一种基于氟硼二吡咯发光体的长余辉发光组合物及应用制造技术

本发明专利技术提供了一种基于氟硼二吡咯发光体的长余辉发光组合物及应用，属于长余辉发光材料领域。本发明专利技术涉及的长余辉发光组合物包括：吸光剂、缓存剂和氟硼二吡咯发光体，因为本发明专利技术基于氟硼二吡咯小分子易于修饰的特点，可以通过化学修饰调整氟硼二吡咯发光体分子结构，改变其发光性质，从而进一步改变复合体系长余辉发光性质使该复合体系具有特定功能，所以基于氟硼二吡咯发光体的长余辉发光组合物还可配制长余辉发光体系，广泛应用于生物和商标防伪等领域。

【技术实现步骤摘要】
一种基于氟硼二吡咯发光体的长余辉发光组合物及应用
本专利技术属于长余辉发光材料领域，具体涉及一种基于氟硼二吡咯发光体的长余辉发光组合物及应用。
技术介绍
长余辉光是一种具有延时性的发光现象，其在激发光停止后仍然可以发出长寿命的光，通常其具有大于100ms的发光寿命。与其他常见的光致发光过程相比，长余辉发光可以把激发光和发射光在时间维度错开，在一定的时间内得到没有激发光背景的单独的发光信号。基于这种特殊的机制，长余辉光通常具有较高的信噪比，从而其可以被应用于生物成像和商标防伪等领域。然而，目前的有机长余辉材料主要为碳点、单组分有机化合物和高分子等几类。而这几类材料不足之处在于：一方面，长余辉发光需要特定的分子结构实现，因此通过调控分子结构来调节长余辉光学性质比较困难；另一方面，这几类发光体的量子产率通常不高，很难实现高亮度的长余辉光发射。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述问题而进行的，目的在于提供一种基于氟硼二吡咯发光体的长余辉发光组合物及应用。本专利技术提供了一种基于氟硼二吡咯发光体的长余辉发光组合物，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于氟硼二吡咯发光体的长余辉发光组合物，其特征在于，包括吸光剂、缓存剂和氟硼二吡咯发光体；/n其中，所述氟硼二吡咯发光体的结构式如式1所示：/n

【技术特征摘要】
1.一种基于氟硼二吡咯发光体的长余辉发光组合物，其特征在于，包括吸光剂、缓存剂和氟硼二吡咯发光体；
其中，所述氟硼二吡咯发光体的结构式如式1所示：



式1中，R1、R3、R5和R7独立选自氢、甲基或-(CH＝CH-)n-A；n为1-3的整数；A选自苯基、对甲基苯基、对乙基苯基、对甲氧基苯基、对二甲氨基苯基、对二乙氨基苯基、2,4,6-三甲基苯基、2,4,6-三乙基苯基、2,4,6-三甲氧基苯基、2,4,6-三二甲氨基苯基、2,4,6-三二乙氨基苯基、4-N-甲基咔唑基或4-N-乙基咔唑基中的任意一种；
R2和R6独立选自氢或C1-C6烷基；
R8选自氢、氨基、二甲氨基、二乙胺基、二丙氨基、C1-C6烷基(包含所有异构体)、苯基、2,4,6-三甲基苯基、2,4,6-三乙基苯基、2,4,6-三丙基苯基、2,4,6-三异丙基苯基、2,4,6-三丁基苯基、2,4,6-三仲丁基苯基、2,4,6-三异丁基苯基、2,4,6-三叔丁基苯基、2,4,6-三甲氧基苯基、1-萘基、9-蒽基或2-马来酰亚胺基苯基中的任意一种。


2.根据权利要求1所述的长余辉发光组合物，其特征在于，
其中，所述氟硼二吡咯发光体的结构式如式2所示：



式2中，m为1-3的整数；R9独立选自甲基、乙基或甲氧基中的任意一种；R2和R6独立选自氢、乙基或叔丁基中的任意一种；
R12选自苯基、对甲基苯基、对乙基苯基、对甲氧基苯基、对二甲氨基苯基、对二乙氨基苯基、2,4,6-三甲基苯基、2,4,6-三乙基苯基、2,4,6-三甲氧基苯基、2,4,6-三二甲氨基苯基、2,4,6-三二乙氨基苯基、4-N-甲基咔唑基或4-N-乙基咔唑基中的任意一种。


3.根据权利要求1所述的长余辉发光组合物，其特征在于，
其中，所述氟硼二吡咯发光体的结构式如式3所示：



式3中，R3和R5独立选自氢、甲基或-(CH＝CH-)n-A，n为1-3的整数，A选自苯基、对甲基苯基、对乙基苯基、对甲氧基苯基、对二甲氨基苯基、对二乙氨基苯基、2,4,6-三甲基苯基、2,4,6-三乙基苯基...

【专利技术属性】
技术研发人员：李富友，徐明，贾倜，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：上海;31