光电转换器电路和光电隔离控制电路制造技术

本实用新型专利技术提供光电转换器电路和光电隔离控制电路。光电转换器电路包括：光纤接收电路，采用光电三极管R‑2521Z来接收光信号；触发电路，包括芯片74HC14和三极管9013，74HC14的引脚11连接至R‑2521Z的管脚①和④、引脚14连接至电源VCC、引脚7接地、引脚10连接至三极管9013的基极，三极管9013的集电极与电源VCC连接、发射极通过电阻器R1接地；光电转换电路，采用光电转换模块CNY17‑3；电压输出电路，包括MOSFET管，MOSFET管的栅极端连接至CNY17‑3的引脚4、漏极端连接至6A100的阴极、源极端输出直流电压。

【技术实现步骤摘要】
光电转换器电路和光电隔离控制电路
本技术涉及高压设备制造领域，尤其涉及一种光电转换器电路和光电隔离控制电路。
技术介绍
在高压大容量试验中，控制室对被试样品的控制通常都是直接通过电缆线来完成的，即控制台直接通过屏蔽双绞线连接到被试样品线圈。在被试样品正常开断电流时，不会对控制室产生影响，但是一旦被试样品无法正常开断电流，发生爆炸或产生过电压，高电压会通过电缆线引入到控制室，对控制室的设备和人员都会造成危害。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术公开了一种光电转换器电路以及包括光电转换器电路的光电隔离控制电路，从而对高低压部分进行有效隔离，防止高压信号串入低压侧对试验人员及设备造成伤害。为达到上述目的，本技术的技术方案提供了：(1)一种光电转换器电路，该光电转换器电路包括：光纤接收电路，采用光电三极管R-2521Z来接收光信号；触发电路，包括芯片74HC14和三极管9013，所述芯片74HC14的引脚11连接至所述光电三极管R-2521Z的管脚①和④，所述芯片74HC14的引脚14连接至电源VCC，所述芯片74HC14的引脚7接地，所述芯片74HC14的引脚10连接至所述三极管9013的基极，所述三极管9013的集电极与电源VCC连接，所述三极管9013的发射极通过电阻器R1接地；光电转换电路，采用光电转换模块CNY17-3，所述光电转换模块CNY17-3的引脚1通过电阻器R2连接至所述三极管9013的发射极，所述光电转换模块CNY17-3的引脚2接地，所述光电转换模块CNY17-3的引脚5连接至二极管IN4007的阴极，所述二极管IN4007的阳极连接至电阻器R3的一端，所述电阻器R3的另一端与二极管6A100的阴极连接，所述二极管6A100的阳极连接至110V直流电源DC；电压输出电路，包括MOSFET管，所述MOSFET管的栅极端连接至所述光电转换模块CNY17-3的引脚4，所述MOSFET管的漏极端连接至所述二极管6A100的阴极，所述MOSFET管的源极端输出直流电压。(2)如(1)所述的光电转换器电路，MOSFET管采用IRFPC60。(3)如(2)所述的光电转换器电路，所述电阻器R1的电阻值为10K欧姆，所述电阻器R2的电阻值为500欧姆，并且所述电阻器R3的电阻值为240K欧姆。本技术的技术方案还提供了一种光电隔离控制电路，该光电隔离控制电路包括：光信号产生电路以及如上述项(1)至(3)中任一项所述的光电转换器电路；所述光信号产生电路产生光信号、并经由光纤传输所述光信号，所述光电转换器电路接收经由光纤传输的所述光信号以将所接收的所述光信号转换为电信号。进一步地，所述光电隔离控制电路还包括：光信号放大电路，所述光信号放大电路设置在所述光信号产生电路与所述光电转换器电路之间，所述光信号放大电路放大由所述光信号产生电路所产生的所述光信号、并将经放大的所述光信号经由光纤传输至所述光电转换器电路。进一步地，所述光信号产生电路包括时序控制电路，从而通过预先设置的控制策略触发所述时序控制电路的时序控制通道来产生所述光信号。进一步地，所述光信号放大电路采用光信号转换器。进一步地，所述光电转换器电路中的所述MOSFET管的源极端与电缆线连接。进一步地，所述MOSFET管的源极端通过所述电缆线将直流电压输送到被试样品线圈。附图说明图1是本技术的光电转换器电路的电路结构图；图2是本技术的光电隔离控制电路的结构示意图。具体实施方式下面结合具体实施例对本技术的技术方案作进一步的描述，但本技术并不限于这些实施例。本技术公开了一种光电转换器电路以及包括光电转换器电路的光电隔离控制电路，从而能够对高低压部分进行有效隔离，防止高压信号串入低压侧对试验人员及设备造成伤害。为达到上述目的，本技术的技术方案提供了：(1)一种光电转换器电路，该光电转换器电路包括：光纤接收电路，采用光电三极管R-2521Z来接收光信号；触发电路，包括芯片74HC14和三极管9013，所述芯片74HC14的引脚11连接至所述光电三极管R-2521Z的管脚①和④，所述芯片74HC14的引脚14连接至电源VCC，所述芯片74HC14的引脚7接地，所述芯片74HC14的引脚10连接至所述三极管9013的基极，所述三极管9013的集电极与电源VCC连接，所述三极管9013的发射极通过电阻器R1接地；光电转换电路，采用光电转换模块CNY17-3，所述光电转换模块CNY17-3的引脚1通过电阻器R2连接至所述三极管9013的发射极，所述光电转换模块CNY17-3的引脚2接地，所述光电转换模块CNY17-3的引脚5连接至二极管IN4007的阴极，所述二极管IN4007的阳极连接至电阻器R3的一端，所述电阻器R3的另一端与二极管6A100的阴极连接，所述二极管6A100的阳极连接至110V直流电源DC；电压输出电路，包括MOSFET管，所述MOSFET管的栅极端连接至所述光电转换模块CNY17-3的引脚4，所述MOSFET管的漏极端连接至所述二极管6A100的阴极，所述MOSFET管的源极端输出直流电压。(2)如(1)所述的光电转换器电路，MOSFET管采用IRFPC60。(3)如(2)所述的光电转换器电路，所述电阻器R1的电阻值为10K欧姆，所述电阻器R2的电阻值为500欧姆，并且所述电阻器R3的电阻值为240K欧姆。本技术的技术方案还提供了一种光电隔离控制电路，该光电隔离控制电路包括：光信号产生电路以及如上述项(1)至(3)中任一项所述的光电转换器电路；所述光信号产生电路产生光信号、并经由光纤传输所述光信号，所述光电转换器电路接收经由光纤传输的所述光信号以将所接收的所述光信号转换为电信号。进一步地，所述光电隔离控制电路还包括：光信号放大电路，所述光信号放大电路设置在所述光信号产生电路与所述光电转换器电路之间，所述光信号放大电路放大由所述光信号产生电路所产生的所述光信号、并将经放大的所述光信号经由光纤传输至所述光电转换器电路。进一步地，所述光信号产生电路包括时序控制电路，从而通过预先设置的控制策略触发所述时序控制电路的时序控制通道来产生所述光信号。进一步地，所述光信号放大电路采用光信号转换器。进一步地，所述光电转换器电路中的所述MOSFET管的源极端与电缆线连接。进一步地，所述MOSFET管的源极端通过所述电缆线将直流电压输送到被试样品线圈。参见本技术的图1，其示出了根据本技术的光电转换器电路7，该光电转换器电路7采用R-2521Z光电三极管接收光信号，通过芯片74HC14触发三极管9013，然后由三极管9013触发光电转换模块CNY17-3，再由光电转换模块CNY17-3触发MOSFET管IRFPC60，直流电压通过MOSFET管IRFPC60输送到被本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电转换器电路，其特征在于，所述光电转换器电路包括：/n光纤接收电路，采用光电三极管R-2521Z来接收光信号；/n触发电路，包括芯片74HC14和三极管9013，所述芯片74HC14的引脚11连接至所述光电三极管R-2521Z的管脚①和④，所述芯片74HC14的引脚14连接至电源VCC，所述芯片74HC14的引脚7接地，所述芯片74HC14的引脚10连接至所述三极管9013的基极，所述三极管9013的集电极与电源VCC连接，所述三极管9013的发射极通过电阻器R1接地；/n光电转换电路，采用光电转换模块CNY17-3，所述光电转换模块CNY17-3的引脚1通过电阻器R2连接至所述三极管9013的发射极，所述光电转换模块CNY17-3的引脚2接地，所述光电转换模块CNY17-3的引脚5连接至二极管IN4007的阴极，所述二极管IN4007的阳极连接至电阻器R3的一端，所述电阻器R3的另一端与二极管6A100的阴极连接，所述二极管6A100的阳极连接至110V直流电源DC；/n电压输出电路，包括MOSFET管，所述MOSFET管的栅极端连接至所述光电转换模块CNY17-3的引脚4，所述MOSFET管的漏极端连接至所述二极管6A100的阴极，所述MOSFET管的源极端输出直流电压。/n...

