光波导制备方法及光波导技术

本发明专利技术公开一种光波导制备方法及光波导，其中，所述光波导制备方法，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上形成有待刻蚀基体，所述待刻蚀基体为无机材料；于所述待刻蚀基体一侧涂覆光刻胶；对所述光刻胶进行纳米压印，以形成纳米压印掩膜；以及采用干法刻蚀对所述纳米压印掩膜和所述待刻蚀基体进行刻蚀，以除去纳米压印掩膜，并在所述待刻蚀基体上形成目标光栅。本发明专利技术通过采用无机材料作为待刻蚀基体，在采用干法刻蚀在待刻蚀基体上形成目标光栅，所形成的目标光栅为无机材料，使目标光栅能够具有较高的可靠性，不容易出现变黄的问题，有助于提升光波导的美观性和使用效果。

【技术实现步骤摘要】
光波导制备方法及光波导
本专利技术涉及增强现实领域，特别涉及一种光波导制备方法及光波导。
技术介绍
现有的AR（AugmentedReality，增强现实）光波导制备方法主要是通过纳米压印的方式在光刻胶上形成光栅图案。直接用纳米压印方式获得的光栅的主要成分是光刻胶，一般都是高分子聚合物，不耐高温高湿，时间久了会变黄，影响美观和使用效果。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提出一种光波导制备方法及光波导，旨在改善现有光波导制备方法形成的光栅容易影响美观和使用效果的问题。为实现上述目的，本专利技术提出的光波导制备方法，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上形成有待刻蚀基体，所述待刻蚀基体为无机材料；于所述待刻蚀基体一侧涂覆光刻胶；对所述光刻胶进行纳米压印，以形成纳米压印掩膜；以及采用干法刻蚀对所述纳米压印掩膜和所述待刻蚀基体进行刻蚀，以除去纳米压印掩膜，并在所述待刻蚀基体上形成目标光栅。可选地，所述干法刻蚀的刻蚀选择比为1。可选地，在执行所述提供一衬底，所述衬底上形成有待刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光波导制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一衬底，所述衬底上形成有待刻蚀基体，所述待刻蚀基体为无机材料；/n于所述待刻蚀基体一侧涂覆光刻胶；/n对所述光刻胶进行纳米压印，以形成纳米压印掩膜；以及/n采用干法刻蚀对所述纳米压印掩膜和所述待刻蚀基体进行刻蚀，以除去纳米压印掩膜，并在所述待刻蚀基体上形成目标光栅。/n

【技术特征摘要】
1.一种光波导制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底，所述衬底上形成有待刻蚀基体，所述待刻蚀基体为无机材料；
于所述待刻蚀基体一侧涂覆光刻胶；
对所述光刻胶进行纳米压印，以形成纳米压印掩膜；以及
采用干法刻蚀对所述纳米压印掩膜和所述待刻蚀基体进行刻蚀，以除去纳米压印掩膜，并在所述待刻蚀基体上形成目标光栅。


2.如权利要求1所述的光波导制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀的刻蚀选择比为1。


3.如权利要求1所述的光波导制备方法，其特征在于，在执行所述提供一衬底，所述衬底上形成有待刻蚀基体，所述待刻蚀基体为无机材料之后，所述光波导制备方法还包括：
于所述衬底上形成薄膜层，所述薄膜层形成所述待刻蚀基体，所述薄膜层的折射率大于所述衬底的折射率。


4.如权利要求3所述的光波导制备方法，其特征在于，所述薄膜层为透明金属氧化物制成...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜凯凯，赵东峰，李琨，臧法珩，赵恩，程鑫，杨镇源，
申请(专利权)人：歌尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37