高临界温度超导厚膜磁场梯度计制造技术

技术编号:2638527 阅读:193 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及与超导量子干涉器(SQUID)配用的高Tc超导厚膜磁场梯度计,主要包括:衬底、输入线圈、探测线圈以及回线和中间绝缘层,探测线圈是一对匝数、尺寸相同、定间隔同轴反向串联的线圈,它们与输入线圈、回线一起构成超导闭合回合,所用超导材料是Y系或Bi系氧化物,衬底用ZrOAl↓[2]O↓[2],SiTi↓[3]O或MgO材料,中间绝缘层用Y↓[2]BaCuO,BaCuO,ZrO,Al↓[2]O↓[3],SrTi↓[3]OPrBa↓[2]Cu↓[3]O或MgO材料,磁场梯度计用于探测变化的空间磁场分布。(*该技术在2010年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及测量磁场空间变化的磁场梯度测量装置.尤其与高临界温度(Tc)的磁场梯度计有关.磁场梯度计是由一对相隔一定距离的、匝数、尺寸相同,同轴反向串联的探测线圈和一个输入线圈构成的超导闭合回路.配用超导量子干涉器(SQUID)用于测量磁场的空间变化.已有的超导量子干涉器(SQUID)及与其配用的磁场梯度计必需在液氦温区下工作,梯度计通常采用金属铌线制成,所用的金属铌线很细,可以把它任意绕成截面很小的线圈.但是,在液氮温区工作的高Tc SQUID必需使用高Tc超导材料制成磁场梯度计.而现有的高Tc材料、如Y系、Bi系超导材料都是脆性的氧化物材料,因此不易做成很细的线材,即使做出细的线材,在绕制线圈时的弯曲也会导致其超导性的破坏.为了保证器件的超导性,所绕成的线圈还必需进行退火处理,在退火过程中,由于所绕成的线圈与管架的热膨胀系数不完全相同,超导线可能会断开.此外如何形成探测线圈与输入线圈之间的闭合超导回路也是一个比较复杂的,有待解决的问题.基于上述所提到的这些问题,限制了高Tc磁场梯度计的发展,进而也影响到高Tc SQUID的应用发展.本专利技术的目的在于设计出一种新的高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高Tc超导厚膜磁场梯度计,它是输入线圈、探测线圈、以及回线组成的闭合回路,探测线圈是一对或一对以上的匝数、尺寸相同,定间隔,同轴反向串联的线圈,其特征在于:[1]所说的输入线圈和探测线圈由衬底及与之牢固结合的超导厚膜螺旋线圈组成,线 圈间由回线连接成闭合回路,[2]所说的衬底是用各种绝缘陶瓷制成的不同截面形状的棒材和管材中的一种,[3]所说的超导厚膜螺旋线圈和超导厚膜回线之间互相绝缘,它们可以在衬底的同侧,也可以分别在衬底的两侧。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李汉青林安中
申请(专利权)人:北京有色金属研究总院
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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