接口单元制造技术

本发明专利技术涉及一种可以用于激光烧蚀‑实时直接分析‑质谱(LA‑DART‑MS)系统的接口单元，更具体地，提供一种接口单元，该接口单元可以设置在DART单元与MS单元之间以提高通过激光束激光烧蚀的样品的检测灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】接口单元
本申请要求基于2018年09月11日提交的韩国专利申请No.10-2018-0108208、2018年09月27日提交的韩国专利申请No.10-2018-0114885、2019年09月06日提交的韩国专利申请No.10-2019-0110755、2019年09月09日提交的韩国专利申请No.10-2019-0111487和2019年09月10日提交的韩国专利申请No.10-2019-0112165的优先权的权益，这些韩国专利申请中公开的全部内容作为本说明书的一部分并入。本专利技术涉及一种可以用于激光烧蚀(LA)-DART-MS系统中的接口单元，更具体地，涉及一种接口单元，该接口单元可以设置在实时直接分析(DART)单元与质谱(MS)单元之间以提高用激光束烧蚀的样品的检测灵敏度。
技术介绍
通常，DART-MS(实时直接分析-质谱)系统是一种可以利用从离子源释放的加热的亚稳态He气体和由其产生的反应性离子通过烧蚀和电离目标物质来进行物质的分子量和结构分析的装置。尽管它具有可以通过将样品放置在离子源与MS单元之间在大气压力下进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接口单元，包括：/n管状主体，该管状主体位于DART(实时直接分析)电离单元的出口与MS(质谱)单元的入口之间；和/n设置在所述主体的一个侧表面上的第一开口，该第一开口被设置为使得烧蚀样品得到的分析物被引入到所述主体中，/n其中，所述接口单元用于激光烧蚀-DART-MS系统中，并且所述主体接收由所述DART电离单元发射的氦束和烧蚀所述样品得到的分析物，并将它们传输至所述质谱单元。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180911 KR 10-2018-0108208;20180927 KR 10-2018-011.一种接口单元，包括：
管状主体，该管状主体位于DART(实时直接分析)电离单元的出口与MS(质谱)单元的入口之间；和
设置在所述主体的一个侧表面上的第一开口，该第一开口被设置为使得烧蚀样品得到的分析物被引入到所述主体中，
其中，所述接口单元用于激光烧蚀-DART-MS系统中，并且所述主体接收由所述DART电离单元发射的氦束和烧蚀所述样品得到的分析物，并将它们传输至所述质谱单元。


2.根据权利要求1所述的接口单元，
其中，所述主体包括：第一区域，向该第一区域中引入由所述DART电离单元发射的氦束和烧蚀所述样品得到的分析物；和第二区域，该第二区域与所述第一区域连接并且向该第二区域中注入来自所述第一区域的气流以将其传输至所述质谱单元，
其中，由所述DART电离单元发射的氦束被引入到所述第一区域的一端中，所述第一区域的另一端与所述第二区域连接，并且所述主体在所述第一区域中的内径从所述第一区域的一端向该第一区域的另一端减小。


3.根据权利要求2所述的接口单元，
其中，所述主体的内部空间形成为逐渐变窄。


4.根据权利要求2所述的接口单元，
其中，所述第一开口设置在所述第一区域中。


5.根据权利要求4所述的接口单元，还包括，
突出管，该突出管在垂直于所述接口单元的轴向的方向上从所述第一开口向样品安装单元延伸，
其中，烧蚀安装在所述样品安装单元上的所述样品得到的分析物通过所述突出管然后通过所述第一开口引入到所述接口单元中。


6.根据权利要求4所述的接口单元，
其中，所述第一区域中的主体的另一侧表面设置有第二开口，被设置为激光单元发射的激光束通过所述第二开口，
所述第二开口面对所述第一开口，并且
所述激光束通过所述第一开口和所述第二开口照射至所述样品。


7.根据权利要求6所述的接口单元，
其中，所述第一区域设置有至少一个或更多个第三开口，电晕针通过该第三开口插入到所述主体中。


8.根据权利要求2所述的接口单元，
其中，所述质谱单元的入口包括：孔口，该孔口设置有孔，所述质谱单元外部的分析物通过该孔被引入到形成在所述质谱单元内部的分析空间中；和与所述孔口连接的接口法兰，
所述第二区域的一端与所述第一区域的另一端连接，
所述第二区域的另一端与所述质谱单元的所述入口连接，并且
所述主体...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘贤植，裵龙珍，林泳姬，尹汝荣，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国;KR