一种电学法测量结型半导体发光器件光效退化参数的方法技术

一种电学法测量结型半导体发光器件光效退化参数的方法属于半导体发光器件产品的质量监控领域。半导体发光器件（发光管和激光器）的发光效率η是决定产品退化和工作寿命的重要参数。发光效率的测量通常使用光学仪器。本技术利用光效与器件温升和热阻的关系，通过使用电学参数方法，测量器件的温升和热阻随老化工作时间的变化关系，测出发光器件光效的退化参数。本技术适用于半导体发光器件产品的质量监控，可靠性分析和寿命预测的生产和研究等领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术适用于半导体发光器件产品的质量监控，可靠性分析和寿命预测的生产和研究等领域。
技术介绍
半导体发光器件(发光管和激光器)的发光效率η(简称光效，也是能量辐射效率)是决定产品退化和工作寿命的重要参数。发光效率的测量通常使用光学仪器，如积分球等。在发光器件的可靠性分析方面，器件的工作温升和热阻的变化是另外经常需要测量的重要参数。采用本专利技术技术，即可在测量温升和热阻的同时，测量出发光效率的退化。可以省略了发光效率测量设备和步骤，大大提高测量效率。
技术实现思路
本技术的目的是利用光效与器件温升和热阻的关系，通过使用电学参数方法，测量器件的温升和热阻随老化工作时间的变化关系，测出发光器件光效参数的退化。电学法测量半导体发光器件的工作温升是利用正向小电流下，半导体PN结结电压随温度升高，线性减少，即Vj＝Vj0—αT。只要在已知的两个温度下，测出其温度系数α，再测量出器件工作时其恒定小电流下的Vj的减少量ΔVj，除以温度系数α，就得到了其工作的温升ΔT＝ΔVj/α。当器件的工作电压为V，电流为I，功率为W＝V*I施加到器件上之后，会产生温升ΔT。但是这些功率中，有部分功率是以光能W本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电学法测量结型半导体发光器件光效退化参数的方法，其特征在于，包括以下步骤：　（１）测量或获取被测器件的发光效率参数η↓［０］，测量被测器件的表观热阻Ｒｔｈ－ａ（０）；　（２）对被测器件加工作电流或老化电流，工作一定时间ｔ１后，测量器件正常工作条件下的表观热阻Ｒｔｈ－ａ（ｔ１）；　（３）再对被测器件施加步骤（２）相同大小的电流，工作一定时间ｔ２后，测量器件正常工作条件下的表观热阻ｔ１＋ｔ２时间后的Ｒｔｈ－ａ（ｔ１＋ｔ２）；　（４）重复（３）步骤，得到一系列值：ｔ１，ｔ２，．．．．ｔｎ，Ｒｔｈ－ａ（ｔ１），Ｒｔｈ－ａ（ｔ１＋ｔ２），…，…Ｒｔｈ－ａ（ｔ１＋ｔ２＋…ｔｎ），按照公式（１－Ｒ↓［ｔ...

【技术特征摘要】
1.一种电学法测量结型半导体发光器件光效退化参数的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)测量或获取被测器件的发光效率参数η0，测量被测器件的表观热阻Rth-a(0)；(2)对被测器件加工作电流或老化电流，工作一定时间t1后，测量器件正常工作条件下的表观热阻Rth-a(t1)；(3)再对被测器件施加步骤(2)相同大小的电流，工作一定时间t2后，测量器件正常工作条件下的表观热阻t1+t2时间后的Rth-a(t1+t2)；(4)重复(3)步骤，得到一系列值...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯士维，张光沉，郭春生，王璐，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]