本发明专利技术涉及半导体晶片测试，每个晶片包含多个芯片，对全部晶片进行初始测试，结果表示晶片中每个芯片是良好，有缺陷的，以及预测为良好芯片中的任一种。再把每个预测为的良好芯片进行微调，使其成为良好芯片。此后，对在半导体晶片中取样晶片进行最后晶片测试，测试结果表示每个取样晶片的每个芯片是良好还是有缺陷芯片中的一种。修改晶片测试结果，通过修改结果把预测为良好芯片的每个芯片也表示为良好芯片。通过将修改晶片测试结果加到最终晶片测试结果，产生对全部半导体晶片的完整晶片测试结果。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及检验成批半导体晶片的晶片测试方法，每个晶片含有许多芯片，每个芯片含有一个存储单元。如下面详细叙述那样，按照现有技术的常规方法，不能短时间完成成批半导体器件的测试。因此，本专利技术的目的是提供能短时间完成晶片测试的方法。本专利技术适用的方法是关于半导体晶片的N个(N是大于1的整数)晶片测试。每个半导体晶片包括许多芯片。每个芯片含有一个存储单元。按照本专利技术，该方法包括下列步骤初始晶片测试步骤，对所有的半导体晶片进行初始晶片测试，判断每个半导体晶片的每个芯片是良好的芯片或有缺陷的芯片，每个半导体晶片的每个芯片是否是经过微调作为良好芯片的预测的的良好的芯片，初始晶片测试步骤获得的初始测试结果表示每个半导体晶片的每个芯片是良好的芯片，有缺陷的芯片和预测的良好的芯片的任一种芯片；微调步骤，相应初始晶片测试结果把每个预测的良好的芯片进行微调，使预测的良好的芯片微调成良好的芯片；最后的测试步骤，对从半导体晶片中取样的减少数量M样片(M是小于N的正整数)进行最后的测试，判断每个样片的每个芯片是良好的芯片或是有缺陷的芯片，最后测试步骤获得的最后晶片测试结果，表示每个样片的每个芯片是良好的芯片和有缺陷的芯片中之一；初始晶片测试结果修改步骤，修改除样片以外的半导体晶片的初始晶片测试结果，获得除样片以外的半导体晶片的修改晶片测试结果，以便由修改的晶片测试结果，把由初始晶片测试结果表示为预测的良好的芯片的每个芯片表示为良好的芯片；整片测试结果步骤，由对最后晶片测试结果加上修改的晶片测试结果，获得关于全部的半导体晶片的整片的测试结果。附图说明图1是叙述由冗余单元代替半导体晶片上有缺陷的单元的平面图；图2是表示现有技术结构的简图；图3A和图3B是表示本专利技术和现有技术实例所述晶片测试过程利用的载片器透视图；图4是表示本专利技术和现有技术实例所述晶片测试过程的流程图；图5是表示本专利技术和现有技术实例测试过程的流程图；图6是表示本专利技术一个实施例所述MAP(制造过程分析)数据结构图；图7是表示本专利技术一个实施例结构简图；图8是表示叙述本专利技术一个实施例MAP数据存储图象的简图；图9A和图9B是表示图6叙述的MAP数据和晶片上芯片之间关系简图；图10是表示本专利技术一个实施例叙述的SLOT(槽)数据结构的简图；图11是表示如图10所示的槽数据的详细存储信息的简图；图12是表示本专利技术一个实施例的预备存储槽数据的流程图；图13是表示本专利技术取样测试的流程图；图14是表示本专利技术一个实施例确定取样槽的流程图；图15是表示本专利技术一个实施例标记流程图；图16是表示本专利技术一个实施例综合MAP数据的流程图。参照图1叙述包括在每个半导体片中的许多芯片中的每个芯片。每个芯片具有包括存储单元和冗余单元的存储部件，利用现有技术中的微调技术由冗余单元代替有缺陷的单元。在上述芯片中，可能利用冗余单元代替全部的有缺陷的单元。但是，如果冗余单元数量增加，则对于全部的有缺陷的单元，不可能用冗余单元代替。这种代替在本
中称为替换。在最近几年，随着存储容量和晶片直径的增加，具有存储部件的晶片测试过程的工作周期延长。图2表示利用常规方法的晶片测试系统的实例。为了更好的了解本专利技术，参照图2叙述常规方法。在图2中，晶片测试系统作为最小结构具有IC测试器300和测量或测试探测器400的合成部分。目前，由于网络结构的开发，具有标记(或涂油墨)探测器500，用油墨标记(以后可简单地称为“标记”)有缺陷的芯片。于是，很少使单个探测器用于测量和涂墨标记。图3A表示在装片过程中利用的装片器。晶片载体1500通常包括25个晶片1501-1525。为了叙述清楚，在图中只表示3片即1501，1502，1503。晶片载体1500在其内侧表面装有许多凹窝以便分开地放置晶片，如图3B的顶视图所示。把这些凹窝称为凹槽1600。在下面叙述中，根据其中安装的晶片1501到1525顺序地识别槽1600。特别是，在第1槽1501，第13槽1513，第25槽1525分别安装的在第1晶片1501，第13晶片1513，第25晶片1625。尤其能成批地生产存储器。因此，通常是在载片器槽1600的所有槽安装晶片1501到1525。下面把那样的一组片称为处理的成批片(或检测的成批片)700(图2)。