半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体装置，包括：半导体元件；密封体，密封半导体元件；以及导体部件，在密封体的内部经由焊料层与半导体元件接合。导体部件具有与焊料层接触的接合面和从接合面的周缘延伸的侧面。在侧面设置有非粗糙化区域和表面粗糙度大于非粗糙化区域的粗糙化区域。并且，非粗糙化区域与接合面的周缘相邻。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本说明书公开的技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
日本特开2009-146950号公报公开了一种半导体装置。该半导体装置具备半导体元件、密封半导体元件的密封体、和在密封体的内部与半导体元件接合的导体部件。半导体元件与导体部件之间经由焊料层而接合。
技术实现思路
在将半导体元件与导体部件之间焊接时，多余的焊料可能从半导体元件与导体部件之间溢出。此时，如果多余的焊料向半导体元件浸润扩散，则可能招致半导体元件短路、绝缘不良等故障。因此，优选多余的焊料沿着导体部件浸润扩散。然而，如果导体部件的表面被焊料大范围覆盖，则导体部件与密封体之间的紧密结合性下降，从而例如半导体装置的耐久性可能下降。本说明书提供一种能够抑制这样的情况而提高半导体装置的耐久性的技术。本说明书公开的半导体装置具备：半导体元件；密封体，密封半导体元件；以及导体部件，在密封体的内部经由焊料层与半导体元件接合。导体部件具有与焊料层接触的接合面和从接合面的周缘延伸的侧面。在侧面设置有非粗糙化区域、和与非粗糙化区域相比表面粗糙度较大的粗糙化区域。并且，非本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n半导体元件；/n密封体，密封所述半导体元件；以及/n导体部件，在所述密封体的内部经由焊料层与所述半导体元件接合，/n所述导体部件具有与所述焊料层接触的接合面和从所述接合面的周缘延伸的侧面，/n在所述侧面设置有非粗糙化区域和表面粗糙度大于所述非粗糙化区域的粗糙化区域，/n所述非粗糙化区域与所述接合面的所述周缘相邻。/n

【技术特征摘要】
20190515 JP 2019-0924111.一种半导体装置，包括：
半导体元件；
密封体，密封所述半导体元件；以及
导体部件，在所述密封体的内部经由焊料层与所述半导体元件接合，
所述导体部件具有与所述焊料层接触的接合面和从所述接合面的周缘延伸的侧面，
在所述侧面设置有非粗糙化区域和表面粗糙度大于所述非粗糙化区域的粗糙化区域，
所述非粗糙化区域与所述接合面的所述周缘相邻。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述粗糙化区域位于与所述接合面的所述周缘分离的位置。


3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其中，
所述导体部件具有板状部和从所述板状部的一个表面凸出的凸出部，
所述接合面以及所述侧面位于所述凸出部。


4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
在所述板状部的所述一个表面，沿着所述凸出部的周围设置有槽，
所述非粗糙化区域从所述接合面...

【专利技术属性】
技术研发人员：川岛崇功，门口卓矢，浦本幸治，小川泰弘，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：日本;JP