【技术实现步骤摘要】
含Al磁硬化层结构的低成本耐热烧结含Ce磁体及制备方法
本专利技术涉及稀土永磁材料领域，特别涉及一种含Al磁硬化层结构的低成本耐热烧结含Ce磁体及其制备方法。
技术介绍
为平衡稀土资源的综合利用，减少环境污染，开发资源节约型高矫顽力的烧结铈钕铁硼永磁体已成当前的热点课题。可是随着高、精、尖产业的发展，也对磁体的热稳定性提出了更高的要求。因此，同时开发低成本、高矫顽力和高热稳定的烧结铈钕永磁体具有重要的意义。不含任何重稀土和贵金属镓(镓的价格超过了镨钕金属市场价格的两倍))的烧结铈钕永磁体的开发主要集中在提高磁体矫顽力方面，例如，中国专利申请CN103280290A采用添加液相合金Ce-Nd-Fe-M的方法，其中M为替代Fe的金属，获得铈占稀土总量20wt.％、最优内禀矫顽力Hcj为12.38kOe的烧结铈钕磁体；中国专利申请CN106710768A采用在双主相基础上添加NdHx的方法，获得铈占稀土总量24wt.％、最优内禀矫顽力Hcj为13.00kOe的烧结铈钕磁体；中国专利申请CN104167272A采用单一合金法...
【技术保护点】
1.一种含Al磁硬化层结构的低成本耐热烧结含Ce磁体，其特征在于：该含Ce磁体的化学成分按重量百分比表示为：/n[(Pr
【技术特征摘要】
1.一种含Al磁硬化层结构的低成本耐热烧结含Ce磁体，其特征在于：该含Ce磁体的化学成分按重量百分比表示为：
[(PraNdb)cAld]x{[(PraNdb)eCef]g(Fe100-k,TMk)hBi}y，其中，0≤a≤30，70≤b≤100，10≤d≤20，c+d＝100，26≤f≤32，e+f＝100，29.5≤g≤30.5，0.92≤i≤1.05，g+h+i＝100，80≤kh≤200，0.5≤x≤3，x+y＝100，TM为Cu、Al、Nb、Zr、Ag、Co元素中的一种或者几种；
该含Ce磁体的微观组织包括磁性主相、含Al的主相外延磁硬化薄层及Fe重量百分比小于40％的富稀土相，且不包含任何重稀土元素和镓元素。
2.根据权利要求1所述的含Al磁硬化层结构的低成本耐热烧结含Ce磁体，其特征在于：所述含Ce磁体由速凝非磁性合金片和速凝基础合金片依次按照以下步骤制备获得：氢碎、气流磨制粉、强磁成型、烧结、一次回火热处理和二次热处理。
3.根据权利要求2所述的含Al磁硬化层结构的低成本耐热烧结含Ce磁体，其特征在于：所述速凝非磁性合金片的重量百分比成分为(PraNdb)cAld，其中，0≤a≤30，70≤b≤100，10≤d≤20，c+d＝100。
4.根据权利要求2所述的含Al磁硬化层结构的低成本耐热烧结含Ce磁体，其特征在于：速凝基础合金片的重量百分比成分为[(PraNdb)eCef]g(Fe100-k,TMk)hBi，其中，0≤a≤30，70≤b≤100，26≤f≤32，e+f＝100，29.5≤g≤30.5，0.92≤i≤1.05，g+h+i＝100，80≤kh≤200，TM为Cu、Al、Nb、Zr、Ag、Co元素中的一种或者几种。
5.根据权利要求2所述的含Al磁硬化层结构的低成本耐热烧结含Ce磁体，其特征在于：所述含Ce磁体与通过所述速凝基础合金片制备获得的基础磁体相比，矫顽力提高2.3％-16.54％，所述基础磁体的制备步骤和工艺参数与所述含Ce磁体的制备步骤和工艺参数相同。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的含Al磁硬化层结构的低成本耐热烧结含Ce磁体，其特征在于：所述含Ce磁体与相同磁性能的商业磁体相比，内禀矫顽力温度系数|β(Hcj)|降低3.45％-12.84％；商业不含Ce烧结钕铁硼的化学成分按重量百分比表示为：[(Pr25Nd75)30-32.5RE2-6Fe余TM1.5-2.8B0.92-1.1，其中RE为Gd、Dy、Ho、Tb元素中的一种或者几种，TM为Cu、Al、Nb、Ga、Zr、Ag、Co元素中的一种或者几种。
7.一种如权利要求1-6中任一项所述的含Al磁硬化层结构的低成本耐热烧结含Ce磁体的制备方法，其特征在于：该制备方法包括以下工艺步骤：
(1)制备速凝非磁性合金片
所述速凝非磁性合金片的成分按重量百分比为(PraNdb)cAld，其中，0≤a≤30，70≤b≤100，10≤d≤20，c+d＝100；速凝非磁性合金片在氩气保护下速凝制备而成，浇铸温度为750℃～900℃，铜辊转速为43r/min～45r/min，厚度为0.1μm～0.3μm；
(2)制备速凝基础合金片
所述速凝基础合...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏峰，朱明刚，刘吉祥，王瑜，李卫，
申请(专利权)人：钢铁研究总院，包头金山磁材有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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