驱动电路制造技术

一种驱动电路，所述驱动电路用于驱动在碳化硅基板上的开关元件(61)，包括：比较器(81)，所述比较器用于对流过开关元件的电流和过电流阈值进行比较；判断单元(83)，所述判断单元用于基于比较结果来对过电流是否流动进行判断；控制单元(88)，所述控制单元用于基于驱动命令来生成驱动信号，所述驱动信号用于控制开关元件的驱动操作，并且所述控制单元用于在判断为过电流流动时断开开关元件；以及设定单元(88)，所述设定单元用于根据与开关元件的主电极之间的电压相关联的物理量来可变地设定过电流阈值。

【技术实现步骤摘要】
驱动电路
本公开涉及用于开关元件的驱动电路。
技术介绍
专利文献1公开的驱动电路将流过开关元件的电流与过电流阈值(对应于参考电压)进行比较。当电流等于或大于过电流阈值时，驱动电路判断为过电流正在流动，并且断开开关元件。在MOSFET形成在Si(硅)基板上的情况下，由于电流是饱和的，因此，可以基于预定的过电流阈值来对过电流是否正在流动进行判断。然而，在开关元件形成在SiC(碳化硅)基板上的情况下，有可能检测不到过电流。因此，不能适当地保护开关元件免受过电流的影响。专利文献1：JP2017-175771-A
技术实现思路
本公开的一个方面是提供能够适当地保护开关元件免受过电流影响的驱动电路。根据本公开的驱动电路是用于驱动形成在SiC基板上的开关元件的电路。驱动电路包括比较器、判断单元、控制单元和设定单元。比较器将流过开关元件的电流与过电流阈值进行比较。判断单元基于比较结果来对过电流是否正在流动进行判断。控制单元基于驱动命令来生成用于控制开关元件的驱动操作的驱动信号，并且在判断为过电流正在流动时断开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种驱动电路，所述驱动电路用于驱动形成在碳化硅基板上的开关元件(61)，所述驱动电路包括：/n比较器(81)，所述比较器用于对流过所述开关元件的电流和过电流阈值进行比较；判断单元(83)，所述判断单元用于基于比较结果来对过电流是否流动进行判断；/n控制单元(88)，所述控制单元用于基于驱动命令来生成驱动信号，所述驱动信号用于控制所述开关元件的驱动操作，并且所述控制单元用于在判断为所述过电流流动时断开所述开关元件；以及/n设定单元(88)，所述设定单元用于根据与所述开关元件的主电极之间的电压相关联的物理量来可变地设定所述过电流阈值。/n

【技术特征摘要】
20190515 JP 2019-0923921.一种驱动电路，所述驱动电路用于驱动形成在碳化硅基板上的开关元件(61)，所述驱动电路包括：
比较器(81)，所述比较器用于对流过所述开关元件的电流和过电流阈值进行比较；判断单元(83)，所述判断单元用于基于比较结果来对过电流是否流动进行判断；
控制单元(88)，所述控制单元用于基于驱动命令来生成驱动信号，所述驱动信号用于控制所述开关元件的驱动操作，并且所述控制单元用于在判断为所述过电流流动时断开所述开关元件；以及
设定单元(88)，所述设定单元用于根据与所述开关元件的主电极之间的电压相关联的物理量来可变地设定所述过电流阈值。


2.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，
所述物理量是电源线(9H、9L)的电压，所述电源线对包括所述开关元...

【专利技术属性】
技术研发人员：横正达也，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：日本;JP