液晶显示面板的制作方法及液晶显示面板技术

本申请公开了一种液晶显示面板的制作方法及液晶显示面板。通过提供阵列基板、彩膜基板以及液晶材料，液晶材料包括液晶分子和反应性单体；将阵列基板和彩膜基板对向贴合，在阵列基板和彩膜基板之间滴注液晶材料，以得到液晶盒；利用紫外光对述液晶盒进行两次紫外光照射，使液晶分子形成预倾角，以形成液晶层；利用超临界流体对液晶层进行萃取操作，以所述液晶层中的反应性单体这一技术手段，在紫外光照射后增加一道萃取制程，通过超临界流体选择性的萃取掉液晶层中残留的反应性单体，从而可以改善液晶显示面板的影像残留现象。

【技术实现步骤摘要】
液晶显示面板的制作方法及液晶显示面板
本申请涉及显示领域，具体涉及一种液晶显示面板的制作方法及液晶显示面板。
技术介绍
目前，液晶显示器(LCD,Liquidcrystaldisplays)是一种被广泛应用的平板显示器，液晶是液晶显示器中的重要一环。而反应性单体(RM，Reactivemesogen)是液晶中的关键成分。而在现有的液晶显示器关于液晶显示面板的制备过程中，一般采用VA模式进行配向。其中，VA模式是一种垂直配向显示模式，在此配向过程中，液晶极化并倾倒，靠近PI表面的液晶倾倒一定的角度；然后紫外光引发RM发生反应，在PI表面聚合形成长链分子，使靠近PI表面的液晶形成一定的预倾角。在采用VA模式进行配向的过程中，需要先经过第一次紫外光照射使液晶分子形成预倾角，然后再经过第二次紫外光照射使液晶层中反应性单体反应完全，但是，实际情况是，在进行完第二次紫外光照射后，反应性单体无法反应完全；而反应性单体残留量的多少会对液晶显示面板的影像残留有明显的影响，反应性单体残留量越多，液晶显示面板的影像残留现象越严重，反应性单体残留量越少，液晶显示面板的影像现象残留越轻微。因此，怎样减少液晶显示面板液晶层中的反应性单体的残留量是全世界面板厂家正在努力攻克的难关。
技术实现思路
本申请实施例提供一种液晶显示面板的制作方法及液晶显示面板，可以减少液晶显示面板液晶层中的反应性单体的残留量，从而改善液晶显示面板的影像残留现象。本申请实施例提供一种液晶显示面板的制作方法，所述制作方法包括：r>提供阵列基板、彩膜基板以及液晶材料，所述液晶材料包括液晶分子和反应性单体；将所述阵列基板和所述彩膜基板对向贴合，在所述阵列基板和所述彩膜基板之间滴注所述液晶材料，以得到液晶盒；利用紫外光对所述液晶盒进行第一次紫外光照射，以使所述液晶分子形成预倾角；利用紫外光对所述液晶盒进行第二次紫外光照射，使所述液晶分子形成的预倾角稳定，以形成液晶层；利用超临界流体对所述液晶层进行萃取操作，以除去所述液晶层中的所述反应性单体，其中，所述超临界流体是温度、压力均高于CO2流体临界状态的流体，所述CO2流体临界状态为温度等于26.85摄氏度以及压力等于10兆帕。在本申请提供的液晶显示面板的制作方法中，所述利用超临界流体对所述液晶层进行萃取操作，以除去所述液晶层中的所述反应性单体的步骤包括：制备超临界流体，以使所述超临界流体的溶解度与所述反应性单体所匹配；在室温条件下对所述液晶层进行萃取操作，以除去所述液晶层中的所述反应性单体，所述室温为温度处于30-40摄氏度之间。在本申请提供的液晶显示面板的制作方法中，制备超临界流体，以使所述超临界流体的溶解度与所述反应性单体所匹配的步骤包括：调节超临界流体所处环境的压力以及温度，以改变所述超临界流体的密度，进而改变所述超临界流体的溶解度，使所述超临界流体的溶解度与所述反应性单体所匹配。在本申请提供的液晶显示面板的制作方法中，调节超临界流体所处环境的压力以及温度的步骤包括：调节超临界流体所处环境的压力至7-100兆帕；调节超临界流体所处环境的温度至30-50摄氏度。在本申请提供的液晶显示面板的制作方法中，在室温条件下对所述液晶层进行萃取操作，以除去所述液晶层中的所述反应性单体的步骤包括：在室温条件下使所述超临界流体与所述反应性单体充分接触；所述超临界流体与所述反应性单体发生萃取反应；所述超临界流体把所述反应性单体从所述液晶层中萃取出来，以除去所述液晶层中的所述反应性单体。在本申请提供的液晶显示面板的制作方法中，所述在利用超临界流体对所述液晶层进行萃取操作，以除去所述液晶层中的所述反应性单体的步骤之前，还包括：在所述液晶盒框胶处进行打孔操作，以形成过孔，使所述超临界流体通过所述过孔进入所述液晶层。在本申请提供的液晶显示面板的制作方法中，所述在利用超临界流体对所述液晶层进行萃取操作，以除去所述液晶层中的所述反应性单体的步骤之后，还包括：对所述液晶盒过孔处进行重新粘合操作，以封闭所述液晶盒。在本申请提供的液晶显示面板的制作方法中，所述对所述液晶盒过孔处进行重新粘合操作，以封闭所述液晶盒的步骤，包括：在所述液晶盒过孔处涂覆封口胶；采用紫外光照射所述液晶盒过孔处，以使所述封口胶固化，进而封闭所述液晶盒。在本申请提供的液晶显示面板的制作方法中，所述超临界流体的溶解性大于CO2气体的溶解性，所述超临界流体的溶解性等于CO2流体的溶解性；所述超临界流体的扩散性等于所述CO2气体的扩散性，所述超临界流体的扩散性大于所述CO2流体的扩散性。本申请还提供一种液晶显示面板，包括上述所述的液晶显示面板。在本申请提供的液晶显示面板的制作方法及液晶显示面板中，通过在第二次紫外光照射的制程后增加一道萃取制程，通过超临界流体选择性的萃取掉液晶显示面板中液晶层残留的反应性单体，从而可以改善液晶显示面板的影像残留现象。附图说明下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为本申请实施例提供的液晶显示面板的制作方法的流程示意图。图2为超临界流体相图。图3为本申请实施例提供的液晶显示面板的制作方法的第一子流程示意图。图4为本申请实施例提供的液晶显示面板的制作方法的第二子流程示意图。图5为本申请实施例提供的液晶显示面板的制作方法的另一流程示意图。图6为本申请实施例提供的液晶显示面板的制作方法的第三子流程示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。请参阅图1，图1为本申请实施例提供的液晶显示面板的制作方法的流程示意图。如图1所示，本申请实施例提供的液晶显示面板的制作方法，包括以下步骤：101、提供阵列基板、彩膜基板以及液晶材料，所述液晶材料包括液晶分子和反应性单体。其中，可以理解的，反应性单体为具备配向作用的聚合性单体添加剂，主要用于在紫外光照射下发生聚合反应，从而形成一定的聚合物突起，使液晶分子形成预倾角。其中，具体的说，在反应性单体发生聚合反应前，反应性单体以小分子的形式溶于液晶分子中，液晶分子与反应性单体为相容的均一的液态形式，随着紫外光照射，小分子反应性单体发生聚合反应生成分子量较大的高分子，导致其在液晶分子的溶解性下降而分相出来，由此以固体形式从液晶分子中分离出来并附着于阵列基板表面，形成聚合物突起，使液晶分子形成预倾角。其中，可以理解的，CO2流体的临界温度低，临界压力也不高，且无毒，环保，因此一般采用CO2流体来制备超临界流体。所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶显示面板的制作方法，其特征在于，包括：/n提供阵列基板、彩膜基板以及液晶材料，所述液晶材料包括液晶分子和反应性单体；/n将所述阵列基板和所述彩膜基板对向贴合，在所述阵列基板和所述彩膜基板之间滴注所述液晶材料，以得到液晶盒；/n利用紫外光对所述液晶盒进行第一次紫外光照射，以使所述液晶分子形成预倾角；/n利用紫外光对所述液晶盒进行第二次紫外光照射，使所述液晶分子形成的预倾角稳定，以形成液晶层；/n利用超临界流体对所述液晶层进行萃取操作，以除去所述液晶层中的所述反应性单体，其中，所述超临界流体是温度、压力均高于CO

