【技术实现步骤摘要】
一种高温度稳定型磁共振传感器磁体结构及测量装置
本专利技术属于磁共振检测
，涉及一种高温度稳定型磁共振传感器磁体结构及测量装置，尤其涉及一种用于绝缘材料老化检测的高温度稳定型磁共振传感器磁体结构及测量装置。
技术介绍
复合绝缘材料(如硅橡胶复合绝缘子等)在电网的投入使用过程中会由表及里发生不同程度的老化，使得材料整体的电气绝缘性能降低。磁共振检测法通过测量并分析待测区域上绝缘材料的磁共振信号，可以实现对绝缘材料老化程度的现场定量无损检测，在电力系统绝缘材料老化检测中具有极大的应用价值。单边磁共振传感器中的主磁体在待测区域上产生具有一定强度和梯度的静态磁场B0，是磁共振技术检测绝缘材料指定层面老化程度的基础。但是，环境温度的升高会使得磁畴内的磁矩发生扰动，从而降低主磁体的剩磁和矫顽力，进一步显著降低原有待测区域上的静态磁场强度，在磁共振传感器系统激励频率ω不变的情况下，根据拉莫尔公式ω＝γB0，激励频率所对应的实际待测区域位置发生改变，导致希望检测绝缘材料的位置与实际检测位置不符，造成测量误差。总的来说，环境温度...
【技术保护点】
1.一种高温度稳定型磁共振传感器磁体结构，其特征在于，包括一块导磁基底、分别放置在导磁基底四角处的主磁体以及对应放置在每块主磁体外侧的温度补偿块，纵向缝隙两侧的主磁体为反向充磁且充磁方向与下方导磁基底垂直，每块主磁体外侧的温度补偿块与该主磁体充磁方向相反，导磁基底将纵向缝隙两侧的主磁体联通，起到增强主磁体上部静态梯度磁场的目的，温度补偿块用于弥补温度升高带来主磁体上部静态梯度磁场的衰减。/n
【技术特征摘要】
1.一种高温度稳定型磁共振传感器磁体结构，其特征在于，包括一块导磁基底、分别放置在导磁基底四角处的主磁体以及对应放置在每块主磁体外侧的温度补偿块，纵向缝隙两侧的主磁体为反向充磁且充磁方向与下方导磁基底垂直，每块主磁体外侧的温度补偿块与该主磁体充磁方向相反，导磁基底将纵向缝隙两侧的主磁体联通，起到增强主磁体上部静态梯度磁场的目的，温度补偿块用于弥补温度升高带来主磁体上部静态梯度磁场的衰减。
2.如权利要求1所述的高温度稳定型磁共振传感器磁体结构，其特征在于，四块主磁体为几何尺寸完全相同且中心对称的立方体状钐钴主磁体，四块主磁体呈U字型分布。
3.如权利要求1所述的高温度稳定型磁共振传感器磁体结构，其特征在于，所述温度补偿块为负磁导率温度系数或者剩磁温度系数大于钐钴主磁体的材料。
4.如权利要求1所述的高温度稳定型磁共振传感器磁体结构，其特征在于，所述温度补偿块为负磁导率...
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