其中所述记忆装置将所述至少一非挥发性存储器组件的一群区块中的多个实体区块彼此关联以形成所述扩展区块，其中于写入所述扩展区块的期间，一无预警断电事件发生，且所述记忆装置被重新上电；/n针对一目标区块，设定预计以二元搜寻处理的一页面数以及一起始页面编号；/n至少依据所述页面数以及所述起始页面编号，对所述目标区块进行所述二元搜寻以寻找所述目标区块中的第一个空页面；/n针对所述目标区块，检查是否满足一放...

【技术特征摘要】
20190522 TW 1081175901.一种用来进行无预警断电复原管理的方法，所述方法应用于一记忆装置，所述记忆装置包括一非挥发性存储器，所述非挥发性存储器包括至少一非挥发性存储器组件，所述方法的特征在于，包括有：
触发写入一扩展区块，其中所述记忆装置将所述至少一非挥发性存储器组件的一群区块中的多个实体区块彼此关联以形成所述扩展区块，其中于写入所述扩展区块的期间，一无预警断电事件发生，且所述记忆装置被重新上电；
针对一目标区块，设定预计以二元搜寻处理的一页面数以及一起始页面编号；
至少依据所述页面数以及所述起始页面编号，对所述目标区块进行所述二元搜寻以寻找所述目标区块中的第一个空页面；
针对所述目标区块，检查是否满足一放弃条件、或所述目标区块全满或全空；
因应所述放弃条件并未被满足、且所述目标区块并不是全满且不是全空，于所述目标区块中从所述第一个空页面起往回进行逐页面搜寻，以寻找所述目标区块中的最后一个有效页面；
依据所述最后一个有效页面以及所述第一个空页面决定于所述扩展区块中的一放弃范围；以及
对所述放弃范围中的全部的扩展页面进行虚拟编程。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标区块代表所述扩展区块，所述目标区块中的第一个空页面代表所述扩展区块中的第一个空页面，且所述最后一个有效页面代表所述扩展区块中的最后一个有效页面。


3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，依据所述最后一个有效页面以及所述第一个空页面决定于所述扩展区块中的所述放弃范围包括：
检查于所述扩展区块中的所述最后一个有效页面是否对齐一超级页面；
因应于所述扩展区块中的所述最后一个有效页面对齐所述超级页面，将于所述扩展区块中的所述最后一个有效页面的下一个扩展页面决定为所述放弃范围中的一起始扩展页面；以及
将于所述扩展区块中的所述第一个空页面决定为所述放弃范围中的一结束扩展页面。


4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，依据所述最后一个有效页面以及所述第一个空页面决定于所述扩展区块中的所述放弃范围包括：
检查于所述扩展区块中的所述最后一个有效页面是否对齐一超级页面；
因应于所述扩展区块中的所述最后一个有效页面并未对齐所述超级页面，将于所述扩展区块中的所述最后一个有效页面所在的所述超级页面中的第一个扩展页面决定为所述放弃范围中的一起始扩展页面；以及
将于所述扩展区块中的所述第一个空页面决定为所述放弃范围中的一结束扩展页面。


5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标区块代表所述多个实体区块中的一实体区块，所述目标区块中的第一个空页面代表所述实体区块中的第一个空页面，且所述最后一个有效页面代表所述实体区块中的最后一个有效页面。


6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，依据所述最后一个有效页面以及所述第一个空页面决定于所述扩展区块中的所述放弃范围包括：
将于所述实体区块中的所述最后一个有效页面的下一个扩展页面决定为所述放弃范围中的一起始扩展页面；以及
将于所述最后一个实体区块中的所述第一个空页面决定为所述放弃范围中的一结束扩展页面。


7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一非挥发性存储器组件包括多个非挥发性存储器组件，所述多个非挥发性存储器组件中的每一非挥发性存储器组件包括多个平面，且所述多个平面中的每一平面包括多个区块；以及所述多个实体区块代表分别属于不同的非挥发性存储器组件的各自的平面的实体区块。


8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述多个非挥发性存储器组件分别是多个存储器裸晶；以及所述实体区块代表所述多个实体区块中的具有最大裸晶编号且具有最大平面编号的实体区块。


9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述实体区块代表所述多个实体区块中的用来存储所述扩展区块的各个超级页面的各自的最后一笔数据的实体区块。


10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
将一实体对逻辑地址映像表中的对应于所述放弃范围的任何条目记录为一无效标签，以无效化所述放弃范围中的任何扩展页面。


11.一种记忆装置，其特征在于，包括有：
一非挥发性存储器，用来存储信息，其中所述非挥发性存储器包括至少一非挥发性存储器组件；以及
一控制器，耦接至所述非挥发性存储器，用来控制所述记忆装置的运作，其中所述控制器包括：
一处理电路，用来依据来自一主装置的多个主装置指令控制所述控制器，以容许所述主装置通过所述控制器存取所述非挥发性存储器，其中：
所述控制器触发写入一扩展区块，其中所述控制器将所述至少一非挥发性存储器组件的一群区块中的多个实体区块彼此关联以形成所述扩展区块，其中于写入所述扩展区块的期间，一无预警断电事件发生，且所述记忆装置被重新上电；
针对一目标区块，所述控制器设定预计以二元搜寻处理的一页面数以及一起始页面编号；...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢松晏，
申请(专利权)人：慧荣科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71