一种微弱交变磁场探测器制造技术

本发明专利技术提供了一种微弱交变磁场探测器，包括：槽体、磁流体、四氧化三铁颗粒，磁流体置于槽体内，磁流体内设有四氧化三铁颗粒；应用时，线偏振光倾斜照射磁流体，在垂直于入射面方向施加外磁场，在待测交变磁场作用下，四氧化三铁颗粒产生热，从而改变磁流体的磁导率，从而改变反射光的强度，通过探测反射光的强度实现交变磁场探测。因为磁流体的磁导率显著地依赖于磁流体的温度，所以在待测交变磁场的作用下，四氧化三铁颗粒产生的热能够显著地改变反射光的强度，因此本发明专利技术具有灵敏度高的优点，在微弱交变磁场探测领域具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种微弱交变磁场探测器
本专利技术涉及交变磁场探测领域，具体涉及一种微弱交变磁场探测器。
技术介绍
随着电子产品的普及，电磁辐射对人体健康的危害日益得到关注，电磁辐射的测量和评估成为研究的热点。现有技术中，不能针对微弱交变磁场进行高灵敏度测量。
技术实现思路
为解决以上问题，本专利技术提供了一种微弱交变磁场探测器，包括：槽体、磁流体、四氧化三铁颗粒，磁流体置于槽体内，磁流体内设有四氧化三铁颗粒；应用时，线偏振光倾斜照射磁流体，在垂直于入射面方向施加外磁场，在待测交变磁场作用下，四氧化三铁颗粒产生热，从而改变磁流体的磁导率，从而改变反射光的强度，通过探测反射光的强度实现交变磁场探测。更进一步地，还包括贵金属部，贵金属部固定在槽体的底部。更进一步地，贵金属部为圆柱。更进一步地，圆柱的直径大于40纳米、小于100纳米。更进一步地，贵金属部的材料为金。更进一步地，贵金属部周期排布。更进一步地，还包括反射膜，反射膜置于槽体的底部，贵金属部置于反射膜上。更进一步地，反射膜的材料为金本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微弱交变磁场探测器，其特征在于，包括：槽体、磁流体、四氧化三铁颗粒，所述磁流体置于所述槽体内，所述磁流体内设有所述四氧化三铁颗粒；应用时，线偏振光倾斜照射所述磁流体，在垂直于入射面方向施加外磁场，在待测交变磁场作用下，所述四氧化三铁颗粒产生热，从而改变所述磁流体的磁导率，从而改变反射光的强度，通过探测反射光的强度实现交变磁场探测。/n

【技术特征摘要】
1.一种微弱交变磁场探测器，其特征在于，包括：槽体、磁流体、四氧化三铁颗粒，所述磁流体置于所述槽体内，所述磁流体内设有所述四氧化三铁颗粒；应用时，线偏振光倾斜照射所述磁流体，在垂直于入射面方向施加外磁场，在待测交变磁场作用下，所述四氧化三铁颗粒产生热，从而改变所述磁流体的磁导率，从而改变反射光的强度，通过探测反射光的强度实现交变磁场探测。


2.如权利要求1所述的微弱交变磁场探测器，其特征在于：还包括贵金属部，所述贵金属部固定在所述槽体的底部。


3.如权利要求2所述的微弱交变磁场探测器，其特征在于：所述贵金属部为圆柱。


4.如权利要求3所述的微弱交变磁场探测器，其特征在于：所述圆柱的直径大于40纳米、小于100纳米。
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【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：中山科立特光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44