一种包边封装的TOSA及光模块制造技术

本发明专利技术涉及一种包边封装的TOSA及光模块，包括激光器芯片、管座、支架、第一载体、第二载体，所述支架设置在管座上，第一载体、第二载体分别嵌设在管座上，且支架用于承载所述激光器芯片，激光器芯片通过第一导线分别与第一载体、第二载体连接以传输信号，所述激光器芯片与第一载体、第二载体之间连接的第一导线处覆盖有电绝缘材料，使得激光器芯片与第一载体、第二载体隔离开；所述激光器芯片与第一载体、第二载体之间绕过电绝缘材料通过第二导线连接。本发明专利技术通过对TOSA进行增加电绝缘材料和包边封装后，TOSA的损耗减小，阻抗降低，且带宽升高，使得低成本的Head能用在更高速率的产品中。

【技术实现步骤摘要】
一种包边封装的TOSA及光模块
本专利技术涉及光通信
，特别涉及一种包边封装的TOSA及光模块。
技术介绍
光模块是一种可以将光信号转换为电信号以及将电信号转换为光信号的设备，TOSA是光模块中必不可少的部件，用于发出激光信号。在使用时希望TOSA的带宽能提升，以及减小损耗和降低阻抗，以提升光模块的性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种能使TOSA的带宽提升，并减小损耗和降低阻抗的方案，提供一种包边封装的TOSA及光模块。为了实现上述专利技术目的，本专利技术实施例提供了以下技术方案：一种包边封装的TOSA，包括激光器芯片、管座、支架、第一载体、第二载体，所述支架设置在管座上，第一载体、第二载体分别嵌设在管座上，且支架用于承载所述激光器芯片，激光器芯片通过第一导线分别与第一载体、第二载体连接以传输信号，所述激光器芯片与第一载体、第二载体之间连接的第一导线处覆盖有电绝缘材料，使得激光器芯片与第一载体、第二载体隔离开；所述激光器芯片与第一载体、第二载体之间绕过电绝缘材料通过第二导线连接。更进一步地，所述TOSA的外部设置有包边机构。优选的，所述包边机构为具有磁力的材料。一种光模块，包括本专利技术任一实施方式所述的包边封装的TOSA。与现有技术相比，本专利技术的有益效果：本专利技术通过对TOSA进行增加电绝缘材料和包边封装后，TOSA的损耗减小，阻抗降低，且带宽升高，使得低成本的Head能用在更高速率的产品中。>附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为传统的TOSA结构示意图；图2为本专利技术经过覆盖电绝缘材料后的TOSA结构示意图；图3为本专利技术经过包边封装的TOSA结构示意图；图4为传统的TOSA、经过覆盖电绝缘材料后的TOSA、经过包边封装的TOSA的频率-损耗关系曲线图；图5为传统的TOSA、经过覆盖电绝缘材料后的TOSA、经过包边封装的TOSA的时间-阻抗关系曲线图。主要元件符号说明管座1，支架2，第一载体3，第二载体4，激光器芯片5，第一导线6，电绝缘材料7，第二导线8，包边机构9。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。实施例：如图1所示，传统的TOSA包括激光器芯片5、管座1、支架2、第一载体3、第二载体4，所述支架2设置在管座1上，第一载体3、第二载体4分别嵌设在管座1上，且支架2用于承载所述激光器芯片5，激光器芯片5通过第一导线6分别与第一载体3、第二载体4连接以传输信号。本专利技术通过下述技术方案实现，如图2所示，提出一种包边封装的TOSA，在传统的激光器芯片5与第一载体3、第二载体4之间连接的第一导线6处覆盖有电绝缘材料7，使得激光器芯片5与第一载体3、第二载体4隔离开，然后再使用第二导线8绕过电绝缘材料7将激光器芯片5分别与第一载体3、第二载体4连接起来。继如图3所示，对TOSA的管座1设置了支架2、第一载体3、第二载体4的一侧设置第二导线8，将原有的TOSA全部封装起来，图3为包边封装后的截面图。所述第二导线8为具有磁力的材料。如图4所示为传统TOSA(A)、经过覆盖电绝缘材料后的TOSA(B)、经过包边封装的TOSA(C)的频率-损耗关系曲线图，横坐标代表TOSA的频率值，纵坐标代表损耗值，损耗值的绝对值越大表示TOSA损耗越高。从图4中可以看出随着频率增大，传统TOSA(A)的损耗最大，经过覆盖电绝缘材料后的TOSA(B)的损耗比传统TOSA(A)的损耗稍微小一点，而经过包边封装的TOSA(C)的损耗变得很小。比如依图4所示，当频率达到40GHz时，传统TOSA(A)的损耗在10.5dB左右，经过覆盖电绝缘材料后的TOSA(B)的损耗在9dB左右，经过包边封装的TOSA(C)的损耗减小到2dB左右，可以看出，经过包边封装的TOSA(C)的损耗减小程度很明显。在光模块的使用中，通常希望提升带宽的情况下，也不增加阻抗，甚至希望能减小阻抗。如图5所示为传统TOSA(A)、经过覆盖电绝缘材料后的TOSA(B)、经过包边封装的TOSA(C)的时间-阻抗关系曲线图，理想的阻抗是50Ω，时间达到30ps左右后，传统TOSA(A)的阻抗高达87Ω左右，经过覆盖电绝缘材料后的TOSA(B)相对降低，达到82Ω左右，而经过包边封装的TOSA(C)的阻抗在62Ω左右，最接近理想的50Ω。综上所述，经过包边封装的TOSA损耗减小，阻抗降低，且带宽升高，使得光模块的工作性能更好。以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，对于本领域的技术人员来说，本专利技术可以有各种更改和变化。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。以上所述，仅为本专利技术的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。因此，本专利技术的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种包边封装的TOSA，包括激光器芯片(5)、管座(1)、支架(2)、第一载体(3)、第二载体(4)，所述支架(2)设置在管座(1)上，第一载体(3)、第二载体(4)分别嵌设在管座(1)上，且支架(2)用于承载所述激光器芯片(5)，激光器芯片(5)通过第一导线(6)分别与第一载体(3)、第二载体(4)连接以传输信号，其特征在于：/n所述激光器芯片(5)与第一载体(3)、第二载体(4)之间连接的第一导线(6)处覆盖有电绝缘材料(7)，使得激光器芯片(5)与第一载体(3)、第二载体(4)隔离开；/n所述激光器芯片(5)与第一载体(3)、第二载体(4)之间绕过电绝缘材料(7)通过第二导线(8)连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种包边封装的TOSA，包括激光器芯片(5)、管座(1)、支架(2)、第一载体(3)、第二载体(4)，所述支架(2)设置在管座(1)上，第一载体(3)、第二载体(4)分别嵌设在管座(1)上，且支架(2)用于承载所述激光器芯片(5)，激光器芯片(5)通过第一导线(6)分别与第一载体(3)、第二载体(4)连接以传输信号，其特征在于：
所述激光器芯片(5)与第一载体(3)、第二载体(4)之间连接的第一导线(6)处覆盖有电绝缘材料(7)，使得激光器芯片(5)与第一载体(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：易利，
申请(专利权)人：索尔思光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US