获取像素单元的电学数据的方法和装置、阵列基板制造方法及图纸

技术编号:26380986 阅读:27 留言:0更新日期:2020-11-19 23:49
本发明专利技术是关于一种获取像素单元的电学数据的方法和装置、阵列基板。访阵列基板包括像素单元和外部补偿单元;各像素单元包括检测开关器件;当所述检测开关器件打开时,所述外部补偿单元用于获取第一数据,所述第一数据包括外部补偿单元中电平跳变引起的噪声数据;当所述检测开关器件闭合时,所述外部补偿单元连接到所述像素单元,用于获取第二数据,所述第二数据包括像外部补偿单元中电平跳变引起的噪声数据和像素单元的电学数据;所述外部补偿单元还用于根据所述第一数据和所述第二数据获取电学数据。本实施例可以消除电平跳变噪声对电学数据的影响,有利于提升获取电学数据的精度,有利于提升后续获得的补偿数据的准确度。

【技术实现步骤摘要】
获取像素单元的电学数据的方法和装置、阵列基板
本专利技术涉及像素数据补偿
,尤其涉及一种获取像素单元的电学数据的方法和装置、阵列基板。
技术介绍
目前,在AMOLED显示器中,现有较成熟的内部补偿技术显然无法满足其发展需求,故发展外部补偿技术势在必行。而现阶段外部补偿技术中,外部补偿电路采用分时复用思想分别采集各个像素单元的噪声数据。在外部补偿电路中的Mux复用器通过切换开关选择采集通道时,像素单元的GOA电平VGH/VGL在建立初期会产生电压浮动,并通过寄生电容耦合到检测线(SensingLine)之上,导致外部补偿电路中的模数转换器ADC提取到的噪声数据误差较大,如超过一个灰阶的电压跨度,导致后续过程中计算补偿量时会引入较大偏差,严重影响补偿效果。
技术实现思路
本专利技术提供一种获取像素单元的电学数据的方法和装置、阵列基板,以解决相关技术的不足。根据本专利技术实施例的第一方面,提供一种阵列基板,包括像素单元和像素单元之外的外部补偿单元;各像素单元包括检测开关器件;当所述检测开关器件打开时,所述外部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括像素单元和像素单元之外的外部补偿单元;各像素单元包括检测开关器件;/n当所述检测开关器件打开时,所述外部补偿单元用于获取第一数据,所述第一数据包括外部补偿单元中电平跳变引起的噪声数据;/n当所述检测开关器件闭合时,所述外部补偿单元连接到所述像素单元,用于获取第二数据,所述第二数据包括外部补偿单元中电平跳变引起的噪声数据和像素单元的电学数据;/n所述外部补偿单元还用于根据所述第一数据和所述第二数据获取电学数据。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括像素单元和像素单元之外的外部补偿单元;各像素单元包括检测开关器件;
当所述检测开关器件打开时,所述外部补偿单元用于获取第一数据,所述第一数据包括外部补偿单元中电平跳变引起的噪声数据;
当所述检测开关器件闭合时,所述外部补偿单元连接到所述像素单元,用于获取第二数据,所述第二数据包括外部补偿单元中电平跳变引起的噪声数据和像素单元的电学数据;
所述外部补偿单元还用于根据所述第一数据和所述第二数据获取电学数据。


2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,各个像素单元还包括驱动开关器件、复位开关器件和OLED器件;
所述驱动开关器件的第一端与第一电源线连接,第二端与所述复位开关器件的第一端连接;所述复位开关器件的第二端与所述OLED器件的阳极端连接;所述OLED器件的阴极端接地;
所述检测开关器件的第一端分别与所述驱动开关器件和所述复位开关器件连接,第二端与所述外部补偿单元中复位器连接。


3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述外部补偿单元包括复用器、运算放大器、积分电容、积分复位开关、第一开关、第一电容、第二开关、第二电容和模数转换器;
所述复用器的各输入端与对应像素单元中的检测开关器件的第二端连接;
所述运算放大器件的反相输入端与所述复用器的输出端连接,所述运算放大器件的正相输入端与参考电压线连接,所述运算放大器件的输出端分别与所述第一开关和所述第二开关的输入端连接;
所述积分电容并联在所述运算放大器件的反相输入端和输出端之间;
所述积分复位开关并联在所述运算放大器件的反相输入端和输出端之间;
所述第一电容的第一端与所述第一开关的第二端连接,所述第一电容的第二端接地;
所述第二电容的第一端与所述第二开关的第二端连接,所述第二电容的第二端接地;
所述模数转换器的第一端分别与所述第一开关的第二端和所述第一电容的第一端连接,所述模数转换器的第二端分别与所述第二开关的第二端和所述第二电容的第一端连接,所述模数转换器的输出端用于输出电学数据。


4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述外部补偿单元还包括匹配电路,所述匹配电路包括可调电阻和第三开关;
所述可调电阻的第一端与所述运算放大器的输出端连接,所述可调电阻的第二端分别与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨华玲殷新社
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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