用于模拟深部脑刺激电极植入操作的模型装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种用于模拟深部脑刺激电极植入操作的模型装置。所述模型装置包括颅脑模型、压力传感器、数据处理模块以及输出装置，颅脑模型包括丘脑底核，压力传感器设置在丘脑底核上，压力传感器与数据处理模块连接，数据处理模块与位于颅脑模型外部的输出装置电连接或信号连接。该模型装置能够准确模拟患者的颅脑结构，并通过在丘脑底核处设置压力传感器并设置相应的数据处理模块和输出装置，通过输出装置可以实时反馈电极插入位置的准确性，可供医生进行深部脑刺激电极植入手术的模拟操作训练，从而提高手术时电极插入位置的准确性，进而提高手术效率，降低电极植入手术风险。

【技术实现步骤摘要】
用于模拟深部脑刺激电极植入操作的模型装置
本技术涉及深部脑刺激电极植入模拟操作的
，更具体地，涉及一种用于模拟深部脑刺激电极植入操作的模型装置。
技术介绍
丘脑底核（STN）是人类大脑中与帕金森及其他非自主运动有关的重要结构，属于功能神经外科方面。目前的相关手术，主要依靠一个带有坐标信息的定位铁架，固定在患者的头上，调节好坐标，患者带着这个铁架去做CT或者MRI（核磁共振影像），之后结合影像资料以及记录好的坐标信息，往患者脑部植入微电极到丘脑底核处，进行丘脑底核深部电生理刺激（STN－DBS）。根据临床反馈，虽然现在有立体定位铁架，但这样的做法其实相当于盲插，需要医生有非常丰富的经验或者在比较幸运的情况下，能够一次就将电极插中目标部位，否则电极插不中还得移动，需要进行反复多次尝试。这个过程不仅延长了手术时间，增加手术操作的难度，而且还会增加手术的风险。深部脑刺激(DBS)电极植入的准确性直接决定着帕金森病患者深部脑刺激的最终治疗效果。由于丘脑底核体积较小、边界不明显，术中核磁共振影像分辨率低、电极伪迹大，直接根据影像资料进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于模拟深部脑刺激电极植入操作的模型装置，其特征在于，所述模型装置包括颅脑模型、压力传感器、数据处理模块以及输出装置，所述的颅脑模型包括丘脑底核，所述的压力传感器设置在丘脑底核上，所述的压力传感器与数据处理模块连接，所述的数据处理模块与位于颅脑模型外部的输出装置电连接或信号连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于模拟深部脑刺激电极植入操作的模型装置，其特征在于，所述模型装置包括颅脑模型、压力传感器、数据处理模块以及输出装置，所述的颅脑模型包括丘脑底核，所述的压力传感器设置在丘脑底核上，所述的压力传感器与数据处理模块连接，所述的数据处理模块与位于颅脑模型外部的输出装置电连接或信号连接。


2.根据权利要求1所述的模型装置，其特征在于，所述的颅脑模型还包括由上颅骨和下颅骨配合形成的颅腔结构、颅内血管、脑室以及脑组织，所述的丘脑底核、颅内血管及脑室位于所述的颅腔结构内，所述的脑组织填充在所述的颅腔内。


3.根据权利要求2所述的模型装置，其特征在于，在所述的颅脑模型中，所述上颅骨、下颅骨、颅脑血管、丘脑底核以及脑室是根据患者颅脑结构的三维影像资料通过3D打印成型。


4.根据权利要求3所述的模型装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：范小敏，邓坤学，袁玉宇，
申请(专利权)人：广州迈普再生医学科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44