【技术实现步骤摘要】
瞬间断电回复处理方法及装置以及计算机可读取存储介质
本专利技术涉及数据存储装置，尤指一闪存存储装置的瞬间断电回复处理方法及装置以及计算机可读取存储介质。
技术介绍
闪存存储装置通常分为NOR闪存存储装置与NAND闪存存储装置。NOR闪存存储装置为随机存取装置，主机端(Host)可在地址引脚上提供任何存取NOR闪存存储装置的地址，并及时地从NOR闪存存储装置的数据引脚上获得存储于该地址上的数据。相反地，NAND闪存存储装置并非随机存取，而是序列存取。NAND闪存存储装置无法像NOR闪存存储装置一样，可以存取任何随机地址，主机端反而需要写入序列的字节(Bytes)的值到NAND闪存存储装置中，用以定义请求命令(Command)的类型(如，读取、写入、抹除等)，以及用在此命令上的地址。地址可指向一个页面(闪存存储装置中写入操作的最小数据块)或一个区块(闪存存储装置中抹除操作的最小数据块)。由于自然或人为引起的瞬间断电可能让易失性动态随机存取存储器中存储的数据丢失，因此，本专利技术实施例提出一种的瞬间断电回复处理方法及装置以...
【技术保护点】
1.一种瞬间断电回复处理方法，由电子装置中的处理单元，其特征在于，所述方法包含：/n在侦测到所述电子装置发生瞬间断电后，驱动闪存接口将主装置传送的数据以单层式单元模式通过多个通道写入多个逻辑单元号的拟单层式单元块；/n其中，所述多个拟单层式单元块于正常运行时被保留下来而不写入数据，直到侦测到发生瞬间断电。/n
【技术特征摘要】
1.一种瞬间断电回复处理方法，由电子装置中的处理单元，其特征在于，所述方法包含：
在侦测到所述电子装置发生瞬间断电后，驱动闪存接口将主装置传送的数据以单层式单元模式通过多个通道写入多个逻辑单元号的拟单层式单元块；
其中，所述多个拟单层式单元块于正常运行时被保留下来而不写入数据，直到侦测到发生瞬间断电。
2.如权利要求1所述的瞬间断电回复处理方法，其特征在于，包含：
当侦测到主装置发出预先设定的命令时，判断所述电子装置发生瞬间断电。
3.如权利要求1所述的瞬间断电回复处理方法，其特征在于，包含：
当在命令队列中发现长数据写入命令后接着连续写入命令时，判断所述电子装置发生瞬间断电。
4.如权利要求1所述的瞬间断电回复处理方法，其特征在于，包含：
当在命令队列中发现主机写入命令的起始逻辑地址落入默认区间时，判断所述电子装置发生瞬间断电。
5.如权利要求1至4中任一项所述的瞬间断电回复处理方法，其特征在于，每个所述逻辑单元号中的每个物理块区分为一般块或所述拟单层式单元块，所述拟单层式单元块中的存储单元为三层式单元或四层式单元，以及所述单层式单元模式的数据写入编程所述拟单层式单元块中的每个存储单元成为两个状态中的一个。
6.如权利要求1至4中任一项所述的瞬间断电回复处理方法，其特征在于，包含：
在侦测到所述电子装置发生瞬间断电后，驱动所述闪存接口将所述主装置传送的数据以交错页编程的方式写入所述多个逻辑单元号的所述拟单层式单元块。
7.如权利要求1所述的瞬间断电回复处理方法，其特征在于，包含：
侦测到所述主装置已经完成瞬间断电回复后，驱动所述闪存接口抹除所有拟单层式单元块的存储单元。
8.如权利要求7所述的瞬间断电回复处理方法，其特征在于，包含：
当侦测到主装置发出命令指示修剪所述拟单层式单元块时，判断所述电子装置已经完成瞬间断电回复。
9.如权利要求7所述的瞬间断电回复处理方法，其特征在于，包含：
当侦测到所有拟单层式单元块的数据都已经被主装置读取时，判断所述电子装置已经完成瞬间断电回复。
10.一种瞬间断电回复处理的计算机可读取存储介质，用于存储能够被处理单元执行的计算机程序，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：简介信，包镒华，
申请(专利权)人：慧荣科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。