一种检测太赫兹信号的超导氮化铌热电子接收检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种检测太赫兹信号的超导氮化铌热电子接收检测装置，该装置包括：入射信号源、本振信号源、光束分离器、超半球透镜、偏置电源、杜瓦、低温和常温放大器、滤波器、功率计和超导氮化铌热电子器件。被检测信号由入射信号源发出，通过光束分离器后，与本振信号一起由杜瓦的窗口入射至Ｓｉ超半球透镜上，再经Ｓｉ超半球透镜汇聚至氮化铌热电子器件上。由偏置电压源提供的直流偏置由Ｔ型偏置接头提供到氮化铌热电子器件上，检测出的中频信号经由低温和常温放大器放大、滤波器滤波后，由功率计读出。本发明专利技术所述的超导氮化铌热电子接收检测装置具有灵敏度高，所需本振功率低，中频带宽宽等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种超导氮化铌(NbN)热电子(HEB)接收检测装置，特别是一种检测太赫兹波段的超导氮化铌(NbN)热电子(HEB)接收检测装置。
技术介绍
太赫兹波(THz)段的接收检测技术在射电天文、大气物理、大气环境检测(臭氧层的形成和演变)等研究中具有重要的作用，在生物体无损检测，未来无线网络等方面也具有很好的应用潜力。近十几年中，由于薄膜制备技术和微细加工技术的高速发展，大大促进了超导热电子器件的迅速发展。超导HEB器件是通过吸收外来辐照，在超导超薄薄膜中产生非平衡的热电子，器件的电性能发生改变，从而实现对信号的检测。超导HEB混频器主要包括两个部分：一个是用以检测THz信号的超导微桥区，另一个是连接微桥区的正常金属材料的平面天线。平面天线的作用是会聚辐射过来的THz信号，并导入超导微桥区。从器件的工作机制上，可将超导HEB分为两类，一类是扩散制冷型器件，这类HEB要求器件的长度即超导微桥区的长度(约为0.1μm)必须小于电子的热扩散长度。另一类是声子制冷型HEB，又称晶格制冷型，这类器件的工作机制是器件吸收外来辐照，产生高于声子温度的热电子，电子与声子互作用，交换能量，声本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测太赫兹信号的超导氮化铌热电子接收检测装置，其特征是该装置包括：入射信号源、本振信号源、光束分离器、超半球透镜、偏置电源、杜瓦、低温和常温放大器、滤波器、功率计和超导氮化铌热电子器件；被检测信号由入射信号源发出，通过光束分离器后，与本振信号一起由杜瓦的窗口入射至Ｓｉ超半球透镜上，再经Ｓｉ超半球透镜汇聚至氮化铌热电子器件上，由偏置电压源提供的直流偏置由Ｔ型偏置接头提供到氮化铌热电子器件上，氮化铌热电子器件检测出的中频信号经由低温和常温放大器放大、滤波器滤波后，由功率计读出。

【技术特征摘要】
1、一种检测太赫兹信号的超导氮化铌热电子接收检测装置，其特征是该装置包括：入射信号源、本振信号源、光束分离器、超半球透镜、偏置电源、杜瓦、低温和常温放大器、滤波器、功率计和超导氮化铌热电子器件；被检测信号由入射信号源发出，通过光束分离器后，与本振信号一起由杜瓦的窗口入射至Si超半球透镜上，再经Si超半球透镜汇聚至氮化铌热电子器件上，由偏置电压源提供的直流偏置由T型偏置接头提供到氮化铌热电子器件上，氮化铌热电子器件检测出的中频信号经由低温和常温放大器放大、滤波器滤波后，由功率计读出。2、根据权利要求1所述的一种检测太赫兹信号的超导氮化铌热电子接收检测装置，其特征在于所述的入射信号源为冷负载为77K或热负载为297K的一个黑体。3、根据权利要求1所述的一种检测太赫兹信号的...

【专利技术属性】
技术研发人员：康琳，陈健，吴培亨，王金平，梁敏，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]