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单相电能表防窃电装置制造方法及图纸

技术编号:2642999 阅读:164 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
单相电能表防窃电装置,属于一种电能表防窃电装置。常见的防窃电器;当窃电行为发生时,靠继电器工作切断供电电源,继电器长时间运行易过热损坏。本实用新型专利技术在继电器控制回路设计了间歇振荡电路,当窃电行为发生时,继电器间歇通电,供电电源间歇断电,能有效的防止窃电行为,不会过热损坏,且线路简单,成本低,体积小,适宜批量生产。(*该技术在2009年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术属于测量电变量
单相电能表防窃电装置。为防止电能表“摘掉电压勾”、“短路电流线圈”、“越表”、“一火一地”等诸多窃电手段,目前已研制多种单相电能表防窃电装置,但无论有无窃电行为发生,这些装置的部分或全部电路均要通电工作,一则消耗电能或影响电能表的计量,再者反窃电装置长期通电容易过热烧毁,一些窃电者也可利用反防窃电手段损坏防窃电装置,所以付诸实际应用时,存在一定同题。本技术目的,为提供一种新型防窃电装置,由于仅在窃电行为发生时,间歇短暂工作,不影响电能表计量不会过热烧毁,能有效防止窃电,且成本低,体积小。本技术基本技术解决方案是将可控硅控制继电器执行电路;电流及电压信号控制电路;可控硅控制极间歇振荡电路,全都装于电度表内;电流互感器L及电阻R1串联后一端接电能表1端,另一端接二极管D1正极,二极管负极接可控硅控制极,构成电流及电压信号控制电路;当窃电行为发生时,L或R1上将产生电压,经二级管D1整流后可触发可控硅导通;继电器的常闭触点J11联接在电能表的4端和5端之间,继电器的常开触点J12联接电能表的4端及间歇振荡电路二级管D2正极,构成防窃电执行回路,当窃电行为发生时,继电器得电工作,继电器的常闭触点J11断开电能表4端及5端同时,切断负载电源;晶体管T2发射极接电能表1端,集电极接可控硅控制极,基极接晶体管T1发射极及电阻R2,晶体管T1基极接于R3,C3串联的阻容充电回路中点,构成可控硅控制极间歇振荡电路;窃电行为发生时,继电器常开触点J12闭合,间歇振荡电路得电工作;T2截止时,允许可控硅导通,T2导通时,可以将导通的可控硅截止,从而使继电器间歇通断,电源向负载提供的为断续导通电源,常时间使用可能烧毁用电设备,从而促使窃电者必须立即取消窃电行为。本技术防窃电装置有如下优点1、防窃电原理构思奇巧,且实施防窃电手段前有警告,预留拆除窃电装置预备时间,防窃电有礼有节,不能使窃电者有持无恐。2、防窃电装置仅在窃电行为发生时,周期短暂工作,无过热及烧毁危险,能有效防止窃电行为。3、原理简单,体积小,成本低,可以安放在普通电能表内部,且对现有电能表不作改动,便于实施。附附图说明图1为本技术实施例的外型图;附图2为本技术在单相电能表内标准接线图;附图3为本技术电器控制原理图。附图3中,方框1部分可控硅控制继电器防窃电执行回路;方框2部分为电流及电压信号检测电路;方框3部分为可控硅控制极间歇振荡电路。以下结合附图对本技术的实施例作进一步说明附图1表示附图3中所述的方框1中可控硅控制继电器防窃电执行回路;方框2中电压及电流信号检测电路;方框3中可控硅控制极间歇振荡电路,均封装在FJDU小盒内;电流互感器L与电能表1、2、4、5四个接线端子及FJDU小盒通过导线相互连接,FJDU小盒及电流互感器L均可装在电能表内。附图2中,FJDU表示装于电能表内的防窃电装置小盒,L表示电互感器,各标号表示的是电能表的接线端子,其中1、3为电流线圈,2、4为电压线图,电源进线为1、4,输出为3、5,电能表1、2间有一小钩相连,其作用是得到一个电压线圈电源,1、2之间小钩摘掉后,电压线圈失电,电能表不转。