【技术特征摘要】
1.一种液晶显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供阵列基板、彩膜基板以及液晶材料，所述液晶材料包括液晶分子和反应性单体；
将所述阵列基板和所述彩膜基板对向贴合，在所述阵列基板和所述彩膜基板之间滴注所述液晶材料，以得到液晶盒；
利用紫外光对所述液晶盒进行第一次紫外光照射，以使所述液晶分子形成预倾角；
利用紫外光对所述液晶盒进行第二次紫外光照射，使所述液晶分子形成的预倾角稳定，以形成液晶层；
利用超临界流体对所述液晶层进行萃取操作，以除去所述液晶层中的所述反应性单体，其中，所述超临界流体是温度、压力均高于CO2流体临界状态的流体，所述CO2流体临界状态为温度等于26.85摄氏度以及压力等于10兆帕。


2.如权利要求1所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述利用超临界流体对所述液晶层进行萃取操作，以除去所述液晶层中的所述反应性单体的步骤包括：
制备超临界流体，以使所述超临界流体的溶解度与所述反应性单体所匹配；
在室温条件下对所述液晶层进行萃取操作，以除去所述液晶层中的所述反应性单体，所述室温为温度处于35-40摄氏度之间。


3.如权利要求2所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，制备超临界流体，以使所述超临界流体的溶解度与所述反应性单体所匹配的步骤包括：
调节超临界流体所处环境的压力以及温度，以改变所述超临界流体的密度，进而改变所述超临界流体的溶解度，使所述超临界流体的溶解度与所述反应性单体所匹配。


4.如权利要求3所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，调节超临界流体所处环境的压力以及温度的步骤包括：
将超临界流体所处环境的压力调至7-100兆帕；
将超临界流体所处环境的温度调至30-50摄...

【专利技术属性】
技术研发人员：苗杰，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44