近红外发光荧光体、荧光体混合物、发光元件和发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于，提供发挥优异的发光强度的新型近红外线发光荧光体。一种近红外线发光荧光体，由通式(Y,Lu,Gd)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】近红外发光荧光体、荧光体混合物、发光元件和发光装置
本专利技术涉及在近红外线波长区域发光的荧光体，特别是涉及发光特性优异的近红外线发光荧光体和使用其的荧光体混合物、发光元件和发光装置。
技术介绍
荧光体具有优异的发光特性，同时发光非常节能，因而是在环境方面备受瞩目的材料。特别是近年来，随着社会对于节电的需求的增大，利用荧光体的优异节能性来代替现有的灯的需求很高。近红外光在生物体中的光透射性高，期待其在非破坏性测量中的应用。此外，近红外宽频光源适合于多元分析，期待其在成分分析等中的应用。特别是具有宽频发光分布的光源中，与LED那样的尖锐的发光组合相比，更强烈需要荧光体那样组合了宽的发光谱的光源。为了实现这样的灯，发光特性优异的各种波长区域的荧光体是必要的，尤其是对于在近红外线波长区域发光的荧光体(近红外线发光荧光体)，与其他波长区域的荧光体相比，发光特性还不充分，需要发光特性进一步优异的荧光体。作为以往的近红外线发光荧光体，已知InBO3：Cr、Y3Al5O12：Cr、Y3Ga5O12：Cr、Gd3Al5O12：Cr、Gd3Ga5O12：Cr等铬激活荧光体，有报告称，即使改变这些荧光体所含的铬元素的浓度，254nm激发强度也不会变化(参照非专利文献1)。特别是关于上述Y3Al5O12：Cr的铬元素的摩尔配合比率，已知设为Cr＝0.0005～0.008的荧光体(参照专利文献1)、设为Cr＝0.33～2％(即0.0033～0.02)的荧光体(参照专利文献2)、设为Cr＝0.0005～0.05的荧光体(参照专利文献3)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平07－286171号公报专利文献：美国专利第5202777号专利文献3：日本特开平06－73376号公报非专利文献非专利文献1：第32次照明学会全国大会演讲论文集(日本平成11年度)47页
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但以往的近红外线发光荧光体与其他发光色相比发光强度不够充分，需要发光强度更优异的荧光体。特别是作为宽频发光的灯的用途中，对荧光体而言，以高标准要求大功率和连续运行，强的发光强度是必需的。本专利技术是为了解决前述课题而做出的，其目的在于，提供发挥优异的发光强度的新型近红外线发光荧光体。用于解决课题的方法本专利技术人等进行了深入研究，结果发现，关于铬激活荧光体，铬元素的配合比例在前所未有的规定范围内构成的荧光体发出峰值性的高的近红外线，从而导出了本专利技术。进一步还发现，含有该荧光体和其他某些品种荧光体的荧光体混合物在宽范围的近红外线区域内进行宽的发光，从而导出了本专利技术。因此，本申请公开的近红外线发光荧光体由通式(Y,Lu,Gd)3－x－y(Ga,Al,Sc)5O12：(Crx,(Yb,Nd)y)(0.05＜x＜0.3、0≦y＜0.3)表示。此外，本申请公开的荧光体混合物是含有该近红外线发光荧光体的荧光体混合物，至少含有从由Y3Al5O12：Ce荧光体、CaAlSiN3荧光体、SrCaAlSiN3荧光体、ScBO3：Cr荧光体、(Ba,Sr)2SiO4：Eu荧光体、(Ba,Sr)3SiO5：Eu荧光体、(Lu,Y,Gd)3Al5O12：Ce荧光体、La3Si6N11：Ce荧光体、α-塞隆荧光体组成的组中选择的Y3Al5O12：Ce荧光体。此外，本申请公开的发光元件具备该近红外线发光荧光体或该荧光体混合物。此外，本申请公开的发光装置具备该近红外线发光荧光体或该荧光体混合物。附图说明图1为本专利技术实施例1的荧光体的X射线衍射图案。图2为由本专利技术实施例1的荧光体得到的发光特性。图3为由本专利技术实施例2的荧光体得到的发光特性。图4为本专利技术实施例3的荧光体的X射线衍射图案。图5为由本专利技术实施例3的荧光体得到的发光特性。图6为本专利技术实施例4的荧光体的X射线衍射图案。图7为本专利技术实施例5的荧光体的X射线衍射图案。图8为由本专利技术实施例5的荧光体得到的发光特性。