附图2中,电流互感器L初级穿过两条电线;一条由电源经电度表1端,电度表电流线圈,电度表3端流向负载;另一条由负载经电度表5端,电度表4端流向电源。附图3为防窃电装置电原理图,继电器J的通断由可控硅控制,正常供电时,可控硅控制极间串联的电流互感器线圈L次级及电阻R1上均无电压,可控硅截止,继电器不工作,当窃电行为发生时,由于电流或电压不平衡,电流互感器或电阻R1上将产生电压,此电压经二级管D1整流后使可控硅导通,继电器通电,供电停止。窃电行为发生时,继电器J动作,切断供电电源的同时,继电器常开触点J12闭合,使可控硅控制极间歇振荡电路通电工作,电容C3经R3电阻充电,电压上升,当C3电压大于1.2伏时,晶体管T1导通,T1导通同时,晶体管T2基极获得电流导通,T2导通后T2集电极电压,即可控硅控制极电压降至近似0伏,可控硅截止,继电器断电,供电电源再次经继电器的常闭触点向负载供电。C3上电压由0伏充电至1.2伏的几十秒时间内,电源停止,构成对窃电行为的第一次警告。此后,C3上电压经T1基极,发射极,电阻R2及晶体管T2基极放电,放电电流逐渐减少,当不足以维持T2导通时,T2截止,由二级管D2整流的可控硅控制极电压使可控硅再次导通,继电器通电运作,供电电源再次停止,此段时间即为容留窃电者放弃窃电行为预备时间。如窃电行为仍不停止,间歇振荡电路继续通电工作,C3继续充电,直至T2导通,可控硅截止,继电器断电周而复始,继续进行,直至窃电行为停止,不过此时因C3上有残余电压,充放电时间比第一次要缩短一些。由于窃电行为存在时,供电电源周期通断,长时间使用会烧毁用电设备,故窃电行为不能得逞。本技术已成功地安装在DD862,DD28等电能表上,实际运行效果良好,被有关单位选定为首选防窃电装置。权利要求1.一种单相电能表防窃电装置,由可控硅控制继电器执行电路,电流及电压信号控制电路,可控硅控制极是歇振荡电路组成,其特征在于全部电路可装于普遍电能表内;2.根据权利要求1所述,其特征在于继电器的常闭触点J11联接在电能表的4端和5端之间,继电器的常开触点J12联接电能表的4端及间歇振荡电路二极管D2正极,构成防窃电执行回路;3.根据权利要求1所述,其特征在于电流互感器L及电阻R1串联后一端接电能表1端,另一端接二极管D1正极,二极管D1负极接可控硅控制极,构成电流及电压信号控制电路;4.根据权利要求1所述,其特征在于晶体管T2发射极接电能表1端,集电极接可控硅控制极,基极接晶体管T1,发射极及电阻R2,晶体管T1基极接于R3,C3串联的阻容充电回路中点,构成可控硅控制极间歇振荡电路。专利摘要单相电能表防窃电装置,属于一种电能表防窃电装置。常见的防窃电器;当窃电行为发生时,靠继电器工作切断供电电源,继电器长时间运行易过热损坏。本技术在继电器控制回路设计了间歇振荡电路,当窃电行为发生时,继电器间歇通电,供电电源间歇断电,能有效的防止窃电行为,不会过热损坏,且线路简单,成本低,体积小,适宜批量生产。文档编号G01R11/24GK2418487SQ99255319公开日2001年2月7日 申请日期1999年12月1日 优先权日1999年12月1日专利技术者孟广恒 申请人:孟广恒, 赵晓君本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单相电能表防窃电装置,由可控硅控制继电器执行电路,电流及电压信号控制电路,可控硅控制极是歇振荡电路组成,其特征在于:全部电路可装于普遍电能表内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:孟广恒
申请(专利权)人:孟广恒赵晓君
类型:实用新型
国别省市:13[中国|河北]

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