【技术特征摘要】
1.一种光电转换器电路，其特征在于，所述光电转换器电路包括：
光纤接收电路，采用光电三极管R-2521Z来接收光信号；
触发电路，包括芯片74HC14和三极管9013，所述芯片74HC14的引脚11连接至所述光电三极管R-2521Z的管脚①和④，所述芯片74HC14的引脚14连接至电源VCC，所述芯片74HC14的引脚7接地，所述芯片74HC14的引脚10连接至所述三极管9013的基极，所述三极管9013的集电极与电源VCC连接，所述三极管9013的发射极通过电阻器R1接地；
光电转换电路，采用光电转换模块CNY17-3，所述光电转换模块CNY17-3的引脚1通过电阻器R2连接至所述三极管9013的发射极，所述光电转换模块CNY17-3的引脚2接地，所述光电转换模块CNY17-3的引脚5连接至二极管IN4007的阴极，所述二极管IN4007的阳极连接至电阻器R3的一端，所述电阻器R3的另一端与二极管6A100的阴极连接，所述二极管6A100的阳极连接至110V直流电源DC；
电压输出电路，包括MOSFET管，所述MOSFET管的栅极端连接至所述光电转换模块CNY17-3的引脚4，所述MOSFET管的漏极端连接至所述二极管6A100的阴极，所述MOSFET管的源极端输出直流电压。


2.如权利要求1所述的光电转换器电路，其特征在于，所述MOSFET管采用IRFPC60。


3.如权利要求2所述的光电转换器电路，其特征在于，所述电阻器R1的电阻值为10K欧姆，所述电阻器R2的电阻值为...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡德霖，胡醇，周远翔，卢理成，贺诚，姜琴，赵国才，卞菊惠，
申请(专利权)人：苏州电器科学研究院股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32