图9为本专利技术实施例6的荧光体的X射线衍射图案。图10为由本专利技术实施例6的荧光体得到的发光特性。图11为本专利技术实施例7的荧光体的X射线衍射图案。图12为由本专利技术实施例7的荧光体得到的发光特性。图13为由本专利技术实施例7的荧光体得到的发光特性。图14为由本专利技术实施例7的荧光体得到的发光特性。图15为由本专利技术实施例7的荧光体得到的发光特性。图16为由本专利技术实施例7的荧光体得到的发光特性。图17为由本专利技术实施例8的荧光体混合物得到的发光特性。图18为由本专利技术实施例8的荧光体混合物得到的发光特性。图19为由本专利技术实施例9的荧光体混合物得到的发光特性。图20为由本专利技术实施例9的荧光体混合物得到的发光特性。图21为由本专利技术实施例9的荧光体混合物得到的发光特性。图22为由本专利技术实施例9的荧光体混合物得到的发光特性。图23为由本专利技术实施例10的荧光体混合物得到的发光特性。图24为由本专利技术实施例10的荧光体混合物得到的发光特性。具体实施方式本专利技术涉及的近红外线发光荧光体为通式(Y,Lu,Gd)3－x－y(Ga,Al,Sc)5O12：(Crx,(Yb,Nd)y)(0.05＜x＜0.3、0≦y＜0.3)所表示的物质。作为晶体结构，具有石榴石结构。镱(Yb)、钕(Nd)不一定是必需元素，但通过加入镱(Yb)、钕(Nd)，还可进一步实现得到1000nm区域的发光的优异效果(参照后述实施例)。关于该1000nm区域的发光，特别是在太阳能电池相关技术中，作为能够实现太阳能电池的效率提高的光源，一直在寻求该1000nm区域的发光强度高的光源。由此出发，通过将以这种方式通过加入镱(Yb)、钕(Nd)得到的该1000nm区域的发光强度高的发光用于太阳能电池，本专利技术涉及的近红外线发光荧光体能够使太阳能电池的效率性大幅提高。即，作为其广泛用途的一种，本专利技术涉及的近红外线发光荧光体也能够用作太阳能电池的光源，能够发挥优异的效果。由此出发，本专利技术涉及的近红外线发光荧光体不含镱(Yb)、钕(Nd)的情况下也是对象，这时的通式相当于上述通式中设为y＝0的情况，是通式(Y,Lu,Gd)3－x(Ga,Al,Sc)5O12：Crx(0.05＜x＜0.3)所表示的物质。作为晶体结构，同样具有石榴石结构。作为激发源，只要波长比近红外线区域短即可，没有特别限定，优选使用波长200nm～380nm的紫外线区域、波长380～450nm的紫色可见光、波长450～495nm的蓝色可见光。由此出发，例如可以将紫外线发光荧光体、蓝色发光荧光体用作激发源。本专利技术涉及的近红外线发光荧光体由于来自该激发源的照射，发出显示在波长550nm～950nm具有发光峰的显色性高的发光谱的橙色可见光～红色可见光～近红外线。其中，本专利技术的近红外线发光荧光体在上述波本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种近红外线发光荧光体，其特征在于，由通式(Y,Lu,Gd)

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180423 JP 2018-0825911.一种近红外线发光荧光体，其特征在于，由通式(Y,Lu,Gd)3－x－y(Ga,Al,Sc)5O12：(Crx,(Yb,Nd)y)表示，并且，0.05＜x＜0.3、0≦y＜0.3。


2.根据权利要求1所述的近红外线发光荧光体，其特征在于，y＝0。


3.一种荧光体混合物，其特征在于，
是含有权利要求1或2所述的近红外线发光荧光体的荧光体混合物，
至少含有从由Y3Al5O12：Ce荧光体、CaAlSiN3荧光体、SrCaAlSiN3荧光体、ScBO3：Cr荧光体、(Ba,Sr)2SiO4：Eu荧光体、(Ba,Sr)3SiO5：Eu荧光体、(Lu,Y,Ga)3Al5O12：Ce荧光体、La3Si6N11：Ce荧光体、α-塞隆荧光体组成的组中选择的Y3Al5O12：Ce荧光体。


4.根据权利要求3所述的荧光体混合物，其特征在于，含有ScBO3：Cr荧光体和/或(Ba,Sr)2SiO4：Eu荧光体。


5.根据权利要求3或...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹野裕明，
申请(专利权)人：大电株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP