一种凹槽遮挡加定位植锡网制造技术

本实用新型专利技术公开了一种凹槽遮挡加定位植锡网，包括植锡网基板，所述植锡网基板上设有用于放置IC芯片的若干个IC芯片植锡区域，IC芯片植锡区域设有IC芯片植锡网孔，所述植锡网基板上设有用于遮挡超小型叠加IC芯片的遮挡凹槽，所述植锡网基板上设有用于放置IC芯片的IC芯片定位凹槽。和以往平面植锡网相比，可以快速定位抹锡植锡作业，防止抹锡、植锡过程发生位移，更好定位植锡，使植锡精度更高、更准，遮挡超小型叠加IC的技术使用可以避免植锡完成后的多余锡珠清理，提高植锡的成功率以及效率。

【技术实现步骤摘要】
一种凹槽遮挡加定位植锡网
本技术涉及，尤其涉及一种凹槽遮挡加定位植锡网。
技术介绍
电子维修中，手机、笔记本、相机、平板等电子产品，如果涉及到芯片维修的，需要使用到植锡网，使用植锡网对相应的IC芯片重新植锡，然后再进行焊接，以到达修复故障的目的。现有技术中的植锡网在植锡的过程中，由于现阶段的IC芯片上叠加了超小型的IC现象，直接以通孔方式避开叠加的超小型IC导致植锡过程中抹锡造成锡浆从通孔缝隙漏到IC焊盘，造成锡珠之间的短路或者影响锡珠大小不均匀，影响后期焊接。并现阶段的IC集成度越来越高，焊盘之间的间距越来越小，造成手工对位越来越难，并因为焊盘位置以及间距越来越小，容易出现植锡球卡在植锡网网孔现象，出现掉珠现象，导致植锡失败，所以，一种可以遮挡超小型叠加IC以及快速定位的新型植锡网成为整个社会亟待解决的问题。
技术实现思路
本技术是为了解决上述不足，提供了一种凹槽遮挡加定位植锡网。本技术的上述目的通过以下的技术方案来实现：一种凹槽遮挡加定位植锡网，包括植锡网基板，所述植锡网基板上设有用于放置IC芯片的若干个IC芯片植锡区域，IC芯片植锡区域设有IC芯片植锡网孔，所述植锡网基板上设有用于遮挡超小型叠加IC芯片的遮挡凹槽，所述植锡网基板上设有用于放置IC芯片的IC芯片定位凹槽。进一步地，所述植锡网孔呈圆角矩形结构。进一步地，所述IC芯片定位凹槽的IC拐角位置均设有工字形避空。进一步地，所述植锡网基板上设有悬挂孔。本技术在使用时，将IC芯片放入到IC芯片定位凹槽5内，IC芯片定位凹槽5正好可以限定芯片的位置，IC芯片的遮挡凹槽4正好将超小型叠加IC芯片遮挡住，可以提供保护超小型叠加IC的作用，以及避免抹锡过程中锡浆渗漏到IC焊盘，将锡浆均匀的填充到植锡区域3的孔中，对IC芯片植锡区域3缓缓均匀加热，使锡浆慢慢熔化，当看见IC芯片植锡区域3的所有锡浆熔化成为锡珠，停止加热片刻，等待锡珠冷却不再流动即可将植锡网和IC分离完成植锡作业。本技术的设计核心是采用加厚不锈钢材料多次蚀刻达到遮挡超小型叠加IC的凹槽以及对应IC外形的凹槽，将IC对应方向置于植锡网下面即可快速定位并遮挡超小型叠加IC，省去人工对位以及后期清理漏在超小型叠加IC缝隙的锡浆的时间，焊盘对应的网孔采用圆角矩形的造型，使用激光精准切割，以达到孔壁光滑无毛刺，锡浆受热熔化成锡珠后更好的从植锡网脱离牢固焊接在IC对应的焊盘上，提高植锡的成功率以及效率。本技术与现有技术的优点是：和以往平面植锡网相比，可以快速定位抹锡植锡作业，防止抹锡、植锡过程发生位移，更好定位植锡，使植锡精度更高、更准，遮挡超小型叠加IC的技术使用可以避免植锡完成后的多余锡珠清理，提高植锡的成功率以及效率。附图说明图1是本技术的主视结构示意图。图2是本技术中一植锡区域以及对应IC形状的凹槽定位示意图。图3是本技术中另一植锡区域以及对应IC形状的凹槽定位示意图。图4是本技术中又一植锡区域以及对应IC形状的凹槽定位示意图。图5是本技术中再一植锡区域和遮挡超小型叠加IC区域以及对应IC形状的凹槽定位示意图。附图中，1、悬挂孔；2、植锡网基板；3、IC芯片植锡区域；4、IC芯片的遮挡凹槽；5、IC芯片定位凹槽；6、IC芯片植锡网孔。具体实施方式下面结合附图对本技术进一步详述。如图1至图5所示，一种凹槽遮挡加定位植锡网，包括植锡网基板2，所述植锡网基板2上设有用于放置IC芯片的若干个IC芯片植锡区域3，IC芯片植锡区域3设有IC芯片植锡网孔6，所述植锡网基板2上设有用于遮挡超小型叠加IC芯片的遮挡凹槽4，所述植锡网基板2上设有用于放置IC芯片的IC芯片定位凹槽5。进一步地，所述植锡网孔3呈圆角矩形结构。进一步地，所述IC芯片定位凹槽5的IC拐角位置均设有工字形避空。进一步地，所述植锡网基板2上设有悬挂孔。本技术在使用时，将IC芯片放入到IC芯片定位凹槽5内，IC芯片定位凹槽5正好可以限定芯片的位置，IC芯片的遮挡凹槽4正好将超小型叠加IC芯片遮挡住，可以提供保护超小型叠加IC的作用，以及避免抹锡过程中锡浆渗漏到IC焊盘，将锡浆均匀的填充到植锡区域3的孔中，对IC芯片植锡区域3缓缓均匀加热，使锡浆慢慢熔化，当看见IC芯片植锡区域3的所有锡浆熔化成为锡珠，停止加热片刻，等待锡珠冷却不再流动即可将植锡网和IC分离完成植锡作业。以上对本技术及其实施方式进行了描述，这种描述没有限制性，附图中所示的也只是本技术的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本技术创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的增加或者删减结构方式及实施例，均应属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种凹槽遮挡加定位植锡网，其特征在于：包括植锡网基板，所述植锡网基板上设有用于放置IC芯片的若干个IC芯片植锡区域，IC芯片植锡区域设有IC芯片植锡网孔，所述植锡网基板上设有用于遮挡超小型叠加IC芯片的遮挡凹槽，所述植锡网基板上设有用于放置IC芯片的IC芯片定位凹槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种凹槽遮挡加定位植锡网，其特征在于：包括植锡网基板，所述植锡网基板上设有用于放置IC芯片的若干个IC芯片植锡区域，IC芯片植锡区域设有IC芯片植锡网孔，所述植锡网基板上设有用于遮挡超小型叠加IC芯片的遮挡凹槽，所述植锡网基板上设有用于放置IC芯片的IC芯片定位凹槽。


2.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹欣倩，
申请(专利权)人：邹欣倩，
类型：新型
国别省市：广东;44