含硫单分子树脂及其光刻胶组合物制造技术

一种如下式(I)所示的化合物，其中R

【技术实现步骤摘要】
含硫单分子树脂及其光刻胶组合物
本专利技术属于材料
，具体涉及一类含硫的单分子树脂及其光刻胶组合物、光刻胶涂层及其应用。
技术介绍
光刻胶又称为光致抗蚀剂，是一类通过光束、电子束、离子束或x射线等能量辐射后，溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。光刻胶广泛用于集成电路和半导体分立器件的微细加工。通过将光刻胶涂覆在半导体、导体或绝缘体表面，经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用蚀刻剂进行蚀刻就可将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工的衬底上，因此光刻胶是器件微细加工技术中的关键性材料。随着半导体工业的迅速发展，光刻技术要求达到的分辨率越来越高，边缘粗糙度要求也越来越小，对光刻胶材料所能达到的综合性能提出了更高的要求。传统的光刻胶主体材料采用分子量5000～15000道尔顿的聚合物树脂，这类聚合物树脂通常由于分子体积太大、分子量多分散以及分子链的缠绕等原因影响光刻图案的分辨率和边缘粗糙度，无法满足更为精细的刻线要求。通过化学合成控制的方法，来降低光刻胶主体材料树脂的分子量到一定大小，使其达到单一分子状态，形成单分子树脂，是实现高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种如下式(I)所示的化合物：/n

【技术特征摘要】
1.一种如下式(I)所示的化合物：



其中：
式(I)中，R0、Ra1～Ra12相同或不同，各自独立地表示H、羟基、或-ORb，所述Rb为具有酸敏感性的基团；
条件是上述基团R0、Ra1～Ra12中至少有一个不为H。


2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述具有酸敏感性的基团Rb为-CR1-O-R1、-CO-O-R1、-CH2-CO-O-R1、
其中R1相同或不同，彼此独立地选自未取代，或任选被一个、两个或更多个Rs取代的如下基团：C1-15烷基，C3-20环烷基、C7-20桥环基；

的环上任选被一个、两个或更多个Rs取代；
m为1至4的任一整数，表示基团与主体结构的连接键；
Rs相同或不同，彼此独立地选自如下基团：NO2、卤素、C1-15烷基、C1-15烷氧基、C3-20环烷基；
优选地，所述R1为被C1-6烷基取代或未取代的如下基团：C1-6烷基，C3-8单环环烷基、C7-12桥环环烷基；
还优选地，所述具有酸敏感性的基团Rb选自如下：



其中，表示连接键。


3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于，所述式(I)所示的化合物选自如下化合物：





4.权利要求1-3任一项所述化合物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：



其中，R0、Ra1～Ra12如权利要求1-3任一项所定义，R0’、Ra1’～Ra12’相同或不同，各自独立地表示氢原子或羟基；
将式(II)化合物与还原剂反应，制备得到式(I)化合物，其中，R0、Ra1～Ra12独立的选自H或-OH；
任选的，将上述得到的式(I)化合物与化合物Rb-L反应，制备得到R0、Ra1～Ra12独立的选自H或-ORb的式(I)化合物；其中L为离去基团或者L与Rb构成含R的酸酐，所述-Rb为酸敏感性基团。


5.权利要求1-3任一项所述化合物的用途，其特征在于，用作光刻胶的主体材料。


6.一种正性光刻胶组合物，其特征在于，包括权利要求1-3任一项所述化合物，光酸产生剂，以及光刻胶溶剂；
优选地，式(I)中Ra1～Ra12、R0中至少一个为-ORb；
优选地，Ra1～Ra12中在每个苯环上至少具有一个-ORb；
优选地，所述正性光...

【专利技术属性】
技术研发人员：李嫕，张卫杰，陈金平，于天君，曾毅，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11