半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序制造方法及图纸

由取得半导体器件的不良观察图像（Ｐ２）的检查信息取得部（１１）、取得布图信息的布图信息取得部（１２）、进行不良分析的不良分析部（１３）构成不良分析装置（１０）。不良分析部（１３）抽出半导体器件的多个网路中通过从不良观察图像设定的多个分析区域的至少１个的候补网路、以及该候补网路通过分析区域的通过次数，选择通过次数最多的候补网路，以作为第１不良网路，并且，着眼于第１不良网路未通过的分析区域，进行第２不良网路的选择。由此，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于对半导体器件的不良(defect)进行分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。
技术介绍
作为取得用于分析半导体器件的不良的观察图像的半导体检查装置，目前使用放射显微镜、OBIRCH装置、时间分解放射显微镜等。借助这些检查装置，使用作为不良观察图像而取得的发光图像或OBIRCH图像，能够分析半导体器件的故障部位等的不良(例如，参照专利文献1、2)。专利文献1：日本专利申请公开第2003-86689号公报专利文献2：日本专利申请公开第2003-303746号公报
技术实现思路
近年来，在半导体不良分析中，成为分析对象的半导体器件的微细化和高集成化正在进行，使用上述的检查装置的不良部位的分析变得困难。因此，为了对这种半导体器件进行不良部位的分析，提高用于从不良观察图像来推断半导体器件的不良部位的分析处理的可靠性及其效率是必要且不可缺的。本专利技术是为了解决上述的问题而提出的，其目的在于，提供一种能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。为了达到该目的，本专利技术的半导体不良分析装置是分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体不良分析装置，分析半导体器件的不良，其特征在于，　具备：　检查信息取得模块，取得进行与不良相关的检查而得到的、包含起因于不良的反应信息的不良观察图像，以作为半导体器件的观察图像；　布图信息取得模块，取得所述半导体 器件的布图信息；　不良分析模块，参照所述不良观察图像和所述布图信息，进行与所述半导体器件的不良相关的分析，　所述不良分析模块具有：　区域设定模块，用于参照所述不良观察图像，对应于所述的反应信息而设定分析区域；　网路信 息分析模块，参照所述分析区域，对所述半导体器件的布图所包含的多个网路进行不良分...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-6-14 165185/20061.一种半导体不良分析装置，分析半导体器件的不良，其特征在于，具备：检查信息取得模块，取得进行与不良相关的检查而得到的、包含起因于不良的反应信息的不良观察图像，以作为半导体器件的观察图像；布图信息取得模块，取得所述半导体器件的布图信息；不良分析模块，参照所述不良观察图像和所述布图信息，进行与所述半导体器件的不良相关的分析，所述不良分析模块具有：区域设定模块，用于参照所述不良观察图像，对应于所述的反应信息而设定分析区域；网路信息分析模块，参照所述分析区域，对所述半导体器件的布图所包含的多个网路进行不良分析，所述网路信息分析模块，在由所述区域设定模块设定多个分析区域的情况下，抽出所述多个网路中通过所述多个分析区域的至少1个的候补网路、以及该候补网路通过分析区域的通过次数，针对所抽出的多个候补网路，选择所述通过次数最多的候补网路，以作为第1不良网路，并且，着眼于所述第1不良网路未通过的分析区域，进行第2不良网路的选择。2.如权利要求1所述的不良分析装置，其特征在于，所述网路信息分析模块，在所述第1不良网路未通过的分析区域中指定一个分析区域，参照除了所述第1不良网路之外的各个所述候补网路是否通过所指定的所述一个分析区域，进行所述第2不良网路的选择。3.如权利要求1或2所述的不良分析装置，其特征在于，所述网路信息分析模块，参照各个所述候补网路通过所述第1不良网路所通过的分析区域的通过次数以及通过所述第1不良网路未通过的分析区域的通过次数，对除了所述第1不良网路之外的所述候补网路进行所述第2不良网路的选择。4.如权利要求1～3中的任一项所述的不良分析装置，其特征在于，所述网路信息分析模块，在包括所述第1不良网路以及所述第2不良网路的不良网路的选择结果不满足规定的条件的情况下，将所述第1不良网路或者所述第2不良网路的至少一者变更为其它的候补网路。5.如权利要求1～4中的任一项所述的不良分析装置，其特征在于，所述区域设定模块，在与所述半导体器件的布图相对应的布图坐标系中设定所述分析区域。6.如权利要求1～5中的任一项所述的不良分析装置，其特征在于，具备信息显示控制模块，该信息显示控制模块在显示模块显示由所述区域设定模块和所述网路信息分析模块生成的与所述半导体器件的不良的分析结果相关的信息，所述信息显示控制模块，在所述显示模块显示将由所述网路信息分析模块抽出的所述候补网路以及该网路通过分析区域的所述通过次数一览显示的网路的清单，以作为所述分析结果。7.如权利要求1～5中的任一项所述的不良分析装置，其特征在于，具备信息显示控制模块，该信息显示控制模块在显示模块显示由所述区域设定模块和所述网路信息分析模块生成的与所述半导体器件的不良的分析结果相关的信息，所述信息显示控制模块，在所述显示模块显示分析图像以作为所述分析结果，该分析图像包括由所述区域设定模块设定的所述分析区域以及由所述网路信息分析模块抽出的通过所述分析区域的网路，并且，在所述分析图像中，将所抽出的通过所述分析区域的网路高亮显示。8.如权利要求1～5中的任一项所述的不良分析装置，其特征在于，具备信息显示控制模块，该信息显示控制模块在显示模块显示由所述区域设定模块和所述网路信息分析模块生成的与所述半导体器件的不良的分析结果相关的信息，所述信息显示控制模块，在所述显示模块显示将由所述网路信息分析模块抽出的所述候补网路通过分析区域的所述通过次数柱状图化的网路的图表，以作为所述分析结果。9.一种半导体不良分析方法，分析半导体器件的不良，其特征在于，具备：检查信息取得步骤，取得进行与不良相关的检查而得到的、包含起因于不良的反应信息的不良观察图像，以作为半导体器件的观察图像；布图信息取得步骤，取得所述半导体器件的布图信息；不良分析步骤，参照所述不良观察图像和所述布图信息，进行与所述半导体器件的不良相关的分析，所述不良分析步骤包括：区域设定步骤，用于参照所述不良观察图像，对应于所述反应信息而设定分析区域；网路信息分析步骤，参照所述分析区域，对所述半导体器件的布图所包含的多个网路进行不良分析，所述网路信息分析步骤中，在由所述区域设定步骤设定多个分析区域的情况下，抽出所述多个网路中通过所述多个分析区域的至少1个的候补网路、以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：真岛敏幸，嶋瀬朗，寺田浩敏，堀田和宏，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]