图4表示典型的晶片测试过程的流程图。在扩散形成芯片后，把晶片1501到1525装入载片器1500中(图3A)，进入晶片测试工艺(步骤8301)。处理的成批片子进行冗余晶片测试或者初始晶片测试(步骤8302)，微调工艺(步骤8303)，最后晶片测试(步骤8304)，检测标记工艺(8305)，然后传到下步工艺(步骤8306)。下面叙述冗余(或初始)晶片测试(如图4的步骤8302)。利用图2所示的由IC测试器300和探测器400合成的结构进行冗余(或初始)晶片测试(冗余／存储器微调测试)。用通信线601连接IC测试器300和探测器400，通知由探测器400请求测试开始，由IC测试器300判断良好／有缺陷的芯片。为了对处理的成批片700进行冗余测试，为IC测试器300装上测试程序。同样，为了控制处理的成批片700，为探测器400设置探测条件。由制造者提供的手册公知测试程序的安装和探测器条件的设置。图5是冗余(或初始)晶片测试的流程图。参照图2和图5，在探测器400开始测试(步骤8101)。首先，把第1晶片1501装入载片器1500(图3A)，作为处理的成批晶片700(步骤8102)。通过晶片对准(没表示)，检测形成芯片中第1芯片的位置。升高装有晶片的工作台，使芯片接触区和称为探测件的电极部件的探针相互接触。在这阶段，探测器400提供“测试开始请求”到IC测试器300。然后，安装在IC测试器300中的测试程序运行启动冗余特性测试(步骤8103)。如果芯片不够好，则要分别判断它是有缺陷的芯片还是合格的芯片。如果存储单元是有缺陷的单元，而且能由冗余单元代替，则判断该芯片为“良好”芯片和成为“通过微调(图4中的步骤8303)，BIN／判定为良好芯片”，通过通信线路601把“BIN结果”由IC测试器300传送到探测器400(步骤8104)。注意，“BIN”表示根据测试结果对测试器件为良好产品和有缺陷产品之间的辨别或对特性等级的辨别。接着，探测器400降低工作台使探针和芯片断开接触。在移动到下一个芯片后，升高工作台，使探针和下一个芯片相互接触(步骤8105)。然后判断是否对在晶片1501上形成的所有芯片完成测试(步骤8106)。如果还没有完成对所有芯片进行测试，则返回步骤8102，继续进行测试。如果完成对所有芯片进行测试，使晶片返回到载片器1500(称为卸片器)(步骤8107)，利用通信线路601从探测器400传送测片结束信号到IC测试器300(步骤8108)。探测器400利用通信线路202，把测片结束信号以及对每个芯片进行上述测试获得的“良好的／有缺陷的判断结果”和“BIN结果”提供给主机。按照SECS(SEMI Equipment Communication Standard)提供的协议由探测器400的CPU410进行典型的通信。在主机100中，由通信接口(I／F)130接收，由CPU110进行处理，作为冗余测试的MAP数据121(图2本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体晶片测试方法，晶片的数量为Ｎ（Ｎ是大于１的整数），每个半导体芯片包括许多芯片，每个芯片包括一个存储部件，所述方法包括下列步骤：初始晶片测试步骤，对全部的所述半导体晶片进行初始晶片测试，判断每个所述半导体晶片的每个芯片是良好的芯 片或者是有缺陷的芯片，所述半导体晶片的每个芯片是否经过微调成为所述良好芯片的预定良好的芯片，所述初始芯片测试步骤产生初始芯片测试结果，表示每个所述半导体芯片的每个芯片是所述良好芯片，所述有缺陷的芯片以及所述预测为良好芯片的一种；微调步骤 ，根据所述初始晶片测试结果，对每个所述预测为良好芯片进行所述微调，把所述预测良好芯片微调成为所述良好芯片；最终晶片测试步骤，对所述半导体晶片经过取样的减少数量的Ｍ（Ｍ是小于Ｎ的正整数）取样晶片进行最终晶片测试，判断每个取样晶片的每个芯片 是良好芯片或者是有缺陷的芯片，所述最终晶片测试步骤产生最终晶片测试结果，表示所述取样晶片的每个芯片是所述良好芯片和有缺陷芯片的任何一种；初始晶片测试结果修改步骤，对除了所述取样晶片以外的半导体晶片，修改初始晶片测试结果，对除取样晶片以外 的半导体晶片产生修改晶片测试结果，通过所述修改晶片测试结果把通过所述初始晶片测试结果表示为所述预定良好的芯片的每个芯片表示为所述良好芯片；完整晶片测试结果产生步骤，通过对所述最终晶片测试结果增加所述修改晶片测试结果，对全部的所述半导体晶 片产生完整晶片测试结果。...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：前田哲典，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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